محبوبترینها
قیمت دیگ بخار و تولیدکننده اصلی دیگ بخار
معروف‌ترین هدیه و سوغاتی یزد مشخص شد!
آشنایی با انواع دوربین مداربسته ضد آب
پرداخت اینترنتی قبوض ساختمان (پرداخت قبض گاز، برق و آب)
بهترین دوره آموزش سئو محتوا در سال 1403 با نام طوفان ۱۴۰۳ در فروردین ماه شروع می شود
یک صرافی ارز دیجیتال چه امکاناتی باید داشته باشد؟
تعمیرگاه مجاز تعمیر ماشین لباسشویی در شرق تهران
تعمیرگاه مجاز تعمیر ماشین لباسشویی در شرق تهران
جراحی و درمان ریشه دندان عفونی با خانم دکتر صفوراامامی
چه مواردی بر قیمت کابین دوش حمام تاثیر دارند؟
صفحه اول
آرشیو مطالب
ورود/عضویت
هواشناسی
قیمت طلا سکه و ارز
قیمت خودرو
مطالب در سایت شما
تبادل لینک
ارتباط با ما
مطالب سایت سرگرمی سبک زندگی سینما و تلویزیون فرهنگ و هنر پزشکی و سلامت اجتماع و خانواده تصویری دین و اندیشه ورزش اقتصادی سیاسی حوادث علم و فناوری سایتهای دانلود گوناگون
مطالب سایت سرگرمی سبک زندگی سینما و تلویزیون فرهنگ و هنر پزشکی و سلامت اجتماع و خانواده تصویری دین و اندیشه ورزش اقتصادی سیاسی حوادث علم و فناوری سایتهای دانلود گوناگون
آمار وبسایت
تعداد کل بازدیدها :
1798119821
دستگاههای الکترونیکی سریعتر آینده با کشف یک ترکیب جدید
واضح آرشیو وب فارسی:ایسنا: سه‌شنبه ۹ تیر ۱۳۹۴ - ۰۹:۱۴
دانشمندان مؤسسه شیمی‌فیزیک جامدات مکس‌پلانک و دانشگاه رادبود هلند دریافته‌اند که مقاومت الکتریکی ترکیب نیوبیوم و فسفر در هنگام قرار گرفتن در معرض میدان مغناطیسی به طور قابل توجهی افزایش می‌یابد. این کشف می‌تواند در آینده به تسهیل طراحی دستگاههای الکترونیکی بینجامد. به گزارش سرویس علمی ایسنا منطقه خراسان، این مقاومت مغناطیسی عظیم که وظیفه ذخیره‌سازی انبوه را در هارد دیسک‌های جدید دارد، پیش از این در برخی مواد با ساختار پیچیده مشاهده شده بود. فسفید نیوبیوم یا یک ماده با خواص مشابه که به راحتی قابل تولید است، می‌تواند جایگزین این مواد با ساختار پیچیده باشد. انتظار می‌رود سیستم‌های الکترونیکی حجم داده‌های رو به افزایش را در زمانی کوتاه‌تر و در فضایی کمتر پردازش و ذخیره‌سازی کنند. خوشبختانه، فیزیکدانان پدیده‌ای موسوم به مقاومت مغناطیسی عظیم را کشف کرده‌اند که به مهندسان برای توسعه اجزای الکترونیکی بهتر و قاعده‌مندی شگفت‌انگیزتر کمک می‌کند. دانشمندان از این پدیده برای افزایش مقاومت مغناطیسی مواد استفاده می‌کنند. آنها با قرار دادن هارد دیسک‌های جدید در معرض یک میدان مغناطیسی مقاومت آنها را به طور قابل توجهی تغییر می‌دهند. تاکنون در صنعت کامپیوتر از مواد مختلفی که به صورت ساختاری ملیله‌دوزی شکل بر روی هم قرار می‌گیرند، برای دستیابی به تاثیر این پدیده در ذخیره‌سازی مواد استفاده شده است. به تازگی، دانشمندان موسسه مکس پلانک در درسدن آلمان، در ماده‌ای غیرپیچیده به نام فسفید نیوبیوم، افزایش سریع و 10 هزار برابری مقاومت الکتریکی را مشاهده کرده‌اند. مقاومت فسفید نیوبیوم در یک میدان مغناطیسی به شدت دچار تغییر می‌شود، چرا که حاملان بار الکتریکی توسط پدیده‌ای به نام نیروی لورنتس منحرف می‌شوند. این نیرو باعث می‌شود درصد زیادی از الکترون‌ها در خلاف جهت میدان مغناطیسی حرکت کنند که این موضوع باعث افزایش مقاومت الکتریکی می‌شود. این ویژگی با عنوان مقاومت مغناطیسی شناخته می‌شود. الکترون‌های فوق سریع مقاومت مغناطیسی را به شدت تغییر می‌دهند. بینگای یان، محقق موسسه مکس پلانک اظهارکرد: هرچه الکترون‌های یک ماده سریعتر حرکت کنند، نیروی لورنتس بزرگتر می‌شود و در نتیجه اثر میدان مغناطیسی افزایش می‌یابد. بنابراین وی و همکارانش درصدد بررسی ترکیبی از فسفر و نیوبیوم برآمدند. این ماده حاوی حاملان الکترون‌های فوق سریع است که با عنوان الکترون‌های نسبیتی شناخته می‌شوند. سرعت این الکترون‌ها معادل یک هزارم سرعت نور یعنی 300 کیلومتر در ثانیه است. بینگای یان معتقد است که طراحی ماهرانه مواد، اثر کشف شده در فسفید نیوبیوم را بهبود می‌بخشد. بنابراین این دسته از مواد پتانسیل زیادی برای کاربردهای آینده در حوزه فناوری اطلاعات دارند. این یافته‌ها در مجله Nature Physics منتشر شده است. انتهای پیام
این صفحه را در گوگل محبوب کنید
[ارسال شده از: ایسنا]
[مشاهده در: www.isna.ir]
[تعداد بازديد از اين مطلب: 32]
-
علم و فناوری
پربازدیدترینها