تور لحظه آخری
امروز : یکشنبه ، 10 تیر 1403    احادیث و روایات:  امام صادق (ع):آغاز سال (حساب اعمال) شب قدر است. در آن شب برنامه سال آينده نوشته مى‏شود. 
سرگرمی سبک زندگی سینما و تلویزیون فرهنگ و هنر پزشکی و سلامت اجتماع و خانواده تصویری دین و اندیشه ورزش اقتصادی سیاسی حوادث علم و فناوری سایتهای دانلود گوناگون شرکت ها

تبلیغات

تبلیغات متنی

اتاق فرار

خرید ووچر پرفکت مانی

تریدینگ ویو

کاشت ابرو

لمینت دندان

ونداد کولر

صرافی ارکی چنج

صرافی rkchange

دانلود سریال سووشون

دانلود فیلم

ناب مووی

رسانه حرف تو - مقایسه و اشتراک تجربه خرید

سرور اختصاصی ایران

تور دبی

دزدگیر منزل

تشریفات روناک

اجاره سند در شیراز

قیمت فنس

armanekasbokar

armanetejarat

پیچ و مهره

طراحی کاتالوگ فوری

دانلود کتاب صوتی

تعمیرات مک بوک

Future Innovate Tech

آموزشگاه آرایشگری مردانه شفیع رسالت

پی جو مشاغل برتر شیراز

قیمت فرش

آموزش کیک پزی در تهران

لوله بازکنی تهران

کاشت پای مصنوعی

میز جلو مبلی

پراپ رابین سود

هتل 5 ستاره شیراز

آراد برندینگ

رنگ استخری

سایبان ماشین

قالیشویی در تهران

مبل استیل

بهترین وکیل تهران

شرکت حسابداری

نظرسنجی انتخابات 1403

استعداد تحلیلی

کی شاپ

خرید دانه قهوه

دانلود رمان

وکیل کرج

آمپول بیوتین بپانتین

پرس برک

بهترین پکیج کنکور

خرید تیشرت مردانه

خرید نشادر

خرید یخچال خارجی

وکیل تبریز

اجاره سند

وام لوازم خانگی

نتایج انتخابات ریاست جمهوری

خرید سی پی ارزان

 






آمار وبسایت

 تعداد کل بازدیدها : 1803026402




هواشناسی

نرخ طلا سکه و  ارز

قیمت خودرو

فال حافظ

تعبیر خواب

فال انبیاء

متن قرآن



اضافه به علاقمنديها ارسال اين مطلب به دوستان آرشيو تمام مطالب
 refresh

تحقق امکان رشد نانوساختارهای سوراخدار و توخالی در دانشگاه تهران


واضح آرشیو وب فارسی:ایسنا: یکشنبه ۱۳ بهمن ۱۳۹۲ - ۱۰:۰۸




IMAGE63.jpg

پژوهشگران دانشگاه تهران با استفاده از ترکیب دو ماده طلا و نیکل بعنوان کاتالیست رشد، امکان رشد نانوساختارهای سوراخدار و توخالی را محقق کردند. به گزارش سرویس علمی ایسنا، روش استفاده شده به‌ وسیله‌ این محققان قبلا برای تولید نانوسیم‌های سیلیکاتی مورد استفاده قرار گرفته بود، اما امکان رشد این نانوساختار تاکنون محقق نشده بود. به نوشته سایت نانو، دکتر مهاجرزاده، محقق این طرح در مورد این تحقیقات گفت: این تحقیق بخشی از کار پایان‌نامه دوره کارشناسی ارشد دو نفر از دانشجویان من بوده است و در واقع بخشی از یک کار بزرگتر در راستای ایجاد ترانزیستورهای عمودی اثر میدان با قابلیت گذردهی المان‌های کوچک مانند DNA و حساسیت به مقدار بار آن‌هاست. البته گذر ذرات کوچک مانند نانوذرات نیز می‌تواند در مقدار جریان آن‌ها نقش داشته باشد. به هر حال هدف ساخت نانولوله‌های سیلیکانی است. وی تصریح کرد: هدف اصلی این تحقیقات بر پایه ایجاد نانولوله‌های سیلیکانی بدون Template و نیز با استفاده از رشد به روش VLS) Vapor-Liquid-Solid) یا SLS) Solid-Liquid-Solid) بوده است. این در حالی است که این روش‌ها قبلا برای ایجاد نانو وایرهای سیلیکانی استفاده شده بودند، اما امکان رشد نانوساختارهای سوراخدار و توخالی محقق نشده‌اند. با استفاده از ترکیب دو ماده طلا و نیکل بعنوان کاتالیست رشد، این عمل محقق شده است. وی خاطرنشان کرد: در این پروژه نانولوله‌های سیلیکانی به روش بسیار تکرار‌پذیر و نسبتا آسان ایجاد شده‌اند. لازم بذکر است که نانولوله‌های کربنی سال‌هاست که ایجاد می‌شوند، ولی ایجاد نانولوله‌های سیلیکانی محقق نشده است. مهاجرزاده ادامه داد: از طرف دیگر این ساختارها به‌ دلیل خواص منحصر بفرد سیلیکان از آینده خوبی برخوردار هستند که از آن میان ساخت نسبتا آسان ترانزیستورهای اثر میدان به‌ وسیله‌ی آن‌ها است. به علاوه این نانولوله‌ها قابلیت بازشدن (Unzip) به‌ وسیله‌ی جریان الکترونی که در میکروسکوپ الکترونی استفاده می‌شود را دارند. لذا ساخت نانونوار‌های سیلیکانی نیز آسان است. وی افزود: در مجموع این روش بر اساس استفاده هوشمندانه از دو کاتالیست طلا و نیکل است و هر کدام از این دو ترکیب می‌تواند نقش خود را در ایجاد لوله و یا انتقال اتم‌های سیلیکان بازی کند. هنوز هم موارد بسیار زیادی ناشناخته هستند که نیاز به زمان بیشتری دارند. وی با اشاره به مراحل انجام این تحقیقات گفت: بستر مورد استفاده Silicon با جهت بلوری (100) است که بعد از تمیز کردن در مراحل مختلف و به‌ وسیله‌ی محلول استاندارد RCA عملیات لایه نشانی انجام می‌شود. لایه نشانی منظم لایه‌های طلا و نیکل به ضخامت‌هایی در مقیاس چند نانومتری به‌ صورت دو لایه و یا چند لایه از مسائل کلیدی این پروژه بوده است که به‌ وسیله‌ی سامانه بخار فیزیکی به کمک اشعه الکترونی محقق شده است. محقق طرح اظهار کرد: بعد از لایه نشانی لایه دو-فلزی نمونه در دستگاه LPCVD که همان لایه نشانی بخار شیمیایی در فشار پایین است، قرار داده شده است که با انجام رشد در دمایی در حد 400 تا 500 درجه سانتگیراد امکان رشد نانولوله‌های سیلیکانی محقق می‌شود. لازم بذکر است که در زمان رشد می‌توان از گاز هیدروژن و سیلان استفاده کرد. وی تصریح کرد: نتایج این تحقیقات به‌ صورت مستقیم در الکترونیک و بیوالکترونیک کاربرد دارد. به گفته مهاجرزاده، در صورتی که بتوان لوله‌هایی با قطر بسیار کم و نیز طول مناسب ایجاد کرد، امکان ساخت ترانزیستورهای اثر میدان با گیت (کنترل کننده) شناور از درون محقق خواهد شد. در این صورت با عبور هر گونه موجود بسیار کوچک و باردار مانند DNA جریان ترانزیستور تغییر کرده و قابل اندازه‌گیری خواهد بود. با توجه به ابعاد بسیار کوچک این قطعه می‌توان DNA را به‌ صورت همراستا در آورد تا اطلاعات مربوط به Sequencing تکمیل شود. مهاجرزاده در پایان با اشاره به ادامه یافتن این تحقیقات و ابراز امیدواری از آینده نتایج آن افزود: در صورت موفقیت کامل این پروژه می‌تواند پل ورود کشور به عرصه نانوالکترونیک باشد زیرا علاوه‌ بر کاربرد در ادوات الکترونیکی می‌تواند در زمینه بیوالکترونیک کاربرد داشته باشد. البته لازم بذکر است که بخشی از این تحقیقات در دست انجام و در مراحل ثبت است و امکان ارائه دقیق مطالب وجود ندارد. این کار تحقیقاتی توسط مهندس محمد تقی نژاد و مهندس حسین تقی نژاد، دکتر محمد عبدالاحد و دکتر مهاجرزاده صورت گرفته و به عنوان یکی از چند مقاله برتر در ستاد ویژه توسعه فناوری نانو نیز انتخاب شده است. همچنین یکی از نتایج اخیر این پژوهش در قالب مقاله ISI در مجله Nano letters منتشر شده است. انتهای پیام
کد خبرنگار:







این صفحه را در گوگل محبوب کنید

[ارسال شده از: ایسنا]
[مشاهده در: www.isna.ir]
[تعداد بازديد از اين مطلب: 39]

bt

اضافه شدن مطلب/حذف مطلب







-


گوناگون

پربازدیدترینها
طراحی وب>


صفحه اول | تمام مطالب | RSS | ارتباط با ما
1390© تمامی حقوق این سایت متعلق به سایت واضح می باشد.
این سایت در ستاد ساماندهی وزارت فرهنگ و ارشاد اسلامی ثبت شده است و پیرو قوانین جمهوری اسلامی ایران می باشد. لطفا در صورت برخورد با مطالب و صفحات خلاف قوانین در سایت آن را به ما اطلاع دهید
پایگاه خبری واضح کاری از شرکت طراحی سایت اینتن