واضح آرشیو وب فارسی:میزان: خبرگزاری میزان- پژوهشگران واحد علوم و تحقیقات دانشگاه آزاد، به منظور ایجاد فیلم های نانوساختار از روشی استفاده کرده اند که در زمان اندک و در دمای محیط قادر به تولید این فیلم ها است.به گزارش گروه اجتماعی خبرگزاری میزان، محمدتقی حسین نژاد محقق و دانشجوی دکترای این واحد دانشگاهی در رابطه با این پروژه گفت: در دهه های گذشته نانو ساختارها و لایه های نازک اکسید روی به دلیل ویژگی های مناسب توجه زیادی رابه خود معطوف کرده اند. اکسید روی یک گزینه مطلوب برای دستگاه های نوری با طول موج کوتاه است. همچنین ساختارهای مبتنی بر اکسید روی در حوزه های مختلف همانند آشکارسازهای UV ، حسگرها، فیلترها و سلول های خورشیدی نیز به کار می روند . وی با بیان اینکه انواع زیادی از روش ها برای ساخت فیلم های نازک اکسید روی استفاده شده است. از جمله آنها می توان به رسوب لیزر پالسی، رسوب لیزر اتمی، رسوب بخار شیمیایی و سل - ژل اشاره کرد، ادامه داد: این پژوهش ها به منظور بررسی اثر روش ساخت و عوامل دخیل در آن بر خواص ساختاری، ظاهری، نوری و الکتریکی فیلم های نازک اکسید روی انجام شده است. در این تحقیق، تلاش شده تا تولید فیلم نازک اکسید روی در دمای محیط، با استفاده از دستگاه پلاسمای کانونی (Plasma Focus) مورد ارزیابی قرار گیرد . به گفته حسین نژاد، استفاده از دستگاه پلاسمای کانونی (PF) به منظور رشد لایه های نازک روشی است که به تازگی مورد توجه محققان قرار گرفته است. این روش بر اساس کندوپاش نانوذرات روی (Zn) و برهمکنش های شیمیایی آنها با یون های اکسیژن حاصل از فروپاشی پلاسمای داغ اکسیژن است که در دستگاه پلاسمای کانونی تولید می شود . وی در ادامه درباره مزایای این روش افزود: یکی از ویژگی های منحصر به فرد رشد لایه های نازک با استفاده از دستگاه پلاسمای کانونی، عدم نیاز به گرم کننده به منظور گرم کردن زیرلایه است. ضمناً رشد لایه با ضخامت دلخواه و چسبندگی قابل توجه در زمان اندک، از دیگر مزایای این روش محسوب می شود. در بسیاری از روش های دیگر لایه نشانی، این امر جزو مشکلات فرایند رشد لایه محسوب می شود . وی تصریح کرد: در این تحقیق لایه های اکسید روی با ضخامت های مختلف رشد داده شده اند و اثر تغییرات ضخامت بر خواص ساختاری، ظاهری، نوری و الکتریکی این لایه ها بررسی شده است. خواص ذکر شده به کمک روش های XRD ، SEM و AFM مورد ارزیابی قرار گرفته است. لازم به ذکر است که یکی از مهم ترین اهداف مجریان این طرح، امکان سنجی رشد لایه های اکسید روی با استفاده از این روش بوده است . به گفته این محقق واحد علوم و تحقیقات، نتایج این تحقیقات نشان داده که با استفاده از این روش می توان لایه های نازک اکسید روی را با ضخامت دلخواه روی سطح رشد داد. چسبندگی بسیار بالای لایه ها به علت انرژی بسیار بالای یون ها در حین فرایند لایه نشانی رخ داده است. همچنین با تغییر در تعداد شات ها، خواص لایه ها متفاوت می شود. این در حالی است که آزمون های مرتبط با خواص نوری و الکتریکی لایه نشان می دهد که با افزایش تعداد شات ها، رسانندگی الکتریکی و پهنای انرژی دستخوش تغییرات چشمگیری می شوند . حسین نژاد معتقد است از آنجا که در این روش ذرات یونی و اتمی با انژی بسیار بالایی با سطح زیرلایه برخورد می کنند، می توان از آن برای برخی محصولات میکروالکترونیک که نیازمند کاشت یون با انرژی و عمق نفوذ بالایی هستند استفاده کرد. همچنین این روش به دلیل کندوپاش با حجم زیاد و زمان بسیار اندک می تواند به منظور رشد لایه های ضخیم نیز به کار رود . این تحقیقات حاصل همکاری حسین نژاد، دانشجوی دکترای فیزیک پلاسما، مرضیه شیرازی دانشجوی دکترای مهندسی فناوری نانو، محمود قرآن نویس رئیس مرکز تحقیقات فیزیک پلاسمای واحد علوم و تحقیقات ، محمدرضا حنطه زاده و الهام دارابی از اعضای هیئت علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات است . انتهای پیام/
دوشنبه ، ۱۱آبان۱۳۹۴
[مشاهده متن کامل خبر]
این صفحه را در گوگل محبوب کنید
[ارسال شده از: میزان]
[تعداد بازديد از اين مطلب: 24]