تور لحظه آخری
امروز : جمعه ، 18 آبان 1403    احادیث و روایات:  امام علی (ع):زبان، درنده اى است كه اگر رها شود، گاز مى گيرد.
سرگرمی سبک زندگی سینما و تلویزیون فرهنگ و هنر پزشکی و سلامت اجتماع و خانواده تصویری دین و اندیشه ورزش اقتصادی سیاسی حوادث علم و فناوری سایتهای دانلود گوناگون شرکت ها

تبلیغات

تبلیغات متنی

صرافی ارکی چنج

صرافی rkchange

سایبان ماشین

دزدگیر منزل

تشریفات روناک

اجاره سند در شیراز

قیمت فنس

armanekasbokar

armanetejarat

صندوق تضمین

Future Innovate Tech

پی جو مشاغل برتر شیراز

لوله بازکنی تهران

آراد برندینگ

موسسه خیریه

واردات از چین

حمية السكري النوع الثاني

ناب مووی

دانلود فیلم

بانک کتاب

دریافت دیه موتورسیکلت از بیمه

قیمت پنجره دوجداره

بازسازی ساختمان

طراحی سایت تهران سایت

irspeedy

درج اگهی ویژه

تعمیرات مک بوک

دانلود فیلم هندی

قیمت فرش

درب فریم لس

زانوبند زاپیامکس

روغن بهران بردبار ۳۲۰

قیمت سرور اچ پی

خرید بلیط هواپیما

بلیط اتوبوس پایانه

قیمت سرور dl380 g10

تعمیرات پکیج کرج

لیست قیمت گوشی شیائومی

خرید فالوور

پوستر آنلاین

بهترین وکیل کرج

بهترین وکیل تهران

اوزمپیک چیست

خرید اکانت تریدینگ ویو

خرید از چین

خرید از چین

تجهیزات کافی شاپ

نگهداری از سالمند شبانه روزی در منزل

بی متال زیمنس

ساختمان پزشکان

ویزای چک

محصولات فوراور

خرید سرور اچ پی ماهان شبکه

دوربین سیمکارتی چرخشی

همکاری آی نو و گزینه دو

کاشت ابرو طبیعی و‌ سریع

الک آزمایشگاهی

الک آزمایشگاهی

 






آمار وبسایت

 تعداد کل بازدیدها : 1827524007




هواشناسی

نرخ طلا سکه و  ارز

قیمت خودرو

فال حافظ

تعبیر خواب

فال انبیاء

متن قرآن



اضافه به علاقمنديها ارسال اين مطلب به دوستان آرشيو تمام مطالب
 refresh

فناوری محققان ایرانی در تولید نانوفیلم‌های اکسید روی به کمک دستگاه پلاسمای کانونی


واضح آرشیو وب فارسی:ایسنا: شنبه ۹ آبان ۱۳۹۴ - ۰۹:۵۵




2-3.jpg

پژوهشگران دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات، به منظور ایجاد فیلم‌های نانوساختار از روشی استفاده کرده‌اند که در زمان اندک و در دمای محیط قادر به تولید این فیلم‌هاست. در این تحقیقات اثر ضخامت بر خواص الکترونیکی و نوری این فیلم‌ها مورد بررسی قرار گرفته است. به گزارش سرویس فناوری ایسنا، در دهه‌های گذشته نانو ساختارها و لایه‌های نازک اکسید روی به دلیل ویژگی‌های مناسب توجه زیادی را به خود معطوف کرده‌اند. اکسید روی یک گزینه‌ مطلوب برای دستگاه‌های نوری با طول موج کوتاه است. همچنین ساختارهای مبتنی بر اکسید روی در حوزه‌های مختلف همانند آشکارسازهای UV، حسگرها، فیلترها و سلول‌های خورشیدی نیز به کار می‌روند. انواع زیادی از روش‌ها برای ساخت فیلم‌های نازک اکسید روی استفاده شده است. از جمله‌ آن‌ها می‌توان به رسوب لیزر پالسی، رسوب لیزر اتمی، رسوب بخار شیمیایی و سل - ژل اشاره کرد. این پژوهش‌ها به منظور بررسی اثر روش ساخت و عوامل دخیل در آن بر خواص ساختاری، ظاهری، نوری و الکتریکی فیلم‌های نازک اکسیدروی انجام شده است. در این تحقیق، تلاش شده تا تولید فیلم‌ نازک اکسید روی در دمای محیط، با استفاده از دستگاه پلاسمای کانونی (Plasma Focus) مورد ارزیابی قرار گیرد. به گفته‌ محمدتقی حسین نژاد، استفاده از دستگاه پلاسمای کانونی(PF) به منظور رشد لایه‌های نازک روشی است که به تازگی مورد توجه محققین قرار گرفته است. این روش بر اساس کندوپاش نانوذرات روی (Zn) و برهمکنش‌های شیمیایی آن‌ها با یون‌های اکسیژن حاصل از فروپاشی پلاسمای داغ اکسیژن است که در دستگاه پلاسمای کانونی تولید می‌شود. وی در ادامه در خصوص مزایای این روش افزود: «یکی از ویژگی‌های منحصر به فرد رشد لایه‌های نازک با استفاده از دستگاه پلاسمای کانونی، عدم نیاز به گرم کننده به منظور گرم کردن زیرلایه است. ضمناً رشد لایه با ضخامت دلخواه و چسبندگی قابل توجه در زمان اندک، از دیگر مزایای این روش محسوب می‌شود. در بسیاری از روش‌های دیگر لایه نشانی، این امر جزو مشکلات فرایند رشد لایه محسوب می‌شود.» در این تحقیق لایه‌های اکسید روی با ضخامت‌های مختلف رشد داده شده‌اند و اثر تغییرات ضخامت بر خواص ساختاری، ظاهری، نوری و الکتریکی این لایه‌ها بررسی شده است. خواص ذکر شده به کمک روش‌های XRD، SEM و AFM مورد ارزیابی قرار گرفته است. لازم به ذکر است که یکی از مهم‌ترین اهداف مجریان این طرح، امکان سنجی رشد لایه‌های اکسید روی با استفاده از این روش بوده است. به گفته‌ حسین نژاد، نتایج نشان داده که با استفاده از این روش می‌توان لایه‌های نازک اکسید روی را با ضخامت دلخواه بر روی سطح رشد داد. بررسی‌های ساختاری و ظاهری نمونه‌ها نیز نشانگر کیفیت مطلوب آن‌ها بود. چسبندگی بسیار بالای لایه‌ها به علت انرژی بسیار بالای یون‌ها در حین فرایند لایه نشانی رخ داده است. همچنین با تغییر در تعداد شات‌ها، خواص لایه‌ها متفاوت می‌شود این در حالی است که آزمون‌های مرتبط با خواص نوری و الکتریکی لایه نشان می‌دهد که با افزایش تعداد شات‌ها، رسانندگی الکتریکی و پهنای انرژی دستخوش تغییرات چشمگیری می‌شوند. حسین نژاد معتقد است ازآنجا که در این روش ذرات یونی و اتمی با انژی بسیار بالایی با سطح زیرلایه برخورد می‌کنند، می‌توان از آن برای برخی محصولات میکروالکترونیک که نیازمند کاشت یون با انرژی و عمق نفوذ بالایی هستند استفاده کرد. همچنین این روش به دلیل کندوپاش با حجم زیاد و زمان بسیار اندک می‌تواند به منظور رشد لایه‌های ضخیم نیز به کار رود. این تحقیقات حاصل همکاری محمدتقی حسین نژاد، دانشجوی دکترای فیزیک پلاسما، مرضیه شیرازی، دانشجوی دکترای مهندسی فناوری نانو، پروفسور محمود قرآن نویس، دکتر محمدرضا حنطه زاده و دکتر الهام دارابی، اعضای هیأت علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران، است. نتایج این کار در مجله‌ Ceramics International (جلد 41، سال 2015، صفحات 15024 تا 15033) به چاپ رسیده است. انتهای پیام








این صفحه را در گوگل محبوب کنید

[ارسال شده از: ایسنا]
[مشاهده در: www.isna.ir]
[تعداد بازديد از اين مطلب: 32]

bt

اضافه شدن مطلب/حذف مطلب







-


علم و فناوری

پربازدیدترینها
طراحی وب>


صفحه اول | تمام مطالب | RSS | ارتباط با ما
1390© تمامی حقوق این سایت متعلق به سایت واضح می باشد.
این سایت در ستاد ساماندهی وزارت فرهنگ و ارشاد اسلامی ثبت شده است و پیرو قوانین جمهوری اسلامی ایران می باشد. لطفا در صورت برخورد با مطالب و صفحات خلاف قوانین در سایت آن را به ما اطلاع دهید
پایگاه خبری واضح کاری از شرکت طراحی سایت اینتن