تبلیغات
تبلیغات متنی
محبوبترینها
قیمت انواع دستگاه تصفیه آب خانگی در ایران
نمایش جنگ دینامیت شو در تهران [از بیوگرافی میلاد صالح پور تا خرید بلیط]
9 روش جرم گیری ماشین لباسشویی سامسونگ برای از بین بردن بوی بد
ساندویچ پانل: بهترین گزینه برای ساخت و ساز سریع
خرید بیمه، استعلام و مقایسه انواع بیمه درمان ✅?
پروازهای مشهد به دبی چه زمانی ارزان می‌شوند؟
تجربه غذاهای فرانسوی در قلب پاریس بهترین رستوران‌ها و کافه‌ها
دلایل زنگ زدن فلزات و روش های جلوگیری از آن
خرید بلیط چارتر هواپیمایی ماهان _ ماهان گشت
سیگنال در ترید چیست؟ بررسی انواع سیگنال در ترید
بهترین هدیه تولد برای متولدین زمستان: هدیه‌های کاربردی برای روزهای سرد
صفحه اول
آرشیو مطالب
ورود/عضویت
هواشناسی
قیمت طلا سکه و ارز
قیمت خودرو
مطالب در سایت شما
تبادل لینک
ارتباط با ما
مطالب سایت سرگرمی سبک زندگی سینما و تلویزیون فرهنگ و هنر پزشکی و سلامت اجتماع و خانواده تصویری دین و اندیشه ورزش اقتصادی سیاسی حوادث علم و فناوری سایتهای دانلود گوناگون
مطالب سایت سرگرمی سبک زندگی سینما و تلویزیون فرهنگ و هنر پزشکی و سلامت اجتماع و خانواده تصویری دین و اندیشه ورزش اقتصادی سیاسی حوادث علم و فناوری سایتهای دانلود گوناگون
آمار وبسایت
تعداد کل بازدیدها :
1834127072
ساخت آزمایشگاهی نانوفیلم اکسید روی به کمک دستگاه پلاسمای کانونی
واضح آرشیو وب فارسی:سینا پرس: سیناپرس: پژوهشگران دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات، به منظور ایجاد فیلم های نانوساختار از روشی استفاده کرده اند که در زمان اندک و در دمای محیط قادر به تولید این فیلم هاست.در این تحقیقات اثر ضخامت بر خواص الکترونیکی و نوری این فیلم ها مورد بررسی قرار گرفته است. در دهه های گذشته نانو ساختارها و لایه های نازک اکسید روی به دلیل ویژگی های مناسب توجه زیادی رابه خود معطوف کرده اند. اکسید روی یک گزینه ی مطلوب برای دستگاه های نوری با طول موج کوتاه است. همچنین ساختارهای مبتنی بر اکسید روی در حوزه های مختلف همانند آشکارسازهای UV، حسگرها، فیلترها و سلول های خورشیدی نیز به کار می روند. پژوهشگران دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات، به منظور ایجاد فیلم های نانوساختار از روشی استفاده کرده اند که در زمان اندک و در دمای محیط قادر به تولید این فیلم هاست. در این تحقیقات اثر ضخامت بر خواص الکترونیکی و نوری این فیلم ها مورد بررسی قرار گرفته است. انواع زیادی از روش ها برای ساخت فیلم های نازک اکسید روی استفاده شده است. از جمله ی آن ها می توان به رسوب لیزر پالسی، رسوب لیزر اتمی، رسوب بخار شیمیایی و سل - ژل اشاره کرد. این پژوهش ها به منظور بررسی اثر روش ساخت و عوامل دخیل در آن بر خواص ساختاری، ظاهری، نوری و الکتریکی فیلم های نازک اکسیدروی انجام شده است. در این تحقیق، تلاش شده تا تولید فیلم نازک اکسید روی در دمای محیط، با استفاده از دستگاه پلاسمای کانونی (Plasma Focus) مورد ارزیابی قرار گیرد. به گفته ی محمدتقی حسین نژاد، استفاده از دستگاه پلاسمای کانونی(PF) به منظور رشد لایه های نازک روشی است که به تازگی مورد توجه محققین قرار گرفته است. این روش بر اساس کندوپاش نانوذرات روی (Zn) و برهمکنش های شیمیایی آن ها با یون های اکسیژن حاصل از فروپاشی پلاسمای داغ اکسیژن است که در دستگاه پلاسمای کانونی تولید می شود. وی در ادامه در خصوص مزایای این روش افزود: «یکی از ویژگی های منحصر به فرد رشد لایه های نازک با استفاده از دستگاه پلاسمای کانونی، عدم نیاز به گرم کننده به منظور گرم نمودن زیرلایه است. ضمناً رشد لایه با ضخامت دلخواه و چسبندگی قابل توجه در زمان اندک، از دیگر مزایای این روش محسوب می شود. در بسیاری از روش های دیگر لایه نشانی، این امر جزو مشکلات فرایند رشد لایه محسوب می شود.» در این تحقیق لایه های اکسید روی با ضخامت های مختلف رشد داده شده اند و اثر تغییرات ضخامت بر خواص ساختاری، ظاهری، نوری و الکتریکی این لایه ها بررسی گردیده است. خواص ذکر شده به کمک روش های XRD، SEM و AFM مورد ارزیابی قرار گرفته است. لازم به ذکر است که یکی از مهم ترین اهداف مجریان این طرح، امکان سنجی رشد لایه های اکسید روی با استفاده از این روش بوده است. به گفته ی حسین نژاد، نتایج نشان داده که با استفاده از این روش می توان لایه های نازک اکسید روی را با ضخامت دلخواه بر روی سطح رشد داد. بررسی های ساختاری و ظاهری نمونه ها نیز نشانگر کیفیت مطلوب آن ها بود. چسبندگی بسیار بالای لایه ها به علت انرژی بسیار بالای یون ها در حین فرایند لایه نشانی رخ داده است. همچنین با تغییر در تعداد شات ها، خواص لایه ها متفاوت می شود. این در حالی است که آزمون های مرتبط با خواص نوری و الکتریکی لایه نشان می دهد که با افزایش تعداد شات ها، رسانندگی الکتریکی و پهنای انرژی دستخوش تغییرات چشمگیری می شوند. حسین نژاد معتقد است، ازآنجا که در این روش ذرات یونی و اتمی با انژی بسیار بالایی با سطح زیرلایه برخورد می کنند، می توان از آن برای برخی محصولات میکروالکترونیک که نیازمند کاشت یون با انرژی و عمق نفوذ بالایی هستند استفاده کرد. همچنین این روش به دلیل کندوپاش با حجم زیاد و زمان بسیار اندک می تواند به منظور رشد لایه های ضخیم نیز به کار رود. به گزارش ستاد توسعه فناوری نانو،این تحقیقات حاصل همکاری محمدتقی حسین نژاد، دانشجوی دکترای فیزیک پلاسما، مرضیه شیرازی، دانشجوی دکترای مهندسی فناوری نانو، پروفسور محمود قرآن نویس، دکتر محمدرضا حنطه زاده و دکتر الهام دارابی، اعضای هیأت علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران، است. نتایج این کار در مجله ی Ceramics International (جلد 41، سال 2015، صفحات 15024 تا 15033) به چاپ رسیده است.
شنبه ، ۹آبان۱۳۹۴
[مشاهده متن کامل خبر]
این صفحه را در گوگل محبوب کنید
[ارسال شده از: سینا پرس]
[مشاهده در: www.sinapress.ir]
[تعداد بازديد از اين مطلب: 53]
-
گوناگون
پربازدیدترینها