آموزشگاه آرایشگری مردانه شفیع رسالت
دکتر علی پرند فوق تخصص جراحی پلاستیک
بهترین دکتر پروتز سینه در تهران
دستگاه آب یونیزه قلیایی کره‌ای
راهنمای انتخاب شرکت‌های معتبر باربری برای حمل مایعات در ایران
چگونه اینورتر های صنعتی را عیب یابی و تعمیر کنیم؟
جاهای دیدنی قشم در شب که نباید از دست بدهید
سیگنال سهام چیست؟ مزایا و معایب استفاده از سیگنال خرید و فروش سهم
کاغذ دیواری از کجا بخرم؟ راهنمای جامع خرید کاغذ دیواری با کیفیت و قیمت مناسب
بهترین ماساژورهای برقی برای دیسک کمر در بازار ایران
بهترین ماساژورهای برقی برای دیسک کمر در بازار ایران
آفریقای جنوبی چگونه کشوری است؟
بهترین فروشگاه اینترنتی خرید کتاب زبان آلمانی: پیک زبان
با این روش ساده، فروش خود را چند برابر کنید (تست‌شده و 100٪ عملی)
خصوصیات نگین و سنگ های قیمتی از نگاه اسلام
مطالب سایت سرگرمی سبک زندگی سینما و تلویزیون فرهنگ و هنر پزشکی و سلامت اجتماع و خانواده تصویری دین و اندیشه ورزش اقتصادی سیاسی حوادث علم و فناوری سایتهای دانلود گوناگون
تعداد کل بازدیدها :
1870922516
طراحی ماده جدید برای ارتقای فوق‌العاده دستگاههای الکترونیکی
واضح آرشیو وب فارسی:ایسنا: شنبه ۲۷ دی ۱۳۹۳ - ۰۹:۳۰
مهندسین مواد دانشگاه وسیکانسین مدیسون موفق به ساخت ترانزیستورهای نانولوله کربنی با بالاترین میزان عملکرد مشاهده شده تاکنون شده‌اند که جهش چشمگیری در جهت ساخت لوازم الکترونیکی منعطف با عمر باتری ارتقایافته محسوب می‌شود. به گزارش سرویس علمی ایسنا، نانولوله‌های کربنی به عنوان یکی از بهترین رساناهای الکتریکی کشف شده تاکنون از مدتها قبل به عنوان یک ماده نویدبخش برای ترانزیستورهای نسل آینده شناخته شده بوده‌اند. این مواد بسیار قوی و منعطف هستند و حتی می‌توانند برای ساخت نمایشگرها و لوازم الکترونیکی منعطف با قابلیت کشیده شدن و تا شدن مورد استفاده قرار بگیرند. محققان موفق به ساخت ترانزیستورهایی با ضریب خاموش-روشن 1000 برابر بهتر و رسانایی 100 برابر بهتر از ترانزیستورهای قبلی نانولوله کربنی شده‌اند. این فناوری علاوه بر هموار کردن راه برای دستگاههای الکترونیکی مصرفی، همچنین می‌تواند کاربردهای ویژه‌ای در برنامه‌های صنعتی و نظامی داشته باشد. این کشف همچنین محققان را به درک ترانزیستورهای نانولوله کربنی به عنوان یک جایگزین عملی برای ترانزیستورهای سیلیکونی موجود در تراشه‌های رایانه‌ای و دستگاههای ارتباطی فرکانس بالا نزدیک کرد. این پژوهش در مجله ACS Nano منتشر شده است. انتهای پیام
کد خبرنگار:
این صفحه را در گوگل محبوب کنید
-