تبلیغات
تبلیغات متنی
رسانه حرف تو - مقایسه و اشتراک تجربه خرید
آموزشگاه آرایشگری مردانه شفیع رسالت
تاثیر رنگ لباس بر تعاملات انسانی
محبوبترینها
بررسی دلایل قانع کننده برای خرید صنایع دستی اصفهان
راه های جلوگیری از جریمه های قبض برق
آشنایی با سایت قو ایران بهترین سایت آگهی و تبلیغات در کشور
بهترین شرکت‌های مهندسی در آلمان
صفر تا صد حق بیمه 1403! فرمول محاسبه حق بیمه
نقش هدایای سازمانی در افزایش انگیزه و تعهد کارکنان
کلینیک پروتز و ساخت اندام مصنوعی دکتر اجرائی
چگونه می‌توانیم با ترانسفر وایز پول جابجا کنیم؟
بهترین مدل‌های [صندلی گیمینگ] براساس نقد و بررسی کاربران
صفحه اول
آرشیو مطالب
ورود/عضویت
هواشناسی
قیمت طلا سکه و ارز
قیمت خودرو
مطالب در سایت شما
تبادل لینک
ارتباط با ما
مطالب سایت سرگرمی سبک زندگی سینما و تلویزیون فرهنگ و هنر پزشکی و سلامت اجتماع و خانواده تصویری دین و اندیشه ورزش اقتصادی سیاسی حوادث علم و فناوری سایتهای دانلود گوناگون
مطالب سایت سرگرمی سبک زندگی سینما و تلویزیون فرهنگ و هنر پزشکی و سلامت اجتماع و خانواده تصویری دین و اندیشه ورزش اقتصادی سیاسی حوادث علم و فناوری سایتهای دانلود گوناگون
آمار وبسایت
تعداد کل بازدیدها :
1804622210
ساخت ترانزیستورهای گرافنی با اصول عملکردی جدید
واضح آرشیو وب فارسی:ایسنا: پنجشنبه ۱ اسفند ۱۳۹۲ - ۰۹:۵۷
محققان موسسه ملی علوم صنعتی پیشرفته و فناوری (AIST)، با همکاری مرکز نوآوری نانوابزارهای پیشرفته، موفق به ساخت ترانزیستور گرافنی با اصول عملکردی جدید شده‌اند. به گزارش سرویس علمی ایسنا، در این ترانزیستور پیشرفته، دو الکترود و دو گیت بالا بر روی گرافن قرار داده شدند و گرافنِ بین گیت‌های بالایی به منظور ایجاد نقص‌های بلوری با پرتو یون هلیوم مورد تابش قرار گرفت. به نوشته سایت نانو، بایاس‌های گیت بطور مستقل به دو گیت بالایی اعمال می‌شوند و بدین وسیله حامل‌های چگالی در نواحی گرافنی گیت بالا بطور موثری کنترل می‌شوند. در این تحقیق نسبت جریان الکتریکی روشن به خاموش با حداکثر چهار برابر مقدار، در 200 درجه کلوین ثابت نگه داشته شد. همچنین قطبیت ترانزیستور می‌تواند بصورت الکتریکی کنترل و یا معکوس شود؛ چیزی که تاکنون برای ترانزیستورها ممکن نبود. این فناوری را می‌توان در تولید مدارهای مجتمع پایه سیلیکونی رایج نیز استفاده کرد و انتظار می‌رود در آینده با استفاده از آن بتوان وسایل الکترونیکی با مصرف انرژی فوق‌العاده کم با کاهش ولتاژ عملکردی ساخت. در این ترانزیستور، به منظور ایجاد یک گپ انتقالی در گرافن موجود در کانال بین دو گیت بالا با تاباندن یون هلیوم توسط یک میکروسکوپ یون هلیوم، برای ایجاد نقص‌های بلوری استفاده شد. باند انرژی گرافن دو سمت کانال می‌تواند با کنترل الکترواستاتیک (اعمال بایاس به گیت‌های بالا) تنظیم شود. بسته به قطبیت بایاس‌های اعمال شده به گیت‌های بالایی، قطبیت حامل‌های موجود در گرافن می‌تواند بین نوع n و نوع p تغییر کند. زمانی که قطبیت دو سمت کانال متفاوت باشد، ترانزیستور در حالت خاموش و زمانی که قطبیت دو سمت یکسان باشد، ترانزیستور در حالت روشن قرار دارد. در این ترانزیستور پیشرفته، طول کانال که معمولا باعث بدتر شدن تحرک می‌شود، می‌تواند کوتاه‌تر از ترانزیستورهای رایج باشد. علاوه بر این، از آنجایی که در این ترانزیستورها با گپ انتقالی کوچک می‌توان به صورت کارآمد به حالت خاموش رسید، بنابراین گپ انتقالی می‌تواند کوچک‌تر از دستگاه‌های رایج ساخته شود. با توجه به خواص ذکر شده، عملکرد نسبت روشن به خاموش این ترانزیستورها می‌تواند سریع‌تر از ترانزیستورهای رایج عمل کند و در نتیجه اعتقاد بر این است که یک مدار مجتمع مقیاس بزرگ با مصرف انرژی کمتر با کاهش ولتاژ عملکردی می‌تواند ساخته شود. همچنین این ترانزیستورها می‌توانند با فناوری رایج ساخت مدارات مجتمع سیلیکونی (مانند فرآیندهای لیتوگرافی، رسوب‌دهی و دوپ کردن) و حتی به راحتی در ابعاد ویفر ساخته شوند. انتهای پیام
کد خبرنگار:
این صفحه را در گوگل محبوب کنید
[ارسال شده از: ایسنا]
[مشاهده در: www.isna.ir]
[تعداد بازديد از اين مطلب: 53]
-
گوناگون
پربازدیدترینها