تبلیغات
تبلیغات متنی
محبوبترینها
ماندگاری بیشتر محصولات باغ شما با این روش ساده!
بارش‌های سیل‌آسا در راه است! آیا خانه شما آماده است؟
بارش‌های سیل‌آسا در راه است! آیا خانه شما آماده است؟
قیمت انواع دستگاه تصفیه آب خانگی در ایران
نمایش جنگ دینامیت شو در تهران [از بیوگرافی میلاد صالح پور تا خرید بلیط]
9 روش جرم گیری ماشین لباسشویی سامسونگ برای از بین بردن بوی بد
ساندویچ پانل: بهترین گزینه برای ساخت و ساز سریع
خرید بیمه، استعلام و مقایسه انواع بیمه درمان ✅?
پروازهای مشهد به دبی چه زمانی ارزان می‌شوند؟
تجربه غذاهای فرانسوی در قلب پاریس بهترین رستوران‌ها و کافه‌ها
دلایل زنگ زدن فلزات و روش های جلوگیری از آن
صفحه اول
آرشیو مطالب
ورود/عضویت
هواشناسی
قیمت طلا سکه و ارز
قیمت خودرو
مطالب در سایت شما
تبادل لینک
ارتباط با ما
مطالب سایت سرگرمی سبک زندگی سینما و تلویزیون فرهنگ و هنر پزشکی و سلامت اجتماع و خانواده تصویری دین و اندیشه ورزش اقتصادی سیاسی حوادث علم و فناوری سایتهای دانلود گوناگون
مطالب سایت سرگرمی سبک زندگی سینما و تلویزیون فرهنگ و هنر پزشکی و سلامت اجتماع و خانواده تصویری دین و اندیشه ورزش اقتصادی سیاسی حوادث علم و فناوری سایتهای دانلود گوناگون
آمار وبسایت
تعداد کل بازدیدها :
1837534533
راهبرد جدیدی برای ساخت ترانزیستورهای مبتنی بر نانولوله کربنی
واضح آرشیو وب فارسی:ایرنا:
فیسبوک تویتر Google+ Cloob راهبرد جدیدی برای ساخت ترانزیستورهای مبتنی بر نانولوله کربنی تهران-ایرنا- محققان چینی راهبرد جدیدی برای تولید ترانزیستورهای مبتنی بر نانولوله کربنی ارائه کردند که سهولت ساخت و کارایی بالا از مزیت های این مدار جدید است.
به گزارش ایرنا، پیش بینی ها نشان می دهد که الکترونیک مبتنی بر سیلیکون در حال رسیدن به محدودیت فیزیکی خود است و احتمالا تا سال 2020 به این حد برسد. بنابراین، برای تداوم روند کوچک سازی ادوات الکترونیکی باید به دنبال فناوری های جدید بود. یکی از این راهبردها، ساخت مستقیم ترانزیستورهای اثرمیدان روی نانولوله های کربنی است.
چنین قطعه ای، ابعادی در حد نانومتر خواهد داشت، هرچند که تولید این نوع ترانزیستور هنوز با چالش هایی روبرو است.
اخیرا مقاله ای درنشریه Nano Letters به چاپ رسیده است که در آن تیان پی و همکارانش از دانشگاه پیکینگ چین، روشی برای ساخت مدارهای پیچیده روی نانولوله های کربنی منفرد ارائه کردند.
این گروه تحقیقاتی سیستم باس هشت بیتی (مداری که به وفور برای انتقال اطلاعات کامپیوتری استفاده می شود) که شامل 46 ترانزیستور اثرمیدان است را روی شش نانولوله کربنی ایجاد کردند.
این پیچیده ترین IC مبتنی برنانولوله است که تاکنون ساخته شده است و انتظار می رود که بتوان مدارهای پیچیده تری را با این روش تولید کرد.
از سال 1998 که اولین ترانزیستور اثرمیدان مبتنی برنانولوله کربنی ساخته شد، پژوهش های زیادی روی بهبود کارایی آن ها انجام شده است.
همان طور که این محققان در مقاله خود توضیح دادند، نانولوله های کربنی نیمه هادی بهترین گزینه برای جایگزینی سیم های سیلیکونی هستند، دلیل این امر، نازک بودن آن ها و سرعت بالای حرکت الکترون در نانولوله های کربنی است.
با این حال الکترونیک مبتنی بر نانولوله کربنی با مشکلاتی روبرو است. یکی از این مشکلات، جدا کردن نانولوله های فلزی از نیمه هادی است، هر چند روش هایی برای این کار ارائه شده است، اما همه آن ها موجب آسیب دیدن نانولوله های نیمه هادی می شوند.
محققان برای حل این مشکل، به جای استفاده از یک نانولوله منفرد، از چند نانولوله استفاده کردند، این کار موجب پیچیده شدن ساختار ترانزیستور می شود.
پژوهشگران با استفاده از یک راهبرد جدید و یک ماژول دارای هشت ترانزیستور روی دو نانولوله کربنی، موفق به ساخت مدار پیچیده ای شدند. از آنجایی که معمولا دو نانولوله کربنی کاملا شبیه هم نیستند، وجود دو نانولوله مختلف موجب افزایش مقاومت ترانزیستور در برابر تفاوت میان خواص دو نانولوله می شود.
با این کار می توان از این ساختار به عنوان واحد سازنده سیستم باس هشت بیتی که حاوی 46 ترانزیستور اثرمیدان روی شش نانولوله کربنی است، استفاده کرد.
نتایج آزمایش های انجام شده نشان می دهد که ترانزیستور اثرمیدان نوع n و p به ترتیب 5 و 10 برابر سریع تر از ترانزیستورهای سیلیکونی است.
علمی**1497**1440
انتهای پیام /*
ارتباط با سردبير:
[email protected]
تماس بی واسطه با مسئولین
24/04/1393
این صفحه را در گوگل محبوب کنید
[ارسال شده از: ایرنا]
[مشاهده در: www.irna.ir]
[تعداد بازديد از اين مطلب: 40]
-
گوناگون
پربازدیدترینها