تبلیغات
تبلیغات متنی
محبوبترینها
سه برند برتر کلید و پریز خارجی، لگراند، ویکو و اشنایدر
مراحل قانونی انحصار وراثت در یک نگاه: از کجا شروع کنیم؟
چگونه برای دریافت ویزای ایران اقدام کنیم؟ مدارک لازم و نکات کاربردی
راهنمای خرید یو پی اس برای مراکز درمانی و بیمارستانی مطابق الزامات قانونی
آیا طلاق توافقی نیاز به وکیل دارد؟
چگونه ویزای آفریقای جنوبی را به آسانی دریافت کنیم؟ راهنمای قدم به قدم
همه چیز درباره ویزای آلمان و مراحل دریافت آن
چرا پاسارگاد به عنوان یکی از مهم‌ترین آثار تاریخی ایران شناخته می‌شود؟
خرید انواع خودکار و روان نویس شیک و ارزان
خرید انواع خودکار و روان نویس شیک و ارزان
صفحه اول
آرشیو مطالب
ورود/عضویت
هواشناسی
قیمت طلا سکه و ارز
قیمت خودرو
مطالب در سایت شما
تبادل لینک
ارتباط با ما
مطالب سایت سرگرمی سبک زندگی سینما و تلویزیون فرهنگ و هنر پزشکی و سلامت اجتماع و خانواده تصویری دین و اندیشه ورزش اقتصادی سیاسی حوادث علم و فناوری سایتهای دانلود گوناگون
مطالب سایت سرگرمی سبک زندگی سینما و تلویزیون فرهنگ و هنر پزشکی و سلامت اجتماع و خانواده تصویری دین و اندیشه ورزش اقتصادی سیاسی حوادث علم و فناوری سایتهای دانلود گوناگون
آمار وبسایت
تعداد کل بازدیدها :
1820342172
راه‌اندازی خط تولید حافظه‌های20 نانومتری
واضح آرشیو وب فارسی:باشگاه خبرنگاران: شرکت دانش بنيان سامسونگ خبر داد
راه‌اندازی خط تولید حافظه‌های"20 نانومتری"
سامسونگ خط تولید انبوه حافظه‌های DDR3 20 نانومتری خود را راه‌اندازی کرده است. کارایی این حافظه‌ها از حافظه‌های 25 نانومتری بالاتر بوده و مصرف انرژی مورد نیاز برای تولید آنها 25 درصد کمتر است.
به گزارش خبرنگار علمي باشگاه خبرنگاران، شرکت سامسونگ الکترونیکز، یکی از بزرگترین تولیدکنندگان حافظه در جهان اعلام کرد که این شرکت حافظه‌های DDR3 پیشرفته خود را به تولید انبوه رسانده است. این حافظه‌ها با استفاده از فناوری پردازش 20 نانومتری تولید می‌شوند و در حوزه‌های مختلف محاسباتی استفاده می‌شوند.
سامسونگ با استفاده از فرآیند لیتوگرافی ArF موفق به راه‌اندازی خط تولید انبوه حافظه‌های DDR3 چهارگیگابایتی شده‌است. در این حافظه‌ها، هر سل از یک ترانزیستور و یک خازن تشکیل شده‌است که به یکدیگر مرتبط هستند در حالی که در حافظه‌های فلش NAND هر سل تنها دارای یک ترانزیستور است بنابراین از نقطه نظر معماری، حافظه‌های DDR3 جدید ساختار پیچیده‌تری دارند. برای رسیدن به توانمندی ساخت چنین حافظه‌های پیچیده‌ای، سامسونگ از یک روش الگودهی اصلاح شده دوتایی و همچنین یک روش لایه‌نشانی اتمی استفاده کرده است.
سامسونگ با استفاده از تجهیزات فتولیتوگرافی فعلی خود و همچنین با بهره‌گیری از فناوری الگودهی دوگانه اصلاح شده موفق به تولید حافظه‌های DDR3 20 نانومتری شده و همچنین این شرکت موفق به ایجاد لایه‌های نازک دی‌الکتریکی شده است که ضخامتی بسیار کم و ساختاری کاملا یکنواخت دارند. این لایه‌های دی‌الکتریک می‌توانند عملکرد سل را افزایش دهند.
با وارد شدن فناوری تولید حافظه‌های 20 نانومتری به خط تولید سامسونگ، این شرکت بهره‌وری کار خود را 30 درصد نسبت به زمانی که حافظه‌های 25 نانومتری تولید می‌کرد، افزایش داده است. همچنین بهره‌وری این شرکت 2 برابر بیشتر از زمانی است که حافظه‌های 30 نانومتری تولید می‌کرد.
از دیگر مزایای فناوری اخیر سامسونگ آن است که مصرف انرژی مورد نیاز برای تولید حافظه‌های 4 گیگابایتی 20 نانومتری، 25 درصد کمتر از حافظه‌های 25 نانومتری است. این بهبود کارایی و مصرف انرژی موجب می‌شود که از نقطه نظر زیست‌محیطی فناوری جدید سامسونگ یک فناوری سبز به شمار آید.
یونگ هیون جون از مدیران شرکت سامسونگ می‌گوید: فناوری حافظه 20 نانومتری ما به زودی بازار را در اختیار خواهد گرفت به‌طوری که تولیدکنندگان تلفن همراه و کامپیوتر به سوی استفاده از این فناوری خواهند آمد. سامسونگ به مسیر خود برای تولید نسل جدید حافظه‌های سبز ادامه خواهد داد.
موسسه تحقیقات آمریکایی که در حوزه فناوری اطلاعات فعالیت داشته که دفتر مرکزی آن در استنفورد است بازار حافظه‌های DRAM از 35.6 میلیارد دلار در سال 2013 به 37.9 میلیارد دلار در سال 2014 خواهد رسید.
تاریخ انتشار: ۱۱ ارديبهشت ۱۳۹۳ - ۱۰:۰۹
این صفحه را در گوگل محبوب کنید
[ارسال شده از: باشگاه خبرنگاران]
[مشاهده در: www.yjc.ir]
[تعداد بازديد از اين مطلب: 99]
-
گوناگون
پربازدیدترینها