-شرکت دانش بنيان سامسونگ خبر داد
راهاندازی خط تولید حافظههای"20 نانومتری"
سامسونگ خط تولید انبوه حافظههای DDR3 20 نانومتری خود را راهاندازی کرده است. کارایی این حافظهها از حافظههای 25 نانومتری بالاتر بوده و مصرف انرژی مورد نیاز برای تولید آنها 25 درصد کمتر است.
به گزارش خبرنگار علمي باشگاه خبرنگاران، شرکت سامسونگ الکترونیکز، یکی از بزرگترین تولیدکنندگان حافظه در جهان اعلام کرد که این شرکت حافظهها