واضح آرشیو وب فارسی:ایرنا: ارائه مدلی برای طراحی و ساخت نانوابزارهای الکترونیکی تهران- ایرنا- پژوهشگر دانشگاه آزاد اسلامی واحد ساوه با همکاری محققی از دانشگاه آزاد قزوین در طرحی تئوری، مدلی برای طراحی و ساخت کلید های الکترونیکی پیشنهاد داده است.
به گزارش گروه علمی ایرنا از ستاد ویژه توسعه فناوری نانو، این نتایج می تواند راهکار مناسبی در دستیابی به تجهیزات و قطعات در ابعاد نانومتری جهت کاربرد در حوزه های برق و رایانه، مخابرات و علوم زیستی باشد.در ساخت تجهیزات الکترونیکی نظیر ترانزیستورها، کوچک سازی یک اقدام لازم برای افزایش سرعت محاسبات در حجم کوچک است. اما به دلیل مشکلات ساختاری، این کوچک سازی بدون استفاده از نانوساختارها نظیر نانوسیم ها، نقاط کوانتومی، نانولوله های کربنی و گرافن امکان پذیر نیست. از این رو مطالعات گسترده ای در جریان است تا ویژگی های این ساختارها مشخص شود.دکتر پیمان نایبی با اشاره به این که یکی از حوزه های تحقیقاتی اخیر، طراحی و ساخت قطعات بر پایه نانوساختارهاست، عنوان کرد: در این پژوهش، برای اولین بار یک کلید با استفاده از یک پیوندگاه متشکل از نانوسیم سیلیکونی و نانولوله کربن طراحی شد. وی افزود: نتایج محاسبات و شبیه سازی ها نشان داده با تغییر شکل پیوندگاه، مثلاً در اثر اعمال فشار، جریان الکتریکی عبوری از آن تغییر می کند. از این رو می توان دو حالت روشن و خاموش را ایجاد کرد.به گفته این محقق، بررسی انواع پیوندگاه ها در حوزه نیمه هادی ها و الکترونیک از اهمیت ویژه ای برخوردار است. در واقع تمامی قطعات نظیر دیودها و ترانیستورها از یک یا چند پیوندگاه تشکیل شده اند. در این کار، نوع جدیدی از پیوندگاه معرفی شده است که می تواند در ساخت نانو ترانزیستورها و قطعات اپتو الکترونیکی مورد استفاده قرار گیرد.این نتایج تئوری می تواند در طراحی و ساخت قطعاتی نظیر کلید ها در علوم الکترونیک و صنایع مرتبط با میکروالکترومکانیک و فناوری مدارات مجتمع (VLSI) به کار رود. با توجه به سرعت بالای این کلید و حساسیت آن به تغییر شکل پیوندگاه به میزان چند نانومتر می توان فشارهای بسیار کم، حرکت ها و جابجایی هایی در حد نانومتر را آشکار کرد که کاربردهای فراوانی در ساخت انواع آشکارسازها و حسگرها دارد.نایبی، معتقد است با توجه ساختار پیوندگاه پیشنهاد شده در این طرح که بر مبنای نانوساختارهاست، می توان انتظار داشت که در صورت تکمیل مطالعات و دستیابی به فناوری ساخت، شاهد ترانزیستورهایی با ابعاد کوچک و سرعت بالا بود.این تحقیقات حاصل تلاش های دکتر پیمان نایبی- عضو هیأت علمی دانشگاه آزاد واحد ساوه- و دکتر اسماعیل زمین پیما- عضو هیأت علمی دانشگاه آزاد واحد قزوین- است که نتایج آن در مجله ی Computational Materials Science (جلد 110، سال 2015، صفحات 198 تا 203) به چاپ رسیده است.علمی ** 1201 **2017
30/07/1394
این صفحه را در گوگل محبوب کنید
[ارسال شده از: ایرنا]
[تعداد بازديد از اين مطلب: 18]