تبلیغات
تبلیغات متنی
محبوبترینها
ماندگاری بیشتر محصولات باغ شما با این روش ساده!
بارش‌های سیل‌آسا در راه است! آیا خانه شما آماده است؟
بارش‌های سیل‌آسا در راه است! آیا خانه شما آماده است؟
قیمت انواع دستگاه تصفیه آب خانگی در ایران
نمایش جنگ دینامیت شو در تهران [از بیوگرافی میلاد صالح پور تا خرید بلیط]
9 روش جرم گیری ماشین لباسشویی سامسونگ برای از بین بردن بوی بد
ساندویچ پانل: بهترین گزینه برای ساخت و ساز سریع
خرید بیمه، استعلام و مقایسه انواع بیمه درمان ✅?
پروازهای مشهد به دبی چه زمانی ارزان می‌شوند؟
تجربه غذاهای فرانسوی در قلب پاریس بهترین رستوران‌ها و کافه‌ها
دلایل زنگ زدن فلزات و روش های جلوگیری از آن
صفحه اول
آرشیو مطالب
ورود/عضویت
هواشناسی
قیمت طلا سکه و ارز
قیمت خودرو
مطالب در سایت شما
تبادل لینک
ارتباط با ما
مطالب سایت سرگرمی سبک زندگی سینما و تلویزیون فرهنگ و هنر پزشکی و سلامت اجتماع و خانواده تصویری دین و اندیشه ورزش اقتصادی سیاسی حوادث علم و فناوری سایتهای دانلود گوناگون
مطالب سایت سرگرمی سبک زندگی سینما و تلویزیون فرهنگ و هنر پزشکی و سلامت اجتماع و خانواده تصویری دین و اندیشه ورزش اقتصادی سیاسی حوادث علم و فناوری سایتهای دانلود گوناگون
آمار وبسایت
تعداد کل بازدیدها :
1837542063
راهبردی جدید برای ساخت ترانزیستور مبتنی بر نانولوله کربنی
واضح آرشیو وب فارسی:ایسنا: شنبه ۲۸ تیر ۱۳۹۳ - ۱۰:۰۱
محققان چینی راهبرد جدیدی برای تولید ترانزیستورهای مبتنی بر نانولوله کربنی ارائه کردند که سهولت ساخت و کارایی بالا از مزیت‌های این مدار جدید است. به گزارش سرویس فناوری ایسنا، پیش‌بینی‌ها نشان می‌دهد که الکترونیک مبتنی بر سیلیکون در حال رسیدن به محدودیت فیزیکی خود است و احتمالاً تا سال 2020 به این حد برسد. بنابراین، برای تداوم روند کوچک‌سازی ادوات الکترونیکی باید به دنبال فناوری‌های جدید بود. یکی از این راهبردها، ساخت مستقیم ترانزیستورهای اثر میدان روی نانولوله‌های کربنی است. چنین قطعه‌ای، ابعادی در حد نانومتر خواهد داشت، هرچند که تولید این نوع ترانزیستور هنوز با چالش‌هایی روبرو است. اخیراً مقاله‌ای در نشریه‌ی Nano Letters به چاپ رسیده است که در آن تیان پی و همکارانش از دانشگاه پیکینگ چین، روشی برای ساخت مدارهای پیچیده روی نانولوله‌های کربنی منفرد ارائه کردند. این گروه تحقیقاتی یک سیستم باس هشت بیتی که شامل 46 ترانزیستور اثرمیدان است، روی شش نانولوله‌کربنی ایجاد کردند. این پیچیده‌ترین IC مبتنی بر نانولوله است که تاکنون ساخته شده است. انتظار می‌رود که بتوان مدارهای پیچیده‌تری را با این روش تولید کرد. از سال 1998 که اولین ترانزیستور اثرمیدان مبتنی بر نانولوله کربنی ساخته شد، پژوهش‌های زیادی روی بهبود کارایی آن‌ها انجام شده است. همان‌طور که این محققان در مقاله‌ی خود توضیح دادند، نانولوله‌های کربنی نیمه‌هادی بهترین گزینه برای جایگزینی سیم‌های سیلیکونی هستند، دلیل این امر، نازک بودن آن‌ها و سرعت بالای حرکت الکترون در نانولوله‌های کربنی است. با این حال الکترونیک مبتنی بر نانولوله کربنی با مشکلاتی روبرو است. یکی از این مشکلات، جدا کردن نانولوله‌های فلزی از نیمه‌هادی است. هر چند روش‌هایی برای این کار ارائه شده است، اما همه‌ی آن‌ها موجب آسیب دیدن نانولوله‌های نیمه‌هادی می‌شوند. محققان برای حل این مشکل، به جای استفاده از یک نانولوله‌ی منفرد، از چند نانولوله استفاده کردند. این کار موجب پیچیده شدن ساختار ترانزیستور می‌شود. پژوهشگران با استفاده از یک راهبرد جدید و یک ماژول دارای هشت ترانزیستور روی دو نانولوله کربنی، موفق به ساخت مدار پیچیده‌ای شدند. از آنجایی که معمولاً دو نانولوله‌کربنی کاملاً شبیه هم نیستند، وجود دو نانولوله مختلف موجب افزایش مقاومت ترانزیستور در برابر تفاوت میان خواص دو نانولوله می‌شود. با این کار می‌توان از این ساختار به عنوان واحد سازنده‌ی سیستم باس هشت بیتی که حاوی 46 ترانزیستور اثرمیدان روی شش نانولوله کربنی است، استفاده کرد. نتایج آزمایش‌های انجام شده نشان می‌دهد که ترانزیستور اثرمیدان نوع n و p به ترتیب 5 و 10 برابر سریع‌تر از ترانزیستورهای سیلیکونی است. انتهای پیام
این صفحه را در گوگل محبوب کنید
[ارسال شده از: ایسنا]
[مشاهده در: www.isna.ir]
[تعداد بازديد از اين مطلب: 32]
-
علم و فناوری
پربازدیدترینها