تبلیغات
تبلیغات متنی
محبوبترینها
آیا طلاق توافقی نیاز به وکیل دارد؟
چگونه ویزای آفریقای جنوبی را به آسانی دریافت کنیم؟ راهنمای قدم به قدم
همه چیز درباره ویزای آلمان و مراحل دریافت آن
چرا پاسارگاد به عنوان یکی از مهم‌ترین آثار تاریخی ایران شناخته می‌شود؟
خرید انواع خودکار و روان نویس شیک و ارزان
خرید انواع خودکار و روان نویس شیک و ارزان
تعمیرگاه امداد خودرو کرمان موتور
تعمیرگاه امداد خودرو کرمان موتور
تعمیرگاه امداد خودرو کرمان موتور
تعمیرگاه امداد خودرو کرمان موتور
صفحه اول
آرشیو مطالب
ورود/عضویت
هواشناسی
قیمت طلا سکه و ارز
قیمت خودرو
مطالب در سایت شما
تبادل لینک
ارتباط با ما
مطالب سایت سرگرمی سبک زندگی سینما و تلویزیون فرهنگ و هنر پزشکی و سلامت اجتماع و خانواده تصویری دین و اندیشه ورزش اقتصادی سیاسی حوادث علم و فناوری سایتهای دانلود گوناگون
مطالب سایت سرگرمی سبک زندگی سینما و تلویزیون فرهنگ و هنر پزشکی و سلامت اجتماع و خانواده تصویری دین و اندیشه ورزش اقتصادی سیاسی حوادث علم و فناوری سایتهای دانلود گوناگون
آمار وبسایت
تعداد کل بازدیدها :
1818964531
ساخت اولین ترانزیستور اثر میدان نوع P با تزریق‌کننده حفره در مواد آلی
واضح آرشیو وب فارسی:ایسنا: جمعه ۱۹ اردیبهشت ۱۳۹۳ - ۱۰:۱۷
ساخت اولین ترانزیستور اثر میدان نوع P با تزریق‌کننده حفره در مواد آلی پژوهشگران دانشگاه کالیفرنیا موفق به ساخت اولین ترانزیستور اثرمیدان نوع P با استفاده از لایه‌های نانومقیاس MoS2 شدند. به گزارش سرویس علمی ایسنا، اولین ترانزیستور اثرمیدان نوع P از جنس مولیبدنیت (MoS2 FETs) ساخته شده است. مولیبدنیت ماده‌ای بسیار مهم در صنعت نیمه‌هادی به شمار می‌آید که دلیل آن تماس فلزی تابع کار بالای این ماده است. تاکنون MoS2 FETs را از نیمه‌هادی نوع n می‌ساختند که در آن نوع، تماس فلزی اهمیت چندانی نداشت؛ دلیل این موضوع دشواری اتصال باند ظرفیت MoS2 است. MoS2 یک لایه نازک از جنس مولیبدن و گوگرد است که یک ماده نیمه‌هادی محسوب می‌شود. هنگام ساخت ادوات الکترونیکی باند گپ نقش بسیار مهمی دارد، زیرا استفاده از باند گپ‌های مستقیم، بجای باند گپ غیرمستقیم، موجب افزایش کارایی دستگاه می‌شود. وجود باندگپ موجب می‌شود تا بتوان دستگاه را خاموش و یا روشن کرد. MoS2 مزایای دیگری نیز دارد؛ این ماده قدرت انتقال بار بالایی دارد که در حدود 500 cm2/Vs است که در مقایسه با سیلیکون رقم بالایی محسوب می‌شود. همچنین MoS2 یک جامد واندروالسی محسوب می‌شود، بنابراین با زیرلایه‌های مختلفی قابل انطباق است. از دیگر ویژگی‌های مثبت این ماده باید به شفاف بودن آن اشاره کرد. از آنجایی که ضخامت MoS2 در حدود 0.7 نانومتر است، بنابراین می‌توان با آن ترانزیستورهای بسیار کوچکی ساخت که نسبت به ترانزیستورهای معمولی گرمای بسیار کمتری ایجاد می‌کند. استیون چانگ از محققان این پروژه می‌گوید: ما بجای استفاده از فلز، از MoS2 برای ساخت ترانزیستور استفاده کردیم. این ماده بعنوان یک تزریق کننده حفره برای مواد آلی استفاده می‌شد، اما ما در این پروژه از آن برای ساخت ترانزیستور استفاده کردیم. این گروه دریافتند: ترانزیستوری که با استفاده از MoS2 ساخته شود، بهتر از ترانزیستورهای پالادیومی است. همچنین آنها دریافتند که اگر از سلیند تنگستن در ساخت این ترانزیستور استفاده شود، جریان بیشتری از آن عبور کرده و سد شوتکی (Schottky barrier) کمتری دارد. نتایج این پژوهش در نشریه Nano Letters به چاپ رسیده است. انتهای پیام
کد خبرنگار:
این صفحه را در گوگل محبوب کنید
[ارسال شده از: ایسنا]
[مشاهده در: www.isna.ir]
[تعداد بازديد از اين مطلب: 43]
-
گوناگون
پربازدیدترینها