محبوبترینها
نمایش جنگ دینامیت شو در تهران [از بیوگرافی میلاد صالح پور تا خرید بلیط]
9 روش جرم گیری ماشین لباسشویی سامسونگ برای از بین بردن بوی بد
ساندویچ پانل: بهترین گزینه برای ساخت و ساز سریع
خرید بیمه، استعلام و مقایسه انواع بیمه درمان ✅?
پروازهای مشهد به دبی چه زمانی ارزان می‌شوند؟
تجربه غذاهای فرانسوی در قلب پاریس بهترین رستوران‌ها و کافه‌ها
دلایل زنگ زدن فلزات و روش های جلوگیری از آن
خرید بلیط چارتر هواپیمایی ماهان _ ماهان گشت
سیگنال در ترید چیست؟ بررسی انواع سیگنال در ترید
بهترین هدیه تولد برای متولدین زمستان: هدیه‌های کاربردی برای روزهای سرد
در خرید پارچه برزنتی به چه نکاتی باید توجه کنیم؟
صفحه اول
آرشیو مطالب
ورود/عضویت
هواشناسی
قیمت طلا سکه و ارز
قیمت خودرو
مطالب در سایت شما
تبادل لینک
ارتباط با ما
مطالب سایت سرگرمی سبک زندگی سینما و تلویزیون فرهنگ و هنر پزشکی و سلامت اجتماع و خانواده تصویری دین و اندیشه ورزش اقتصادی سیاسی حوادث علم و فناوری سایتهای دانلود گوناگون
مطالب سایت سرگرمی سبک زندگی سینما و تلویزیون فرهنگ و هنر پزشکی و سلامت اجتماع و خانواده تصویری دین و اندیشه ورزش اقتصادی سیاسی حوادث علم و فناوری سایتهای دانلود گوناگون
آمار وبسایت
تعداد کل بازدیدها :
1829607181
تولید لایه‌های نازک نیمه‌هادی برای سنسورها و آشکارسازها توسط محققان کشور
واضح آرشیو وب فارسی:ایسنا: یکشنبه ۱۷ آبان ۱۳۹۴ - ۰۹:۳۵
رئیس پژوهشکده نیمه هادی‌ها در پژوهشگاه مواد و انرژی از دریافت پاسخ‌های مثبت در ارتباط با ساخت لایه‌های نازک نیمه هادی‌های گروه II-VI و IV-VI از طریق روش‌های شیمیایی، جهت کاربرد در سنسورها و آشکارسازها در این پژوهشکده خبر داد. به گزارش سرویس پژوهشی ایسنا، دکتر امیرعلی یوزباشی با بیان این مطلب اظهار کرد: ساخت مواد نیمه هادی با خواص گوناگون اپتیکی، الکتریکی و اپتوالکتریکی از طریق روش‌های ساده و ارزان شیمیایی بخصوص از زمان ظهور نانوفناوری و شناخت خواص و پدیده‌های جالب توجه آنها، هدف بسیاری از محققان در سطح دنیا قرار گرفته است و چاپ سالانه تعداد بی‌شماری مقاله در این زمینه، گویای اهمیت آن است. وی افزود: فعالیت‌های تحقیقاتی ما در این زمینه از حدود دو سال پیش در مورد مشخصه‌یابی لایه‌های نازک PbS بعنوان آشکارساز IR شروع شد و همچنان، بویژه در زمینه ساخت و بررسی آنها ادامه دارد. رئیس پژوهشکده نیمه هادی‌ها خاطرنشان کرد: نتایج اخیر این پژوهش حاکی از آن است که کنترل بهینه فرایند لایه نشانی شیمیایی PbS یا هر ترکیب نیمه هادی دیگری در گروه II-VI ، امکان ساخت لایه‌های نازک قابل مهندسی دارای ساختار و خواص کنترل شده را فراهم می‌کند. وی ادامه داد: در واقع چالش اصلی امروز محققاق در این زمینه نیز مهندسی ساخت این لایه‌ها از طریق روش‌های شیمیایی ساده و ارزان است. یوزباشی خاطرنشان کرد: موضوع جالب دیگر در این زمینه این است که چنانچه بتوان لایه‌های نانوساختار گوناگون این مواد را تحت شرایط کنترل شده و تکرارپذیر تهیه کرد، کاربردهای مدرن چنین موادی در سلول‌های خورشیدی نسل جدید و حتی قطعات الکترونیکی مدرن و ارزان نیز عرضه می‌شود. انتهای پیام
کد خبرنگار:
این صفحه را در گوگل محبوب کنید
[ارسال شده از: ایسنا]
[مشاهده در: www.isna.ir]
[تعداد بازديد از اين مطلب: 27]
-
علم و فناوری
پربازدیدترینها