تبلیغات
تبلیغات متنی
محبوبترینها
سه برند برتر کلید و پریز خارجی، لگراند، ویکو و اشنایدر
مراحل قانونی انحصار وراثت در یک نگاه: از کجا شروع کنیم؟
چگونه برای دریافت ویزای ایران اقدام کنیم؟ مدارک لازم و نکات کاربردی
راهنمای خرید یو پی اس برای مراکز درمانی و بیمارستانی مطابق الزامات قانونی
آیا طلاق توافقی نیاز به وکیل دارد؟
چگونه ویزای آفریقای جنوبی را به آسانی دریافت کنیم؟ راهنمای قدم به قدم
همه چیز درباره ویزای آلمان و مراحل دریافت آن
چرا پاسارگاد به عنوان یکی از مهم‌ترین آثار تاریخی ایران شناخته می‌شود؟
خرید انواع خودکار و روان نویس شیک و ارزان
خرید انواع خودکار و روان نویس شیک و ارزان
صفحه اول
آرشیو مطالب
ورود/عضویت
هواشناسی
قیمت طلا سکه و ارز
قیمت خودرو
مطالب در سایت شما
تبادل لینک
ارتباط با ما
مطالب سایت سرگرمی سبک زندگی سینما و تلویزیون فرهنگ و هنر پزشکی و سلامت اجتماع و خانواده تصویری دین و اندیشه ورزش اقتصادی سیاسی حوادث علم و فناوری سایتهای دانلود گوناگون
مطالب سایت سرگرمی سبک زندگی سینما و تلویزیون فرهنگ و هنر پزشکی و سلامت اجتماع و خانواده تصویری دین و اندیشه ورزش اقتصادی سیاسی حوادث علم و فناوری سایتهای دانلود گوناگون
آمار وبسایت
تعداد کل بازدیدها :
1819697728
تولید لایه‌های نازک نیمه‌هادی برای سنسورها و آشکارسازها توسط محققان کشور
واضح آرشیو وب فارسی:ایسنا: یکشنبه ۱۷ آبان ۱۳۹۴ - ۰۹:۳۵
رئیس پژوهشکده نیمه هادی‌ها در پژوهشگاه مواد و انرژی از دریافت پاسخ‌های مثبت در ارتباط با ساخت لایه‌های نازک نیمه هادی‌های گروه II-VI و IV-VI از طریق روش‌های شیمیایی، جهت کاربرد در سنسورها و آشکارسازها در این پژوهشکده خبر داد. به گزارش سرویس پژوهشی ایسنا، دکتر امیرعلی یوزباشی با بیان این مطلب اظهار کرد: ساخت مواد نیمه هادی با خواص گوناگون اپتیکی، الکتریکی و اپتوالکتریکی از طریق روش‌های ساده و ارزان شیمیایی بخصوص از زمان ظهور نانوفناوری و شناخت خواص و پدیده‌های جالب توجه آنها، هدف بسیاری از محققان در سطح دنیا قرار گرفته است و چاپ سالانه تعداد بی‌شماری مقاله در این زمینه، گویای اهمیت آن است. وی افزود: فعالیت‌های تحقیقاتی ما در این زمینه از حدود دو سال پیش در مورد مشخصه‌یابی لایه‌های نازک PbS بعنوان آشکارساز IR شروع شد و همچنان، بویژه در زمینه ساخت و بررسی آنها ادامه دارد. رئیس پژوهشکده نیمه هادی‌ها خاطرنشان کرد: نتایج اخیر این پژوهش حاکی از آن است که کنترل بهینه فرایند لایه نشانی شیمیایی PbS یا هر ترکیب نیمه هادی دیگری در گروه II-VI ، امکان ساخت لایه‌های نازک قابل مهندسی دارای ساختار و خواص کنترل شده را فراهم می‌کند. وی ادامه داد: در واقع چالش اصلی امروز محققاق در این زمینه نیز مهندسی ساخت این لایه‌ها از طریق روش‌های شیمیایی ساده و ارزان است. یوزباشی خاطرنشان کرد: موضوع جالب دیگر در این زمینه این است که چنانچه بتوان لایه‌های نانوساختار گوناگون این مواد را تحت شرایط کنترل شده و تکرارپذیر تهیه کرد، کاربردهای مدرن چنین موادی در سلول‌های خورشیدی نسل جدید و حتی قطعات الکترونیکی مدرن و ارزان نیز عرضه می‌شود. انتهای پیام
کد خبرنگار:
این صفحه را در گوگل محبوب کنید
[ارسال شده از: ایسنا]
[مشاهده در: www.isna.ir]
[تعداد بازديد از اين مطلب: 25]
-
علم و فناوری
پربازدیدترینها