-یکشنبه ۱۷ آبان ۱۳۹۴ - ۰۹:۳۵
رئیس پژوهشکده نیمه هادیها در پژوهشگاه مواد و انرژی از دریافت پاسخهای مثبت در ارتباط با ساخت لایههای نازک نیمه هادیهای گروه II-VI و IV-VI از طریق روشهای شیمیایی، جهت کاربرد در سنسورها و آشکارسازها در این پژوهشکده خبر داد. به گزارش سرویس پژوهشی ایسنا، دکتر امیرعلی یوزباشی با بیان این مطلب اظهار کرد: ساخت مواد نیمه هادی با خواص گ