توليد كوچك‌ترين SRAM دنيا توسط سه شركت توشيبا ، آي‌بي‌ام ، و AMD

واضح آرشیو وب فارسی:ایسکانیوز: توليد كوچك‌ترين SRAM دنيا توسط سه شركت توشيبا ، آي‌بي‌ام ، و AMD
تهران-خبرگزاري ايسكانيوز: شركت‌هاي توشيبا، آي‌بي‌ام، و AMD توانسته‌اند با همكاري هم كوچك‌ترين سلول حافظه دسترسي اتفاقي ايستا (SRAM) را كه تنها 128/0 ميكرومتر مربع مساحت دارد، توسعه دهند.
به گزارش روز دوشنبه باشگاه خبرنگاران دانشجويي ايران "ايسكانيوز" اين سلول از ترانزيستورهاي اثر زمينه پره‌اي‌شكل (FinFETs) بهره مي‌برد.
اين سلول كه با يك ماده گيت با k بالا/فلز (HKMG) توليد شده است، نسبت به سلول‌‌هاي FET صفحه‌اي، مزايايي دارد. سلول‌هاي SRAM در بسياري از سيستم‌ها (همانند ميكروپردازنده‌ها) به عنوان قطعات مدار مورد استفاده قرار مي‌گيرند و سلول‌هاي SRAM كوچك‌تر مي‌توانند امكان توليد پردازنده‌هاي كوچك‌تر و سريع‌تر با مصرف انرژي كمتر را ايجاد نمايند.
اين فناوري در تاريخ 16 دسامبر در يك مقاله علمي كه در همايش بين‌المللي ابزارهاي الكتروني در سان‌فرانسيسكو كاليفرنيا برگزار شد، ارائه گرديد.
زماني كه سلول‌هاي SRAM با استفاده از ترانزيستورهاي صفحه‌اي معمولي ساخته مي‌شوند، توليدكنندگان IC معمولاً براي كاهش اندازه ترانزيستور، ويژگي‌هاي آن را با استفاده از وارد كردن ناخالصي‌هاي بيشتر درون ابزار تنظيم مي‌كنند. با اين حال وارد كردن اين ناخالصي‌ها عموماً تغييرات نامطلوبي در پي داشته و موجب كاهش پايداري SRAM مي‌شود. اين مسأله مخصوصاً در مورد گره فناوري‌هاي 22 نانومتري و كوچك‌تر از آن بسيار حاد مي‌شود. استفاده از FinFETها (ترانزيستورهاي عمودي با كانال‌هاي پره‌اي شكل خالص از جنس سيليكون) راهكار ديگري است كه امكان كاهش اندازه سلول‌هاي SRAM را بدون تغيير در ويژگي‌هاي آن ايجاد مي‌كند.
به گزارش ايسكانيوز به نقل از نانو پژوهشگران اين سه شركت با استفاده از HKMG يك سلول FinFET SRAM ساخته‌اند. اين سلول، كوچك‌ترين سلول SRAM غيرمسطح FET است كه تاكنون ساخته شده است. اندازه اين سلول كمتر از نصف سلول SRAM غيرمسطح FET است كه قبلاً ساخته شده بود. اين تيم تحقيقاتي براي رسيدن به اين هدف، فرايندها را بهينه نموده و به طور خاص فرايند رسوب‌دهي و حذف مواد (شامل رسوب‌دهي و حذف HKMG از سطوح عمودي ساختار FinFET غيرمسطح) را بهبود بخشيدند.
اين پژوهشگران همچنين متغيرهاي اتفاقي ويژگي‌هاي FinFET درون سلول‌هاي SRAM را مورد بررسي قرار داده و تغييرات سلول SRAM را در مقياس‌هاي كوچك‌تر شبيه‌سازي كردند. آنها دريافتند كه FinFETهاي بدون كانال تغييرپذيري ويژگي‌هاي ترانزيستور را تا 28 درصد بهبود مي‌دهند. شبيه‌سازي‌هاي آنها در مورد سلول‌هاي SRAM با مساحت 063/0 ميكرومتر مربع (معادل يا كمتر از اندازه گره فناوري 22 نانومتري) نشان داد كه انتظار مي‌رود سلول FinFET SRAM از نظر پايداري عملكرد نسبت به سلول SRAM با FET مسطح مزايايي در بر داشته باشد./د/190
دوشنبه 30 دي 1387

این صفحه را در گوگل محبوب کنید

[ارسال شده از: ایسکانیوز]

[مشاهده در: www.iscanews.ir]

[تعداد بازديد از اين مطلب: 473]