تبلیغات
تبلیغات متنی
محبوبترینها
بارش‌های سیل‌آسا در راه است! آیا خانه شما آماده است؟
بارش‌های سیل‌آسا در راه است! آیا خانه شما آماده است؟
قیمت انواع دستگاه تصفیه آب خانگی در ایران
نمایش جنگ دینامیت شو در تهران [از بیوگرافی میلاد صالح پور تا خرید بلیط]
9 روش جرم گیری ماشین لباسشویی سامسونگ برای از بین بردن بوی بد
ساندویچ پانل: بهترین گزینه برای ساخت و ساز سریع
خرید بیمه، استعلام و مقایسه انواع بیمه درمان ✅?
پروازهای مشهد به دبی چه زمانی ارزان می‌شوند؟
تجربه غذاهای فرانسوی در قلب پاریس بهترین رستوران‌ها و کافه‌ها
دلایل زنگ زدن فلزات و روش های جلوگیری از آن
خرید بلیط چارتر هواپیمایی ماهان _ ماهان گشت
صفحه اول
آرشیو مطالب
ورود/عضویت
هواشناسی
قیمت طلا سکه و ارز
قیمت خودرو
مطالب در سایت شما
تبادل لینک
ارتباط با ما
مطالب سایت سرگرمی سبک زندگی سینما و تلویزیون فرهنگ و هنر پزشکی و سلامت اجتماع و خانواده تصویری دین و اندیشه ورزش اقتصادی سیاسی حوادث علم و فناوری سایتهای دانلود گوناگون
مطالب سایت سرگرمی سبک زندگی سینما و تلویزیون فرهنگ و هنر پزشکی و سلامت اجتماع و خانواده تصویری دین و اندیشه ورزش اقتصادی سیاسی حوادث علم و فناوری سایتهای دانلود گوناگون
آمار وبسایت
تعداد کل بازدیدها :
1835018126
نوشتن نانوكانالها با استفاده از مداد نيروي اتمي
واضح آرشیو وب فارسی:ایسکانیوز: نوشتن نانوكانالها با استفاده از مداد نيروي اتمي
تهران-خبرگزاري ايسكانيوز: محققان آلماني و آمريكايي روش جديدي براي ايجاد برگشتپذير مسيرهاي رساناي نانومقياس در سطح تماس بين دو ماده عايق توسعه داده‌اند. عرض اين خطوط رسانا تنها 3 نانومتر بوده و مي‌توان از آنها در ابزارهاي چگال ذخيره‌سازي اطلاعات و پردازش داده‌ها استفاده كرد.
به گزارش روز دوشنبه باشگاه خبرنگاران دانشجويي ايران"ايسكانيوز" جرمي لوي از دانشگاه پيتزبورگ بيان داشت: ما توانسته‌ايم ساختارهاي رساناي نانومقياس برگشتپذير توليد نماييم. با وجودي كه چندين روش براي ايجاد چنين ساختارهايي در مقياس 10 نانومتر و كمتر وجود دارد، اما طبيعت برگشت‌پذيري فرايند ما موجب مي‌شود كه اين روش براي ساخت ابزارهاي منطقي و حافظه‌اي مفيد باشد.
گروه لوي از اين حقيقت كه سطح تماس ميان دو لايه عايق از بلورهاي پروسكيت تحت شرايط خاصي رسانا هستند، بهره بردند. اين محققان كار را با رشد سه واحد اتمي از آلومينات لانتانيوم روي بلورهاي تيتانات استرانسيوم آغاز كردند.
سپس يك اختلاف پتانسيل به نوك يك ميكروسكوپ نيروي اتمي (AFM) اعمال كرده و از آن به عنوان يك «مداد» براي نوشتن مسيرهاي رسانا در سطح تماس ميان دو ماده استفاده كردند. اين كانال‌هاي رسانا مي‌توانند اطلاعات الكتريكي را حمل كنند.
لوي توضيح داد كه ولتاژهاي مثبت اعمال شده به روبشگر AFM سطوح تماس رسانا را ايجاد مي‌كند، در حالي كه ولتاژهاي منفي آنها را پاك مي‌كند. اين يعني سطوح تماس را مي‌توان به صورت برگشتپذير بين دو حالت رسانا و عايق تغيير داد.
اين دانشمندان همانند نوشتن كانال‌هاي رسانا به عرض تنها 3 نانومتر، توانستند آرايه‌اي از جزيره‌هاي رسانا با چگالي بيش از 1014 بر اينچ مربع ايجاد كنند. اين ساختارهاي الگودهي شده در دماي اتاق بيش از 24 ساعت پايدار بودند.
به گزارش ايسكانيوز به نقل از نانو، لوي گفت: از اين كار مي‌توان در توليد ابزارهاي منطقي و حافظه‌هاي چگال استفاده كرد. بر خلاف سيليكون كه در آن امكان يكپارچه سازي ابزارهاي منطقي با حافظه‌هاي مغناطيسي يا حافظه‌هاي فلش وجود ندارد، با استفاده از اين روش مي‌توان هر دوي اين سيستم‌ها را در يك سيستم ماده منفرد ادغام كرد.
در حال حاضر اين گروه تحقيقاتي با استفاده ازروش خود در حال ساخت ترانزيستورها و احتمالاً عناصر واقعي ديگري هستند كه الكترون‌هاي منفرد را ذخيره كرده و دستكاري مي‌كنند.
نتايج اين كار تحقيقاتي در مجله Nature Materials منتشر شده است./د/184
دوشنبه 6 خرداد 1387
این صفحه را در گوگل محبوب کنید
[ارسال شده از: ایسکانیوز]
[مشاهده در: www.iscanews.ir]
[تعداد بازديد از اين مطلب: 221]
-
گوناگون
پربازدیدترینها