محبوبترینها
چگونه با ثبت آگهی رایگان در سایت های نیازمندیها، کسب و کارتان را به دیگران معرفی کنید؟
بهترین لوله برای لوله کشی آب ساختمان
دانلود آهنگ های برتر ایرانی و خارجی 2024
ماندگاری بیشتر محصولات باغ شما با این روش ساده!
بارش‌های سیل‌آسا در راه است! آیا خانه شما آماده است؟
بارش‌های سیل‌آسا در راه است! آیا خانه شما آماده است؟
قیمت انواع دستگاه تصفیه آب خانگی در ایران
نمایش جنگ دینامیت شو در تهران [از بیوگرافی میلاد صالح پور تا خرید بلیط]
9 روش جرم گیری ماشین لباسشویی سامسونگ برای از بین بردن بوی بد
ساندویچ پانل: بهترین گزینه برای ساخت و ساز سریع
خرید بیمه، استعلام و مقایسه انواع بیمه درمان ✅?
صفحه اول
آرشیو مطالب
ورود/عضویت
هواشناسی
قیمت طلا سکه و ارز
قیمت خودرو
مطالب در سایت شما
تبادل لینک
ارتباط با ما
مطالب سایت سرگرمی سبک زندگی سینما و تلویزیون فرهنگ و هنر پزشکی و سلامت اجتماع و خانواده تصویری دین و اندیشه ورزش اقتصادی سیاسی حوادث علم و فناوری سایتهای دانلود گوناگون
مطالب سایت سرگرمی سبک زندگی سینما و تلویزیون فرهنگ و هنر پزشکی و سلامت اجتماع و خانواده تصویری دین و اندیشه ورزش اقتصادی سیاسی حوادث علم و فناوری سایتهای دانلود گوناگون
آمار وبسایت
تعداد کل بازدیدها :
1844412584
ساخت نخستین ترانزیستور اثر میدان دوبعدی به دست دانشمند ایرانی
واضح آرشیو وب فارسی:ایرنا:
فیسبوک تویتر Google+ Cloob ساخت نخستین ترانزیستور اثر میدان دوبعدی به دست دانشمند ایرانی تهران-ایرنا-علی جاوه ای دانشمند ایرانی فعال در مرکز تحقیقات برکلی آمریکا با کمک همکارانش و با استفاده از گرافن و نیترید بور موفق به ساخت نخستین ترانزیستور اثرمیدان دو بعدی شد.
به گزارش گروه علمی ایرنا از سایت خبری - پژوهشی EECS در حوزه الکترونیک ، این دانشمند ایرانی که برنده جایزه مرکز تحقیقات برکلی آمریکا برای ساخت ترانزیستور در سال 2012 است، با استفاده از نیترید بور هگزاگونال، دیکالگوژنیدهای فلزات انتقالی و صفحات گرافنی و با در کنار هم قرار دادن آنها ازطریق نیروی واندروالس، موفق به ساخت این ترانزیستور جدید شد.
برخلاف ترانزیستورهای اثر میدان سیلیکونی، این ترانزیستور جدید در ولتاژهای بالا دچار افت کارکرد نمی شود و هدایت الکترونی بالایی را حتی در زمانی که ضخامت آن تا یک لایه کاهش می یابد، فراهم می کند.
ترانزیستورهای اثرمیدان یکی از عناصر اصلی ادوات الکترونیکی محسوب می شود. این ترانزیستورها دارای دروازه، خروجی و منبع است که با استفاده از یک کانال به الکترودها متصل می شود. در صورتی که ساختار بلوری میان دو قطعه یکسان نباشد، انتقال بار دچار مشکل می شود.
جاوه ای در این مورد توضیح داد: نتایج این پژوهش گامی مهم به سمت تحقق رویای ساخت ادوات الکترونیکی جدیدی است که اتصال آنها با برهمکنش واندروالس انجام می شود. با این نتایج بدست آمده می توان امیدوار بود که از تمام مواد لایه ای بتوان برای ساخت ادوات الکترونیکی استفاده کرد.
وی افزود: در ساخت ترانزیستورهای اثرمیدان دو بعدی، هر بخش از یک لایه نازک تشکیل شده است که با نیروی واندروالس به یکدیگر متصل می شود. ما این لایه ها را به گونه ای طراحی کردیم که از نظر ضخامت شبیه یکدیگرند و هیچ زبری سطحی در آنها وجود ندارد.
جاوه ای با بیان اینکه با استفاده از نیروی واندروالس موفق به اتصال این لایه ها شدیم، ادامه داد: با انجام فرآیند چند مرحله ای، قطعه ای پیچیده مبتنی بر لایه های بلوری ایجاد کردیم. بدون اینکه پارامترهای شبکه محدودیتی برای کار ما ایجاد کند. این پارامترها سبب محدود شدن فرآیند رشد می شود و عملکرد مواد ترکیبی را دستخوش تغییر می کند.
این گروه تحقیقاتی پس از ساخت ترانزیستور اثرمیدان دو بعدی، درحال حاضر به دنبال کاهش ابعاد این ترانزیستور است.
نتایج این پژوهش در قالب مقاله ای با عنوان Field-Effect Transistors Built from All Two-Dimensional Material Components در نشریه ACS Nano منتشر شده است.
علمی(2)1834**1599
انتهای پیام /*
ارتباط با سردبير:
[email protected]
تماس بی واسطه با مسئولین
31/04/1393
این صفحه را در گوگل محبوب کنید
[ارسال شده از: ایرنا]
[مشاهده در: www.irna.ir]
[تعداد بازديد از اين مطلب: 50]
-
گوناگون
پربازدیدترینها