تبلیغات
تبلیغات متنی
محبوبترینها
بارش‌های سیل‌آسا در راه است! آیا خانه شما آماده است؟
بارش‌های سیل‌آسا در راه است! آیا خانه شما آماده است؟
قیمت انواع دستگاه تصفیه آب خانگی در ایران
نمایش جنگ دینامیت شو در تهران [از بیوگرافی میلاد صالح پور تا خرید بلیط]
9 روش جرم گیری ماشین لباسشویی سامسونگ برای از بین بردن بوی بد
ساندویچ پانل: بهترین گزینه برای ساخت و ساز سریع
خرید بیمه، استعلام و مقایسه انواع بیمه درمان ✅?
پروازهای مشهد به دبی چه زمانی ارزان می‌شوند؟
تجربه غذاهای فرانسوی در قلب پاریس بهترین رستوران‌ها و کافه‌ها
دلایل زنگ زدن فلزات و روش های جلوگیری از آن
خرید بلیط چارتر هواپیمایی ماهان _ ماهان گشت
صفحه اول
آرشیو مطالب
ورود/عضویت
هواشناسی
قیمت طلا سکه و ارز
قیمت خودرو
مطالب در سایت شما
تبادل لینک
ارتباط با ما
مطالب سایت سرگرمی سبک زندگی سینما و تلویزیون فرهنگ و هنر پزشکی و سلامت اجتماع و خانواده تصویری دین و اندیشه ورزش اقتصادی سیاسی حوادث علم و فناوری سایتهای دانلود گوناگون
مطالب سایت سرگرمی سبک زندگی سینما و تلویزیون فرهنگ و هنر پزشکی و سلامت اجتماع و خانواده تصویری دین و اندیشه ورزش اقتصادی سیاسی حوادث علم و فناوری سایتهای دانلود گوناگون
آمار وبسایت
تعداد کل بازدیدها :
1836257293
ساخت ترانزیستور کارآمد از گرافن دولایه
واضح آرشیو وب فارسی:ایسنا: جمعه ۶ تیر ۱۳۹۳ - ۰۹:۰۳
محققان با استفاده از دو لایه‌ی گرافنی موفق به ساخت ترانزیستور اثرمیدان با کارایی بالا شدند. این گروه روشی نیز برای رشد دولایه‌های گرافنی ارائه کردند. به گزارش سرویس علمی ایسنا، پژوهشگران دانشگاه کالیفرنیا با همکاری محققان دانشگاه رایس برای اولین بار نشان دادند که چگونه می‌توان از ترانزیستور اثرمیدان، گرافن دولایه تولید کرد. این ترانزیستور بالاترین نرخ خاموش/روشن شدن و حمل بار را دارد، بنابراین می‌توان از آن برای ساخت قطعات الکترونیک کم مصرف و ارزان قیمت استفاده کرد. کوستاو بانرجی از محققان این پروژه می‌گوید: علاوه بر سطح صاف اتمی، باند گپ بالای 0.25 الکترون ولت در دو لایه‌های گرافنی موجب می‌شود تا بتوان اختلاف پتانسیلی میان این دو لایه ایجاد کرد، بنابراین اگر دولایه‌ی مختلف را بتوان با یک جهت‌گیری مشخص روی هم تراز کرد، می‌توان تقارن ذاتی این ساختار را از بین برد. ترانزیستورهای دو دروازه‌ای به گونه‌ای طراحی شده‌اند که می‌توانند چنین اختلاف پتانسیلی را میان دو لایه ایجاد کنند که این کار از طریق دروازه‌ها انجام می‌شود. فیلم‌های گرافنی با استفاده از سطوح آلیاژی مهندسی شده به شکلی از پیش تعیین شده رشد می‌کنند. این لایه‌ها با ابعاد سه در سه اینچ و در دمای 920 درجه سانتیگراد رشد می‌کنند. این لایه‌ها به صورت برنالی به شکلی روی هم رشد می‌کنند که صد در صد یکدیگر را پوشش می‌دهند. فیلم‌های گرافنی دو لایه، انتقال الکترونی در حدود 3450 Cm2/VS دارند. نتایج آزمایش‌ها نشان می‌دهد که ترانزیستور ساخته شده با این دولایه گرافنی دارای نرخ خاموش/روشن بسیار بالایی است که یک رکورد محسوب می‌شود. وی لیو از محققان این پروژه می‌گوید: امکان رشد گرافن با سطح فعال کاتالیستی به شکلی که مقدار کربن سطحی آن قابل کنترل باشد، یک امر حیاتی در ساخت ترانزیستورهای اثرمیدان دو لایه‌ای است. گرافن دولایه‌ای از نظر ضخامت شباهت زیادی به گرافن تک لایه دارد، ساختار اتمی آنها به صورت هگزاگونالی است که می‌توان آن را از گرافیت به دست آورد. این دولایه با نیروی واندروالس به یکدیگر متصل می‌شوند. گرافن دو لایه علاوه بر باند گپ قابل تنظیم، مزایای متعددی نسبت به گرافن تک لایه دارد. دانسیته‌ی دولایه‌ها بیشتر از تک لایه‌ها بوده و مشکل اثر تداخلی در آنها کمتر است. این درحالی است که بهبود سرعت حرکت بار در دولایه‌ها بیشتر است. انتهای پیام
کد خبرنگار:
این صفحه را در گوگل محبوب کنید
[ارسال شده از: ایسنا]
[مشاهده در: www.isna.ir]
[تعداد بازديد از اين مطلب: 42]
-
گوناگون
پربازدیدترینها