روشي جديد براي اندازه گيري اثرات مغناطيسي در مقياس نانو

واضح آرشیو وب فارسی:فان پاتوق:
گروهي از محققان ژاپني، روش جديدي براي ارزيابي ساختار مغناطيسي و الكترونيكي لايه.هاي اتمي زيرسطحي در يك ماده ابداع كرده.اند. اين روش كه «طيف.سنجي پراش» ناميده شده.است، براي اندازه.گيري اثرات مغناطيسي در مقياس نانو و توسعة ضبط مغناطيسي چگالِ «عمودي» بسيار سودمند خواهد بود.

به.زودي در ذخيره.سازي داده به چگالي.اي بيش از 1012 بيت در هر اينچ مربع نياز خواهد بود. براي دستيابي به چنين چگالي.اي به بيت.هايي نياز است كه عرض آنها تنها ده نانومتر و يا كمتر باشد؛ اما از آنجا كه در اين سطح، اثرات مغناطيسي سطحي پديدار مي.شود، شناخت اثرات مغناطيسي غير معمول، در اين سطح امري ضروري است.

فاميهيكو ماتسوي و همكارانش از مؤسسة علم و فناوري نارا(Nara) و ساير مؤسسات ژاپني، دو روشِ پراش الكترون اوگر و طيف.نمايي جذبي اشعة ايكس را با يكديگر ادغام. و روش جديدي ابداع كرده.اند. آنها بيشينه.هاي «تمركز رو به جلو» را ـ كه در طيف و در راستاي اتم.هاي موجود در سطحِ نمونه ظاهر مي.شدند ـ تحليل كردند. آنها توانستد كه از طريق ارزيابي شدت بيشينه.ها، بين ساختارهاي مغناطيسي و الكترونيكي لايه.هاي منفرد، تميز قائل شوند.

اين گروه، از اين روش جديد در تحليل ساختار مغناطيسي يك لاية نازكِ نيكل بر روي يك سطح مسي استفاده كردند. تاكنون ساختار مغناطيسي اتمي لايه.هاي نازك نيكل ناشناخته مانده بود؛ اين در حالي است كه دانشمندان مي.دانستند كه راستاي مغناطيسي .شدن در اين لايه.ها در سطح ماده، موازي بوده و با رفتن به عمق و در دهمين لاية اتمي به.صورت عمود در.مي.آيد. ماتسوي و همكارانش اين ناحية گذار را تحليل و گشتاورهاي مغناطيسي را در هر كدام از لايه.ها اندازه.گيري نمودند. شناخت دقيق نحوة تغيير اين گشتاورهاي مغناطيسي در درون اين ساختار مي.تواند در ساخت ابزارهاي ضبط مغناطيسي عمودي ـ كه چگالي ذخيره.سازي آنها سه .برابر بزرگ.تر از مواد ضبطِ طولي معمولي است ـ سودمند واقع گردد.

هم.اكنون براي تصويربرداري از ساختار اتمي، چندين روشِ پراش اتمي مورد استفاده قرار مي.گيرد كه هر يك مشكلات خاص خود را دارد؛ مثلاً طيف.نمايي تونلي روبشي تنها قادر به تحليل سطح نمونه است. روش طيف.نمايي پراشي ابداعي اين گروه مي.تواند براي نخستين بار به شكلي غير مخرب، خصوصيات مغناطيسي و الكتريكي لايه.هاي زيرسطحي را در مقياس اتمي به تصوير بكشد.

هم.اكنون اين محققان به دنبال توسعة روش خود به.منظور تحليل سطح ابررساناها هستند. ماتسوي در اين باره گفت:«ما توجه ويژه.اي به خصوصيات الكترونيكي وابسته و ساختار هندسي در گذار فاز ابررسانايي داريم.»
نتايج اين تحقيق در نشرية.Phys. Rev. Lett به چاپ رسيده.است

این صفحه را در گوگل محبوب کنید

[ارسال شده از: فان پاتوق]

[مشاهده در: www.funpatogh.com]

[تعداد بازديد از اين مطلب: 426]