تور لحظه آخری
امروز : دوشنبه ، 12 آذر 1403    احادیث و روایات:  امام محمد باقر(ع):روزه و حج آرام‏بخش دل‏هاست.
سرگرمی سبک زندگی سینما و تلویزیون فرهنگ و هنر پزشکی و سلامت اجتماع و خانواده تصویری دین و اندیشه ورزش اقتصادی سیاسی حوادث علم و فناوری سایتهای دانلود گوناگون شرکت ها

تبلیغات

تبلیغات متنی

صرافی ارکی چنج

صرافی rkchange

سایبان ماشین

دزدگیر منزل

تشریفات روناک

اجاره سند در شیراز

قیمت فنس

armanekasbokar

armanetejarat

صندوق تضمین

Future Innovate Tech

پی جو مشاغل برتر شیراز

آراد برندینگ

خرید یخچال خارجی

موسسه خیریه

واردات از چین

حمية السكري النوع الثاني

ناب مووی

دانلود فیلم

بانک کتاب

دریافت دیه موتورسیکلت از بیمه

طراحی سایت تهران سایت

irspeedy

درج اگهی ویژه

تعمیرات مک بوک

دانلود فیلم هندی

قیمت فرش

درب فریم لس

زانوبند زاپیامکس

روغن بهران بردبار ۳۲۰

قیمت سرور اچ پی

خرید بلیط هواپیما

بلیط اتوبوس پایانه

قیمت سرور dl380 g10

تعمیرات پکیج کرج

لیست قیمت گوشی شیائومی

خرید فالوور

پوستر آنلاین

بهترین وکیل کرج

بهترین وکیل تهران

خرید اکانت تریدینگ ویو

خرید از چین

خرید از چین

تجهیزات کافی شاپ

ساختمان پزشکان

محصولات فوراور

خرید سرور اچ پی ماهان شبکه

دوربین سیمکارتی چرخشی

همکاری آی نو و گزینه دو

کاشت ابرو طبیعی و‌ سریع

الک آزمایشگاهی

الک آزمایشگاهی

خرید سرور مجازی

قیمت بالابر هیدرولیکی

قیمت بالابر هیدرولیکی

قیمت بالابر هیدرولیکی

لوله و اتصالات آذین

قرص گلوریا

نمایندگی دوو در کرج

خرید نهال سیب

وکیل ایرانی در استانبول

وکیل ایرانی در استانبول

وکیل ایرانی در استانبول

رفع تاری و تشخیص پلاک

پرگابالین

دوره آموزش باریستا

مهاجرت به آلمان

بهترین قالیشویی تهران

بورس کارتریج پرینتر در تهران

تشریفات روناک

نوار اخطار زرد رنگ

 






آمار وبسایت

 تعداد کل بازدیدها : 1837051527




هواشناسی

نرخ طلا سکه و  ارز

قیمت خودرو

فال حافظ

تعبیر خواب

فال انبیاء

متن قرآن



اضافه به علاقمنديها ارسال اين مطلب به دوستان آرشيو تمام مطالب
 refresh

ترانزیستورهای CNTFET، گزینه ای محتمل برای جایگزینی MOSFET ها - سایت خبری فناوری اطلاعات isf


واضح آرشیو وب فارسی:isf: سمینارهای متعددی در کشور، در مورد ترانزیستورهای نانولوله ­ی کربنی تا به حال انجام شده و مقالات زیادی در این زمینه انتشار یافته است. بعضی از پژوهشگران به مباحث علمی جدید در این زمینه پرداخته­ اند. در این سمینارها از نظرات بعضی از محققان و اساتید دانشگاه، که در این زمینه فعال هستند، استفاده کردیم ، از جمله : دکتر کیوان ناوی­، دکتر محمد عشقی،دکتر شادرخ سماوی، دکتر مهدی دولتشاهی، دکتر محمد­ رضا رشادی­نژاد­ و دکتر مسعود جباری . این متن، چکیده و خلاصه­ای از مبانی این تحقیق می باشد.  به­ دلیل نیاز جامعه به کاهش حجم مدارهای محاسباتی، سرعت عملکرد بالا و توان مصرفی کم در سالهای اخیر، سایز ترانزیستورهای CMOS به طور مداوم، کاهش می­یافت. با کوچکتر کردن MOSFET­ها از 100 نانومتر، اثراتی پیش خواهد آمد که برای MOSFET­هـای بـا انـدازه­ هـای بزرگتر مهم نبوده­اند. وقتی­که کانال، کوتاه شود، کنترل الکتروستاتیکی گیت روی کانال بـه خـوبی صـورت نمی­گیرد و باعث اثرهای ­کانال ­­ -کوتاهی­ می­شود که منجر بـه نسـبت جریـان روشـن بـه خـاموش کمتـر و انحراف مشخصات ولتاژ – جریان آن از مشخصات متناظر برای MOSFET­های با طول بزرگتر مـی­شـود. بـرای MOSFET­های با کانال بزرگتر، انتقال بار از میان کانال از طریق عبور حامل­ها از بالای سد پتانسیل صـورت می­گیرد و جریان نشتی به خاطر اکسید گیت ضخیم، قابل صرف­نظر­کـردن اسـت ولـی در بعـد نـانو، هـم­تونل­زنی سورس و درین و هم­تونل­زنی گیت به طور عمده­ای جریان نشتی را افـزایش مـی­دهنـد و جریـان نشتی در تونل­زنی حالت خاموش نیز افزایش می­یابد. همچنین در کانال­های با طول کوتـاه، شـدت میـدان الکتریکی بسیار بالا می­رود. این میدان­ها با کمتر­شدن طول کانال در ابعاد نانو به نحو قابل توجهی افـزایش می­­یابند. این میدان­­های بزرگ دو پیامد مخرب را به ­همراه دارند؛ اول اینکـه جریـان­­هـای نشـتی بـالایی را تولید می­کنند و دوم اینکه اگر میدان خیلی بالا رود، شکست بهمنـی رخ­ داده کـه مـی­­توانـد مـوج جریـان بزرگی را تولید کرده و به افزاره آسیب کلی برساند. به تمامی این موارد می­­توان پیچیدگی ساخت در ابعـاد نانو را هم اضافه کرد که تغییر اندکی در پیاده­سازی اندازه­ها در این مقیـاس، باعـث خـروج افـزاره از ناحیـه عملکرد مورد نظر می شود. پدید­­آمدن مشکلات ذکر­ شده، باعث شده است کـه علـم طراحی مدارهای دیجیتال همـواره در­پـی یـافتن راه حـل­­­هـایی مناسب، برای غلبه بر این مشکلات و کاهش هرچه بیشتر اندازه افزاره­ها باشد. یکی از این راه­هـا، اسـتفاده از مواد جایگزین Si­، در افزاره­­ها بوده است. یعنی یافتن موادی که در مقیاس­های بسیار کوچک بتواننـد عملکرد بهتری نسبت به Si­، داشته و انتقال حامل­ها در آن­ها به صورت مؤثرتری قابل کنترل باشـد. یکی از گزینه­ها، استفاده از نانولوله­­های­کربنی به عنوان کانال در افزاره­هـای اثـر­میـدان مـی­­باشـد. نتـایج مطلوب بدست آمده از ساخت و شبیه­سازی این افزاره­ها، باعث طرح­شدن افـزاره­هـای اثـر­میـدان نانولولـه­­کربنی، به عنوان یکی از گزینه­های محتمل برای تکنولوژی ­های آتی ساخت مدارهای مجتمع دیجیتال شده است. به این ترانزیستورها CNTFET(Carbon Nanotube Field Effect Tansistor) می­گویند. هدایت الکتریکی نانولوله­­­کربنی، از خواص جالب توجه آن است. در مطالعات متعددی، میزان قابلیت تحرک­، که از آزمایش­های رسانایی در ترانزیستورها بدست می­آید، گزارش شده است و نوعاً در حدود 10 4 -10 3 سانتیمتر­ مربع بر ولت­ثانیه است. قرار­دادن عایق با ضریب دی­الکتریک بالا، بر روی نانولوله، قابلیت تحرک حامل را کاهش نمی­دهد که این امر به علت ساختار هندسی نانولوله است که منجر به حذف باندهای آویزان می­شود. این نانولوله­های ­کربنی،گرما را به صورت مؤثری انتقال می­­دهند از این­رو می­توانند به عنوان خنک­کننده­ی سریع عمل کنند. با توجه به کارایی خیره­کننده ترانزیستورهای نانولوله­­کربنی، تمایل محققین به سمت این حوزه، در سال­های اخیر، بیشتر شده. در سال 1991، ­Ijima، ساختاری جدید از مولکول­های کربن را به نام نانو­لوله­های ­­چند­دیواره­ی ­­کربنی­، معرفی کرد. در سال 1993، Ijima و همکارانش توانستند با ارائه نانو­لوله­های ­تک­دیواره­ی ­­کربنی، مشکلاتی را که بر سر راه MOSFET وجود­ داشت، برطرف­ کنند. نانولوله­ها، با کمک ورقه­ای از جنس گرافیت، که حول یک بردار، پیچیده شده است، تهیه می­شوند. با تغییر اندازه و جهت بردار فوق و همچنین، چینش اتم­ها حول محور نانولوله، می­توان قطر نانو­لوله را تغییر داد.  تغییر قطر، باعث می­شود که نانولوله در قطرهای گوناگون، خاصیت الکتریکی متفاوتی از خود نشان دهد.  به عنوان مثال، زمانی که رابطه­ی n-m≠ 3iبرقرار باشد، نانو­لوله از خود خاصیت نیمه­هادی نشان می­دهد. به ­همین ­دلیل، این ­ماده می­تواند به ­عنوان جایگزینی مناسـب در کانـال ترانزیـستور در نـظر گرفته شـود تا بتـوان ترانزیستورهایی با ابعاد کمتر از 22 نانومتر، ساخت. برای بیان مزایای استفاده از نانولولـه­هـای ­کربنی، در ساخت ترانزیستورها می­توان از عملکرد بدون­ عیب در مقیاس کمتر از 22 نانومتر، سرعت بسیار بالا به ­دلیل خاصیت انتقال بالستیک در طول کانال، توان مصرفی کم به­ دلیل ابعاد مینیاتوری،تولید جریان الکتریکی زیاد، تنظیم ولتاژ آستانه با تغییر قطر نانولوله، جنبش الکترونی زیاد، کنترل بهتر بر روی تشکیل کانال، هندسه و ابعاد مشابه نوع pو ­n، نام برد. با ساخت این ­ترانزیستورها، دریچه­ای جدید بر محقّقان­، گشوده شد که باعث ارائه­ی مقالات بسیاری در چند سال گذشته بوده است. در میان خواص گوناگون نانولوله­کربنی از ­همه ­بیشتر، خاصیت تغییر ولتاژ آستانه، توجه طرّاحان را به ­خود جلب کرد. ولتاژ آستانه­ی ترانزیستور رابطه­ای عکس با قطر نانولوله دارد. از آن­جا­ که قطر نانولوله قابل تغییر است، ولتاژ آستانه­ی این نوع ترانزیستورها را می­توان تغییر داد تهیه و تنظیم : محمد رضا همتی وابسته به گروه فن آوا


پنجشنبه ، ۱۸آذر۱۳۹۵


[مشاهده متن کامل خبر]





این صفحه را در گوگل محبوب کنید

[ارسال شده از: isf]
[مشاهده در: www.isfictnews.ir]
[تعداد بازديد از اين مطلب: 35]

bt

اضافه شدن مطلب/حذف مطلب







-


گوناگون

پربازدیدترینها
طراحی وب>


صفحه اول | تمام مطالب | RSS | ارتباط با ما
1390© تمامی حقوق این سایت متعلق به سایت واضح می باشد.
این سایت در ستاد ساماندهی وزارت فرهنگ و ارشاد اسلامی ثبت شده است و پیرو قوانین جمهوری اسلامی ایران می باشد. لطفا در صورت برخورد با مطالب و صفحات خلاف قوانین در سایت آن را به ما اطلاع دهید
پایگاه خبری واضح کاری از شرکت طراحی سایت اینتن