محبوبترینها
نمایش جنگ دینامیت شو در تهران [از بیوگرافی میلاد صالح پور تا خرید بلیط]
9 روش جرم گیری ماشین لباسشویی سامسونگ برای از بین بردن بوی بد
ساندویچ پانل: بهترین گزینه برای ساخت و ساز سریع
خرید بیمه، استعلام و مقایسه انواع بیمه درمان ✅?
پروازهای مشهد به دبی چه زمانی ارزان می‌شوند؟
تجربه غذاهای فرانسوی در قلب پاریس بهترین رستوران‌ها و کافه‌ها
دلایل زنگ زدن فلزات و روش های جلوگیری از آن
خرید بلیط چارتر هواپیمایی ماهان _ ماهان گشت
سیگنال در ترید چیست؟ بررسی انواع سیگنال در ترید
بهترین هدیه تولد برای متولدین زمستان: هدیه‌های کاربردی برای روزهای سرد
در خرید پارچه برزنتی به چه نکاتی باید توجه کنیم؟
صفحه اول
آرشیو مطالب
ورود/عضویت
هواشناسی
قیمت طلا سکه و ارز
قیمت خودرو
مطالب در سایت شما
تبادل لینک
ارتباط با ما
مطالب سایت سرگرمی سبک زندگی سینما و تلویزیون فرهنگ و هنر پزشکی و سلامت اجتماع و خانواده تصویری دین و اندیشه ورزش اقتصادی سیاسی حوادث علم و فناوری سایتهای دانلود گوناگون
مطالب سایت سرگرمی سبک زندگی سینما و تلویزیون فرهنگ و هنر پزشکی و سلامت اجتماع و خانواده تصویری دین و اندیشه ورزش اقتصادی سیاسی حوادث علم و فناوری سایتهای دانلود گوناگون
آمار وبسایت
تعداد کل بازدیدها :
1827069558
ثبت اختراعی دیگر از محققان دانشگاه سمنان در حوزه برق
واضح آرشیو وب فارسی:خبر آنلاین: ثبت اختراعی دیگر از محققان دانشگاه سمنان در حوزه برق استان‌ها > سمنان - «ترانزیستور نانو مقیاس اثر میدانی باله ای با کانال اصلاح شده مدور» توسط محققان دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر دانشگاه سمنان با همکاری پارک علم و فناوری این دانشگاه ثبت اختراع شد
به گزارش خبرگزاری خبرانلاین ، داود معروفی مسئول مرکز مالکیت فکری پارک علم و فناوری دانشگاه سمنان با اعلام این خبر گفت: «ترانزیستور نانو مقیاس اثر میدانی باله ای با کانال اصلاح شده مدور» توسط دکتر علی اصغر اروجی عضو هیأت علمی دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر دانشگاه سمنان، فاطمه کریمی دانشجوی دکتری این رشته و پارک علم و فناوری دانشگاه سمنان در اداره کل مالکیت صنعتی و ثبت اختراع به شماره 88721 به ثبت رسید.
دکتر اروجی در توضیح این اختراع گفت: این ساختار برای اولین بار است که روی ترانزیستور اثر میدانی باله ای شکل با تکنولوژی سیليسیم بر روی عایق ارائه شده و با توجه به مراحل ساخت ساده و مزایایی که دارد ، کاندیدای مناسبی برای ساخت ترانزیستور با تکنولوژی ذکر شده پیشنهاد می شود.
وی افزود: در این ساختار از دو راه کار همزمان باریک کردن قسمت بالایی کانال و گستردگی مدور سمت پایینی کانال استفاده شده و با این نوع اصلاح اثرخودگرمایی، اثرات کانال کوتاه، اثر حاملهای داغ، قابلیت اطمینان به ساختار، طول عمر، سرعت افزاره و بدنبال آن ولتاژ شکست ساختار بطور همزمان بهبود یافته است
کلید واژه ها: استان سمنان -
یکشنبه 20 تیر 1395 - 18:29:52
این صفحه را در گوگل محبوب کنید
[ارسال شده از: خبر آنلاین]
[مشاهده در: www.khabaronline.ir]
[تعداد بازديد از اين مطلب: 95]
-
گوناگون
پربازدیدترینها