محبوبترینها
آیا میشود فیستول را عمل نکرد و به خودی خود خوب میشود؟
مزایای آستر مدول الیاف سرامیکی یا زد بلوک
سررسید تبلیغاتی 1404 چگونه می‌تواند برندینگ کسب‌وکارتان را تقویت کند؟
چگونه با ثبت آگهی رایگان در سایت های نیازمندیها، کسب و کارتان را به دیگران معرفی کنید؟
بهترین لوله برای لوله کشی آب ساختمان
دانلود آهنگ های برتر ایرانی و خارجی 2024
ماندگاری بیشتر محصولات باغ شما با این روش ساده!
بارش‌های سیل‌آسا در راه است! آیا خانه شما آماده است؟
بارش‌های سیل‌آسا در راه است! آیا خانه شما آماده است؟
قیمت انواع دستگاه تصفیه آب خانگی در ایران
نمایش جنگ دینامیت شو در تهران [از بیوگرافی میلاد صالح پور تا خرید بلیط]
صفحه اول
آرشیو مطالب
ورود/عضویت
هواشناسی
قیمت طلا سکه و ارز
قیمت خودرو
مطالب در سایت شما
تبادل لینک
ارتباط با ما
مطالب سایت سرگرمی سبک زندگی سینما و تلویزیون فرهنگ و هنر پزشکی و سلامت اجتماع و خانواده تصویری دین و اندیشه ورزش اقتصادی سیاسی حوادث علم و فناوری سایتهای دانلود گوناگون
مطالب سایت سرگرمی سبک زندگی سینما و تلویزیون فرهنگ و هنر پزشکی و سلامت اجتماع و خانواده تصویری دین و اندیشه ورزش اقتصادی سیاسی حوادث علم و فناوری سایتهای دانلود گوناگون
آمار وبسایت
تعداد کل بازدیدها :
1855295935
ثبت اختراعی دیگر از محققان دانشگاه سمنان در حوزه برق
واضح آرشیو وب فارسی:خبر آنلاین: ثبت اختراعی دیگر از محققان دانشگاه سمنان در حوزه برق استان‌ها > سمنان - «ترانزیستور نانو مقیاس اثر میدانی باله ای با کانال اصلاح شده مدور» توسط محققان دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر دانشگاه سمنان با همکاری پارک علم و فناوری این دانشگاه ثبت اختراع شد
به گزارش خبرگزاری خبرانلاین ، داود معروفی مسئول مرکز مالکیت فکری پارک علم و فناوری دانشگاه سمنان با اعلام این خبر گفت: «ترانزیستور نانو مقیاس اثر میدانی باله ای با کانال اصلاح شده مدور» توسط دکتر علی اصغر اروجی عضو هیأت علمی دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر دانشگاه سمنان، فاطمه کریمی دانشجوی دکتری این رشته و پارک علم و فناوری دانشگاه سمنان در اداره کل مالکیت صنعتی و ثبت اختراع به شماره 88721 به ثبت رسید.
دکتر اروجی در توضیح این اختراع گفت: این ساختار برای اولین بار است که روی ترانزیستور اثر میدانی باله ای شکل با تکنولوژی سیليسیم بر روی عایق ارائه شده و با توجه به مراحل ساخت ساده و مزایایی که دارد ، کاندیدای مناسبی برای ساخت ترانزیستور با تکنولوژی ذکر شده پیشنهاد می شود.
وی افزود: در این ساختار از دو راه کار همزمان باریک کردن قسمت بالایی کانال و گستردگی مدور سمت پایینی کانال استفاده شده و با این نوع اصلاح اثرخودگرمایی، اثرات کانال کوتاه، اثر حاملهای داغ، قابلیت اطمینان به ساختار، طول عمر، سرعت افزاره و بدنبال آن ولتاژ شکست ساختار بطور همزمان بهبود یافته است
کلید واژه ها: استان سمنان -
یکشنبه 20 تیر 1395 - 18:29:52
این صفحه را در گوگل محبوب کنید
[ارسال شده از: خبر آنلاین]
[مشاهده در: www.khabaronline.ir]
[تعداد بازديد از اين مطلب: 97]
-
گوناگون
پربازدیدترینها