محبوبترینها
نمایش جنگ دینامیت شو در تهران [از بیوگرافی میلاد صالح پور تا خرید بلیط]
9 روش جرم گیری ماشین لباسشویی سامسونگ برای از بین بردن بوی بد
ساندویچ پانل: بهترین گزینه برای ساخت و ساز سریع
خرید بیمه، استعلام و مقایسه انواع بیمه درمان ✅?
پروازهای مشهد به دبی چه زمانی ارزان می‌شوند؟
تجربه غذاهای فرانسوی در قلب پاریس بهترین رستوران‌ها و کافه‌ها
دلایل زنگ زدن فلزات و روش های جلوگیری از آن
خرید بلیط چارتر هواپیمایی ماهان _ ماهان گشت
سیگنال در ترید چیست؟ بررسی انواع سیگنال در ترید
بهترین هدیه تولد برای متولدین زمستان: هدیه‌های کاربردی برای روزهای سرد
در خرید پارچه برزنتی به چه نکاتی باید توجه کنیم؟
صفحه اول
آرشیو مطالب
ورود/عضویت
هواشناسی
قیمت طلا سکه و ارز
قیمت خودرو
مطالب در سایت شما
تبادل لینک
ارتباط با ما
مطالب سایت سرگرمی سبک زندگی سینما و تلویزیون فرهنگ و هنر پزشکی و سلامت اجتماع و خانواده تصویری دین و اندیشه ورزش اقتصادی سیاسی حوادث علم و فناوری سایتهای دانلود گوناگون
مطالب سایت سرگرمی سبک زندگی سینما و تلویزیون فرهنگ و هنر پزشکی و سلامت اجتماع و خانواده تصویری دین و اندیشه ورزش اقتصادی سیاسی حوادث علم و فناوری سایتهای دانلود گوناگون
آمار وبسایت
تعداد کل بازدیدها :
1827901535
تأثیر نسل آتی حافظههای فوق سریع در افزایش سرعت بوت
واضح آرشیو وب فارسی:سایت ریسک: View Full Version : تأثیر نسل آتی حافظههای فوق سریع در افزایش سرعت بوت rtech23rd August 2008, 01:45 AMسرویس اخبار خارجی ایتنا - رمهای مغناطیسی با داشتن توانائی برای ذخیره اطلاعات حجیم آن هم با سرعت بالا و حتی حفظ این اطلاعات در هنگام قطع برق، قادر خواهند بود تا ویژگی بوت آنی (Instant Boot) را در کامپیوترها و تجهیزات موبایل فراهم آورند. دانشمندان آلمانی موفق به ساخت نسل بعدی حافظههای رم مغناطیسی (MRAM) شدند. گفته میشود سرعت این حافظه‌ها میتواند تا جائی که محدودیت‌های اساسی و بنیادی اجازه می‌دهند افزایش یابد. به گفته محققین، رمهای مغناطیسی با داشتن توانائی برای ذخیره اطلاعات حجیم آن هم با سرعت بالا و حتی حفظ این اطلاعات در هنگام قطع برق، قادر خواهند بود تا ویژگی بوت آنی (Instant Boot) را در کامپیوترها و تجهیزات موبایل فراهم آورند. پی‌سی‌های امروزی معمولاً از حافظههای دینامیک یا استاتیک (SRAM و DRAM) که اطلاعات را با استفاده از شارژ الکتریکی بر روی خود ذخیره می‌کنند استفاده می‌نمایند. با وجود اینکه این حافظه‌ها از سرعت قابل قبولی برخوردار می‌باشند، اما در زمان قطع برق کلیه اطلاعات موجود بر روی آنها از دست خواهد رفت که به همین دلیل به آنها «حافظههای فرّار» نیز گفته میشود. Hans Werner Schumacher یکی از محققین پروژه حافظههای مغناطیسی MRAM از Physikalisch-Technische Bundesanstalt (PTB) می‌گوید: «حافظههای فرّار در زمان قطع برق اطلاعات خود را از دست می‌دهند. به همین دلیل است که شما در هنگام بوت شدن سیستم خود مجبور هستید تا برای مدتی منتظر بمانید.» «در مدت زمانی که سیستم بوت میشود، کامپیوتر اطلاعاتی را از روی هارد دیسک برداشته و بر روی حافظههای غیرفرّار سیستم می‌نویسد.» Schumacher از حافظههای فلش بعنوان نمونه‌ای از حافظههای غیرفرّار نام برد. امروزه از این حافظه‌ها در برخی از تجهیزات موبایل و دوربین‌ها و همچنین در مدل‌هایی از کامپیوترها مانند دستگاه‌های OLPC و Eee PC ایسوس استفاده میشود. MRAM نمونه دیگری از حافظههای غیرفرّار است که در ماژول‌های نسل اولیه آن، پالس‌های میدان مغناطیسی برای ذخیرۀ اطلاعات بصورت مغناطیسی بکار گرفته می‌شوند. درحال حاضر از این حافظه‌ها در کاربردهای اتوماسیون و همچنین برنامه‌های صنعتی استفاده میشود. پیش‌بینی میشود با ارتقاء این حافظه‌ها و کاهش قیمت آنان، امکان استفاده از این نوع رم‌ها در پی‌سی‌ها فراهم گردد. به گفته متخصصین چنانچه بتوان اطلاعات مربوط به بوت شدن سیستم را در حافظههای سریعی که اطلاعات آنان با قطع برق از بین نرود ذخیره نمود، مدت زمان لازم برای بوت شدن سیستم به زیر یک ثانیه خواهد رسید. سایت ما را در گوگل محبوب کنید با کلیک روی دکمه ای که در سمت چپ این منو با عنوان +1 قرار داده شده شما به این سایت مهر تأیید میزنید و به دوستانتان در صفحه جستجوی گوگل دیدن این سایت را پیشنهاد میکنید که این امر خود باعث افزایش رتبه سایت در گوگل میشود
این صفحه را در گوگل محبوب کنید
[ارسال شده از: سایت ریسک]
[مشاهده در: www.ri3k.eu]
[تعداد بازديد از اين مطلب: 421]
-
گوناگون
پربازدیدترینها