نمايش تحرك‌ پذيري بالاي الكترون، با استفاده از ترانزيستورهاي C60

واضح آرشیو وب فارسی:ایسکانیوز: نمايش تحرك‌ پذيري بالاي الكترون، با استفاده از ترانزيستورهاي C60

تهران- خبرگزاري ايسكانيوز: محققان انگليسي و هلندي موفق شدند ترانزيستورهاي اثر- ميداني كانالي با عملكرد بالا بسازند كه با تحرك‌پذيري الكتروني بالا در كاربردهايي مانند الكترونيك آلي بزرگ ‌مقياس سودمند است.

به گزارش روز چهارشنبه باشگاه خبرنگاران دانشجويي ايران"ايسكانيوز"، اكثر تحقيقات انجام‌شده در مورد ترانزيستورهاي لايه‌نازك بر روي ترانزيستورهاي p-كانالي صورت گرفته‌است، كه علت آن را مي‌توان به پايداري محيطي ضعيف و تحرك‌پذيري حامل اثر- ميداني پايين در ترانزيستورهاي n-كانالي نسبت داد.
بر اين اساس، با اين حال، مدارهاي منطقي آلي با عملكرد بالا؛ مانند درگاه‌هاي منطقي مكمل مثل وارونه‌سازهاي ولتاژ، NOR، NAND، درگاه‌ها، و... به هردو ترانزيستور n- وp-كانالي نياز دارند و علاوه بر اين، بهترين افزاره‌هاي n-كانالي ـ كه تا به امروز شناخته شده‌اند ـ الگودهي و فراوري دشواري دارند.
به گزارش ايسكانيوز و به نقل ازنانو، توماس آنتوپولوس، از امپريال كالج لندن و همكارانش از دانشگاه گرونينگن و فيليپس آيند هاون، با ساخت ترانزيستورهاي ترابرد الكتروني(n-كانالي) با تحرك‌پذيري بالا، و مدارهاي مجتمعي ـ كه براساس نيم‌رساناهاي آلي فراوري‌شده با محلول مي‌باشد، توانستند بر اين مشكلات غلبه كنند و از مشتقات مختلف فولرن C60 ـ كه شامل فولراين است تشكيل شده‌اند.
بر اساس اين گزارش، محققان فهميده‌اند كه تحرك‌پذيري بالاي الكتروني به‌طور مستقيم از افزاره‌هاي فراوري‌شده در دماي اتاق به دست مي‌آيد، بدون اينكه نيازي به مرحله‌هاي فراوري بعدي مانند پخت گرمايي و يا بخار وجود داشته باشد.
اين افزاره‌ها با به‌كارگيري الكترودهاي طلاي چشمه/دررو (gold source/drain electrodes) و استفاده از معماري ترانزيستوري عمق-درگاه، عمق-تماس(BG-BC) ساخته شده‌اند.
آنتوپولوس مي‌گويد:«ساختار BG-BC از نظر فناوري بسيار جالب است، زيرا با استفاده از روش‌هاي استاندارد فوتوليتوگرافي قابل ساخت است.»
وي گفت:با اعمال يك ولتاژ باياس صحيح به الكترودهاي چشمه، دررو، و درگاه، جريان كانال مي‌تواند بيش از شش مرتبه دامنه مدوله‌سازي گردد كه اين به معناي آن است كه از اين افزاره‌ها مي‌توان به‌عنوان سوئيچ‌هاي الكترونيكي نيز استفاده كرد.
اين گروه با مجتمع‌سازي چنين ترانزيستورهاي n-كانالي، قادر به طراحي و ساخت مدارهاي منطقي پيچيده‌اي مانند نوسانگرهاي حلقه‌اي چندمرحله‌اي شدند.
محققاني مانند گروه آنتوپولوس قبل از اين نيز گزارش‌هايي در مورد OFETهاي n-كانالي با تحرك‌پذيري بالا ـ كه از مشتقات فولرن قابل فراوري در محلول ساخته مي‌شوند ـ ارائه كرده بودند با اين حال، اكثر اين كارها بر اساس ساختارهاي ترانزيستوري BG-BC استوار است كه از كانال‌هايي با طول بيش از 20 ميكرومتر و الكترودهاي چشمه-دررو بسيار اكسيدشونده استفاده كرده‌اند.
به همين دليل مجتمع‌سازي آنها به‌صورت افزاره‌اي مشكل بوده و اين كار جديد با به‌كارگيري الكترودهاي طلاي چشمه –دررو ـ كه در هوا پايدار هستند ـ به‌طور موفقيت‌آميزي فعاليت n-كانالي با كارايي بالا را با ساختارهاي BG-BC ـ كه روش ساخت ساده‌اي دارند ـ تركيب مي‌كند.
كاربردهاي اين افزاره‌هاي جديد شامل صفحه نمايش‌هاي اپتيكي بديع؛ مانند صفحه نمايش‌هاي انعطاف‌پذير و رولت‌شونده كه براساس LEDهاي آلي هستند، و مدارهاي الكترونيكي ارزان‌قيمت مانند برچسب‌هاي شناسايي راديوفركانسي(RFID) است./146/120
چهارشنبه 27 شهريور 1387

این صفحه را در گوگل محبوب کنید

[ارسال شده از: ایسکانیوز]

[مشاهده در: www.iscanews.ir]

[تعداد بازديد از اين مطلب: 1570]