تبلیغات
تبلیغات متنی
محبوبترینها
ساقدوش کیست ؟ | وظیفه ساقدوش در مراسم عقد و عروسی چیست ؟
قایق‌سواری تالاب انزلی؛ تجربه‌ای متفاوت با چاشنی تخفیف
چگونه ویزای توریستی فرانسه را بگیریم؟
معرفی و فروش بوته گرافیتی ریخته گری
بهترین بروکر برای معاملات فارکس در سال 2024
تجربه رانندگی با لندکروز در جزیره قشم؛ لوکس‌ترین انتخاب
اکسپرتاپ: 10 شغل پردرآمد برای مهاجران کاری در کانادا
صفحه اول
آرشیو مطالب
ورود/عضویت
هواشناسی
قیمت طلا سکه و ارز
قیمت خودرو
مطالب در سایت شما
تبادل لینک
ارتباط با ما
مطالب سایت سرگرمی سبک زندگی سینما و تلویزیون فرهنگ و هنر پزشکی و سلامت اجتماع و خانواده تصویری دین و اندیشه ورزش اقتصادی سیاسی حوادث علم و فناوری سایتهای دانلود گوناگون
مطالب سایت سرگرمی سبک زندگی سینما و تلویزیون فرهنگ و هنر پزشکی و سلامت اجتماع و خانواده تصویری دین و اندیشه ورزش اقتصادی سیاسی حوادث علم و فناوری سایتهای دانلود گوناگون
آمار وبسایت
تعداد کل بازدیدها :
1816379642
ترانزیستورهای TFET، تحولی بزرگ در دنیای الکترونیک و کامپیو تر
واضح آرشیو وب فارسی:شهر سخت افزار: بر کسی پوشیده نیست که دنیای امروزی به شدت بر تراشه های دیجیتال و پردازنده ها متکی است و روز به روز نیاز برای قدرت پردازشی بیشتر آنهم با مصرف انرژی کمتر بیشتر می شود. با اینکه می توان با گنجاندن تعداد بیشتری ترانزیستور در تراشه ها، به قدرت پردازشی بیشتری دست پیدا کرد، اما با این کار، انرژی مصرفی تراشه افزایش می یابد. اکنون پژوهشگران ترانزیستورهایی را ابداع کرده اند که می تواند دنیا را متحول کند. پژوهشگرانی از دانشگاه سانتا باربرا کالیفرنیا و دانشگاه رایس، ترانزیستوری را طراحی کرده اند که برای سویچ کردن، به ولتاژ بسیار ناچیز 0.1 ولت نیاز دارد. این ترانزیستورهای اثر میدانی تونل یا به اختصار TFET، می توانند میزان مصرف انرژی در تمامی وسائل دیجیتال پیرامون ما را، از ساعت های مچی تا گوشی های موبایل و لپ تاپ، تا 90 درصد نسبت به ماسفت های فعلی کاهش دهند. مشکلی که پژوهشگران به دنبال یافتن راه حلی برای آن هستند، چنین شرح داده شده است: «از سال 1970 تاکنون، ماسفت ها در تمامی وسائل الکترونیکی پیرامون ما به کار می روند. با این حال در راستای برآورده کرده نیاز روز افزون برای افزایش چگالی ترانزیستور ها، کوچک سازی ماسفت های فعلی که امروزه استفاده می شوند، به دلیل محدودیت های ذاتی، با افزایش انرژی مورد نیاز همراه است [و این مطلوب نیست]» پروفسور کاوستاو بانرجی، استاد الکترونیک و مهندسی کامپیو تر در دانشگاه سانتا باربارا، مزیت ترانزیستورهای TFET نسبت به ماسفت های فعلی را چنین شرح می دهد: «مقطعی که با اعمال ولتاز، ترانزیستور در آن فعال می شود و سویچ می کند، در ماسفت های معمولی و در دمای اتاق نمی تواند کمتر از 60mV/decade باشد اما در ترانزیستورهای TFET، این مقدار حدود 30mV/decade و بسیار ایده آل است» پیش بینی می شود که دست آورد این تیم پژوهشگی، گام موثری در راستای دست یابی به ترانزیستورهای کم مصرف تر و نهایتاً تراشه های قدرتمند تر باشد. کاهش انرژی مورد نیاز ترانزیستور ها، امکان گنجاندن تعداد بیشتری از آن ها را در تراشه ها و به منظور دست یابی به قدرت پردازشی بیشتر، فراهم می کند. منبع: hexus
شنبه ، ۲۱آذر۱۳۹۴
[مشاهده متن کامل خبر]
این صفحه را در گوگل محبوب کنید
[ارسال شده از: شهر سخت افزار]
[مشاهده در: www.shahrsakhtafzar.com]
[تعداد بازديد از اين مطلب: 10]
-
گوناگون
پربازدیدترینها