محبوبترینها
نمایش جنگ دینامیت شو در تهران [از بیوگرافی میلاد صالح پور تا خرید بلیط]
9 روش جرم گیری ماشین لباسشویی سامسونگ برای از بین بردن بوی بد
ساندویچ پانل: بهترین گزینه برای ساخت و ساز سریع
خرید بیمه، استعلام و مقایسه انواع بیمه درمان ✅?
پروازهای مشهد به دبی چه زمانی ارزان می‌شوند؟
تجربه غذاهای فرانسوی در قلب پاریس بهترین رستوران‌ها و کافه‌ها
دلایل زنگ زدن فلزات و روش های جلوگیری از آن
خرید بلیط چارتر هواپیمایی ماهان _ ماهان گشت
سیگنال در ترید چیست؟ بررسی انواع سیگنال در ترید
بهترین هدیه تولد برای متولدین زمستان: هدیه‌های کاربردی برای روزهای سرد
در خرید پارچه برزنتی به چه نکاتی باید توجه کنیم؟
صفحه اول
آرشیو مطالب
ورود/عضویت
هواشناسی
قیمت طلا سکه و ارز
قیمت خودرو
مطالب در سایت شما
تبادل لینک
ارتباط با ما
مطالب سایت سرگرمی سبک زندگی سینما و تلویزیون فرهنگ و هنر پزشکی و سلامت اجتماع و خانواده تصویری دین و اندیشه ورزش اقتصادی سیاسی حوادث علم و فناوری سایتهای دانلود گوناگون
مطالب سایت سرگرمی سبک زندگی سینما و تلویزیون فرهنگ و هنر پزشکی و سلامت اجتماع و خانواده تصویری دین و اندیشه ورزش اقتصادی سیاسی حوادث علم و فناوری سایتهای دانلود گوناگون
آمار وبسایت
تعداد کل بازدیدها :
1829363227
ساخت حافظهی نانولولهای با سرعت بسیار بالا
واضح آرشیو وب فارسی:تبیان: ساخت حافظهی نانولولهای با سرعت بسیار بالا
محققانی در فنلاند برای اولین بار موفق به ساخت حافظههای مبتنی بر ترانزیستور اثر میدانی نانولولهای شدهاند؛ این حافظهها دارای سرعت عملیاتی بالای 100 نانوثانیه (105 برابر سرعت بهترین افزارههای نانولولهای قبلی) هستند، که میزان قابل رقابت با حافظههای فلش مبتنی بر سیلیکون تجاری با زمانهای نوشتن و پاک کردن بیش از 100 میکرو ثانیه است.پایوی تورما، یکی از این محققان، گفت: «نتایج ما بسیار حیرت آور است، زیرا این روش برای ساخت ترانزیستورهای اثر میدانی بهینه نشده است یا همانند روش ساخت حافظهی فلش تجاری توسعه نیافته است. دیگر یافتهی جالب در این کار بادوام بودن این حافظههای نانولولهای است که میتوانند برای بیش از 104 چرخه عمل کنند. این طول عمر اغلب برای حافظههای فلش است.این محققان در ساخت حافظهی ترانزیستور اثر میدانی نانولولهی کربنی تکجداره (CNT- FET) خود، ابتدا با استفاده از ترسیم لایهی اتمی یک لایهی HfO2 را روی نوک ویفر سیلیکونی آلاییدهای رشد دادند که به عنوان یک گیت پشتیبانی نیز عمل میکرد، سپس این محققان نانولولهها را از یک سوسپانسیون روی این لایه پخش کردند و آنها را با کمک یک میکروسکوپ نیروی اتمی با دقت در یک ماتریس نشانگر همجهت از پیش تعریف شده، قرار دادند. در مرحلهی بعدی نانولولهها با استفاده از لیتوگرافی پرتوی الکترونی به الکترودهای پلاتین متصل و نهایتا لایهی دیگری از روی نوک این افزاره ترسیب شد که به عنوان یک لایه غیر فعالساز برای کاهش اثرات سطحی عمل میکرد.تورما گفت: «سرعت عملیاتی بسیار بالاست که احتمالاً ناشی از خواص ترکیبی نانولولههای کربنی ودی الکترنیک است. خواص الکتریکی نانولولههای کربنی برای عملیات بسیار سریع، خیلی مناسب است. نانولولهها نسبت به محیط الکتریکی پیرامون خود بسیار حساس هستند. دیالکتریک گیت ، دارای نقایص ساختاری است که میتوانند بهطور موثری با حاملهای بار در نانولولههای کربنی شارژ یا تخلیه شوند.اگر چه این حافظهها در درایوهای سخت حافظهی فلش نیز کاربرد دارند؛ با توجه به اینکه نیاز چندانی به ولتاژهای عملیاتی ندارند، همچنین نانومقیاس بودن اجزایشان (که این امکان را میدهد تا در مساحت کوچکی بسیار فشرده شوند) برای استفاده در افزارههای قابل حمل از قبیل درایوهای حافظهی USB, PDA، لپتاپها و گوشیهای تلفن همراه مناسبترند، ساختار کنونی هنوز برای تولید انبوه مناسب نیست؛ زیرا در آن از گیتهای سراسری استفاده میشود، در حالی که این مشکل با استفاده از یک ساختار گیت موضعی قابل حل است. این راهحل همچنین میتواند منجر به سازگاری فرایند ساخت این افزاره با فرآیند ساخت الکترونیک سیلیکونی مرسوم شود. چالش دیگر موجود در این زمینه خواص الکتریکی نانولههای کربنی و مکانشان روی تراشه است که باید بهتر کنترل شوند.تورما گفت: «به دلیل اینکه سرعت این افزارهها ممکن است از طریق دستگاه اندازهگیریمان محدود شود، ما علاقهمندیم تا محدودیت ذاتی سرعت این حافظههای نانولولهای را بررسی کنیم.»نتایج این تحقیق در مجلهی Nano Letters منتشر شده است. منبع:فناوری نانوتنظیم برای تبیان: محسن مرادی
این صفحه را در گوگل محبوب کنید
[ارسال شده از: تبیان]
[مشاهده در: www.tebyan.net]
[تعداد بازديد از اين مطلب: 772]
-
گوناگون
پربازدیدترینها