ابداع سيستمي براي افزايش گنجايش ديسك هاي سخت رايانه

واضح آرشیو وب فارسی:بازتاب آنلاین: ابداع سيستمي براي افزايش گنجايش ديسك هاي سخت رايانه
محققان ژاپني موفق به ثبت شيوه اي جديد براي افزايش ميزان گنجايش ديسكهاي سخت و حافظه هاي موقت در رايانه ها شدند.
فيزيكدانان ژاپني با استفاده از تغييرات مغناطيسي موفق با ارائه شيوه اي براي توليد حافظه رايانه با عملكرد بالا شدند.
شيوه عملكرد ديسكهاي سخت رايج در رايانه هاي امروزي استفاده از الكترومغناطيس براي ضربه زدن به توده اي از دامنه هاي مغناطيسي (محدوده هاي باريكي در درون مواد مغناطيسي كه به تنهايي داراي خصوصيات مغناطيسي اعم از نيروي مغناطيسي و قطب هاي شمال و جنوب هستند) براي ايجاد نوسان در ميان دو جهت مشخص است تا از اين طريق صفر و يك هاي ديجيتال را كدگذاري كند. حافظه ) نيز از اين شيوه استفاده مي كند . RAM موقت رايانه ها (
اما محققان ژاپني ها اثبات كردند كه مي توان دامنه هاي مغناطيسي را در مواد نيمه رسانا و بدون استفاده از آهن ربا يا مغناطيس تغيير داد. آنها براي انجام اين نظريه از يك ميدان الكتريكي كه با اعمال نيروي الكتريكي در نزديكي يك الكترود ايجاد شده بود در تغيير دامنه مغناطيسي استفاده كرده و نشان دادند اين عمل مي تواند ضربه زدن به دامنه هاي مغناطيسي را ساده تر و موثرتر از آنچه اكنون هست كرده و حافظه اي فشرده تر و سريع تر را ايجاد كند.
همچنين دانشمندان براي اولين بار با استفاده از اعمال ميدان الكتريكي در تغيير چگالي حاملان بارهاي الكتريكي اثبات كردند كه اين تغيير چگالي مي تواند مسير دامنه هاي مغناطيسي را تا 10 درجه تغيير مسير داده و در شرايط ايده آل صفر و يك هاي ديجيتالي را در جهت معكوس قرار دهد.
بر اساس گزارش نيوساينتيست به گفته محققان در صورتي كه بتوان ميزان اين چرخش را با استفاده از تنظيم شيميايي مواد به 180 استفاده كرد . MRAM درجه رساند مي توان از اين شيوه در ساخت سلول هاي حافظه اي حافظه هاي
در حال حاضر محققان در تلاشند با ايجاد تغييرات شيميايي بتوانند ميزان چرخش دامنه ها را افزايش داده و همچنين با ايجاد شيوه اي جديد در استفاده از ميدانهاي الكتريكي از ميزان مصرف انرژي حافظه هاي رايانه اي بكاهند.
سه شنبه 23 مهر 1387

این صفحه را در گوگل محبوب کنید

[ارسال شده از: بازتاب آنلاین]

[مشاهده در: www.baztabonline.com]

[تعداد بازديد از اين مطلب: 86]