واضح آرشیو وب فارسی:سایت ریسک: View Full Version : حافظه های رایانه ایی جدید در راهند raya27th October 2007, 09:50 AMحافظه هاي رايانه اي جديد در راهندشنبه 5 آبان ماه 1386 04:40 کاربران ثبت نام کرده قادر به مشاهده لینک می باشند کاربران ثبت نام کرده قادر به مشاهده لینک می باشند محققان دانشگاه پنسيلوانيا نانونيسم هايي ابداع کردند که قادر به ذخيره اطلاعات و داده هاي رايانه اي به مدت 100 هزار سال بوده و بازيابي اطلاعات در اين فناوري هزار بار سريع تر از حافظه هاي سبک و قابل حمل رايج نظير حافظه هاي فلش (Flash) و ميکروحافظه هاست. همچنين توان کمتري مصرف کرده و فضاي کوچکتري را مورد استفاده قرار مي دهند. اين حافظه ها از مواد خود تنظيم «فلورايد آنتيموان ژرمانيم» هستند. موادي با قابليت تبديل فاز که بين حالت بلوري و غيرشفاف توانايي تعويض جريان را دارند و به منزله کليدي براي خواندن / نوشتن از حافظه هاي رايانه اي هستند. ساخت اين نانو ابزارها بدون استفاده از روش ليتوگرافي مرسوم انجام شد. در اين روش که يک فرآيند توليد بالا به پايين و کند است، مواد شيميايي قوي به کار گرفته شده و اغلب محصولاتي با محدوديت فضايي به لحاظ حجم، اندازه و کارايي توليد مي کند. در عوض محققان روش خود تنظيم را به کار بردند که طي آن مواد شيميايي در دماي پاييني که توسط نانو کاتاليزورهاي فلزي توليد مي شود، براي شکل دادن سريع نانونيسم هايي به ضخامت 30 تا 50 نانومتر و اندازه 10 ميکرومتر متبلور مي شوند و سپس ابزارهاي ذخيره سازي اطلاعات را روي لايه هاي سيليکوني ايجاد کردند. سازندگان دامنه نوشتاري، تغيير حالت و تعويض بين فاز منظم (متبلور) و نامنظم (غيرمتبلور)، مدت زمان پايداري و بازيابي اطلاعات در اين ابزارها را مورد آزمايش قرار دادند. آزمايش ها نشان داد توان مصرفي براي کد کردن داده ها بسيار پايين و در حدود7/0 ميلي ولت در بيت است. همچنين نوشتن، پاک کردن و بازيابي اطلاعات در حدود 50 نانوثانيه يعني هزار بار سريع تر از حافظه هاي موجود است. اين حافظه ها اطلاعات را به مدت 100 هزار سال نگهداري کرده و از دست نمي دهند که همه اينها نشان دهنده تحقق يافتن حافظه هاي با ظرفيت در سطح تترابيت است. اين شکل جديد از حافظه ها مي تواند انقلابي در زمينه ذخيره سازي و دستيابي به اطلاعات را ايجاد کند. به طور کلي حافظه هاي مبدل فاز به صورت قابل ملاحظه اي سرعت خواندن، نوشتن بهتر، پايداري و دوام بهتر و ساختار ساده تري در مقايسه با ديگر فناوري هاي موجود مانند Flash دارند. چالش موجود در زمينه توليد اين حافظه ها کوچک تر کردن اندازه مواد مبدل فاز از طريق روشهاي ليتوگرافيک مرسوم بدون آسيب رساندن به خصوصيات سودمند آنهاست. نانونيسم هاي خود تنظيم مبدل فاز، روشي جديد و سودمند در تهيه حافظه هاي ايده آل را که کارآمدتر و ماندگارتر از روشهاي کنوني است ارائه مي دهند. اين ابزار در مقياس اتميک شايد آخرين حد سيستم هاي مبدل فاز براي کاربرد حافظه هاي پايدار باشد. شايد فناوري هاي موجود مثل کارتهاي حافظه و دوربين هاي ديجيتال با توجه به نيازهاي کنوني از سطح قابل قبولي برخوردار باشند، اما کم کم و به تدريج محدوديت هاي آنها در حال آشکار شدن است. دوربين هاي ديجيتال نمي توانند عکسهاي خيلي سريع بگيرند چون براي ذخيره آخرين عکس گرفته شده روي حافظه زماني لازم است. حافظه هاي سريع مثل SRAMو DRAM که در رايانه ها مورد استفاده هستند نيز اين مشکل را دارند که با قطع برق يا اتصال، تمامي داده هاي خود را از دست مي دهند. بنابراين نياز به حافظه هاي ايده آل که سريع، قابل ارتقاء، بادوام و غيرفرار باشند ضروري به نظر مي رسد. گردآوري اين خصوصيات در يک مجموعه بسيار مشکل ولي در حال شکل گيري است. تصور کنيد قادر هستيد صدها عکس با وضوح بسيار بالا را در وسيله اي بسيار کوچک و بدون اتلاف وقت انتقال داده و ذخيره کنيد يا لپ تاپ شخصي تان را در کمتر از چند ثانيه بدون نياز به بارگذاري سيستم عامل در حافظه فعال راه اندازي کنيد. سایت ما را در گوگل محبوب کنید با کلیک روی دکمه ای که در سمت چپ این منو با عنوان +1 قرار داده شده شما به این سایت مهر تأیید میزنید و به دوستانتان در صفحه جستجوی گوگل دیدن این سایت را پیشنهاد میکنید که این امر خود باعث افزایش رتبه سایت در گوگل میشود
این صفحه را در گوگل محبوب کنید
[ارسال شده از: سایت ریسک]
[مشاهده در: www.ri3k.eu]
[تعداد بازديد از اين مطلب: 331]