تكنولوژي cmos

واضح آرشیو وب فارسی:فان پاتوق: فــناوری اکـسید فــلز نیمه هادی مکـمل یا CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor ) یک فناوری بـرجـسته در صنـعـت جهانی مـدارهای مـجـتـمع ( IC ) است و به عـنـوان مـحـصولاتـی با اتـلاف تـــوان کم و چگالی زیاد و وسیله سوییچ کـنندگی نسبتا ایـده آل شناخـته شـده است. این ویژگیها سبب شـده که این مـدارهـا دارای محاســن مـتمایزی نسبت به دیگـر فـناوری ها هـمـچون nMOS و GaAs ( گا لیم آرسناید ) باشند. ا فـزون بر ایــن با اضا فه کردن ترانزیـسـتـورهای دو قــطبی (Bipolar) می توا نیــم مـدارها را به سوی فــرآیـنـد BiCMOS سوق دهیم. فناوری CMOS نخستین بار توسط لیلنـفـیـلد (J. Lilienfeld) در اوایـل سال 1925 به کار گـرفـته شـد که بعدها با نام MOS اثرمیدان( Field effect ) شناخته شد. سپس نسخه بهبود یافته ای– شـبیه به فـنا وری CMOS موجود – در سال 1935 توسـط اسکار هیل Oscar Heil)) پیشنهاد شد. به سبب کمبـود مــواد خـام در طی جنگ جهانی اول، پیشرفت صنعت CMOS تا تـوجه دوبـاره به آن در سال 1965 ، به حـالـت تــعـلـیق در آمد. حتی از آن پس ، عـمومی شدن CMOS چندان مـورد تـوجه قـرار نگـرفـت. تـا اینکه درسال 1970 تــنها دو اختراع به کمک فـناوری CMOS تـوسط ویـمر( Weimer ) و ونـتس ( (Wantes بـرای کاربــــردهای تـجاری مورد استفاده قـرار گـرفـت. پـیـش از ایـن ، پـیـاده سازی ها ی ممکن به شکـل فـناوری تـرانـزیستـوری با لایه نـازک ( thin-film ) بودند ، درحالی که فناوری اخیر بر پایه مفهوم CMOS استوار بود.

در 15 سال گذشته ، پیشرفتهای سریعی در حوزه میکروالکترونیک پدید آمده است . تـعداد ترانـزیستورهای مدار ریز تراشه ای به اندازه ، از 10 به بیش از چند صد میلیون رسیده و بدین ترتیب تـوان تراشه رقابـتی را با تصور بشر آغارکـرده است. هرتـراشه متشکل از چندین لایه گـوناگـون است که هـر یک طی فرآیند خاصی روی لایه های دیگر و روی یک ویفر سیلسکونی تشکیل می شود . این ویفرها تـقـریبا0.5 میلی متر ضخامت دارند و کاملا مسطح وصیقلی اند . تـعـداد تراشه های پـردازش شده در هر ویـفـر، هـم به اندازه ویفر و هم به پیچیدگی مدار بـستگی دارد و در مـواردی بالغ بر 500 تراشه در ویـفـر می گـردد . ویـفـرها در دسـته های 50 تا 300 تایی در یــک زمان پـردازش می شوند لـیکـن ممکن است چندیـن هـفته برای تکمیل هر دسته ، بسته به پیچیدگی و ریزه کاری های طراحی ، به طول انجامد . گام مشخص بعدی ، اعمال فناوری CMOS به مدارهای آنالوگ و دیجیتال بود. هزینه کم ساخت و قـرار دادن توام مدارهای آنالوگ و دیجیتال در هر تراشه ، هزینه های بسته بندی فـناوری CMOS را کاهـش داده است . سیلیکون یک ماده نیمه هادی 4 ظرفیتی است که با مقادیر انـدکی ناخالصی از دیگـر عـناصر 5 یا 3 ظرفیتی در فرآیندی به نام آلایش ( Doping ) تغلیظ می شود. به طور مثال ، بـور یک ناخالصی از نوع مثبت p و یا فـسفر یک ناخالصی از نوع منفی n می باشند.

این صفحه را در گوگل محبوب کنید

[ارسال شده از: فان پاتوق]

[مشاهده در: www.funpatogh.com]

[تعداد بازديد از اين مطلب: 2686]