طراحی ترانزیستورهای جدید با استفاده از نانولوله‌های کربنی

واضح آرشیو وب فارسی:سایت ریسک: View Full Version : طراحی ترانزیستورهای جدید با استفاده از نانولوله‌های کربنی wichidika18-11-2009, 10:04 PMترانزیستورهای جدید با استفاده از نانولوله‌های کربنیمحققان دانشگاه سمنان با بهره گیری از فناوری نانو لوله های کربنی موفق به طراحی ترانزیستورهای جدید و بهبود یافته شدند.به گزارش خبرگزای مهر، اولین ترانزیستور اثر میدانی نانو لوله کربنی در سال 1998 گزارش شده است. این ترانزیستورها دارای سرعت بسیار بالا و خصوصیات خوبی هستند ولی معایبی دارند که از آن جمله می توان به وابستگی به ولتاژ در حالت خاموشی، رفتار ambipolar (دو قطبی) و زیاد بودن مقدار سوئیچینگ اشاره کرد. ارائه مدلهای جدید برای این ابزارها موجب درک دقیق تر مشخصات الکتریکی آنها شده که به رفع معایبشان کمک می کند. از این رو گروهی از شیمیدانها روش استثنایی برای تولید انبوه نانولوله های کربنی دراز، مستقیم و منظم به قطر تنها چند اتم معرفی کردند و شرایطی برای رشد نانو لوله ها یافته اند که در آن تقریبا تمام نانو لوله های رشد یافته، نیمه رسانا بوده و انتظار می رود که استفاده از آن در صنعت الکترونیک به طور چشمگیری افزایش یابد. در این راستا محققان دانشگاه سمنان مقیاس پذیری ترانزیستورهای اثر میدانی نانو لوله کربنی با ناخالصی هاله ای را مورد بررسی قرار دادند. آنها در این ساختار برای افزایش ولتاژ آستانه با کاهش طول کانال، کانال را در نزدیک منبع ترانزیستور با اتمهای نوع p آلاییده کردند. این آلاییدگی باعث کاهش شدید جریان نشتی، بهبود نوسانات زیرآستانه و افزایش بهره ولتاژ نسبت جریان روشن به خاموش شده است. سایت ما را در گوگل محبوب کنید با کلیک روی دکمه ای که در سمت چپ این منو با عنوان +1 قرار داده شده شما به این سایت مهر تأیید میزنید و به دوستانتان در صفحه جستجوی گوگل دیدن این سایت را پیشنهاد میکنید که این امر خود باعث افزایش رتبه سایت در گوگل میشود

این صفحه را در گوگل محبوب کنید

[ارسال شده از: سایت ریسک]

[مشاهده در: www.ri3k.eu]

[تعداد بازديد از اين مطلب: 374]