تبلیغات
تبلیغات متنی
محبوبترینها
بارش‌های سیل‌آسا در راه است! آیا خانه شما آماده است؟
بارش‌های سیل‌آسا در راه است! آیا خانه شما آماده است؟
قیمت انواع دستگاه تصفیه آب خانگی در ایران
نمایش جنگ دینامیت شو در تهران [از بیوگرافی میلاد صالح پور تا خرید بلیط]
9 روش جرم گیری ماشین لباسشویی سامسونگ برای از بین بردن بوی بد
ساندویچ پانل: بهترین گزینه برای ساخت و ساز سریع
خرید بیمه، استعلام و مقایسه انواع بیمه درمان ✅?
پروازهای مشهد به دبی چه زمانی ارزان می‌شوند؟
تجربه غذاهای فرانسوی در قلب پاریس بهترین رستوران‌ها و کافه‌ها
دلایل زنگ زدن فلزات و روش های جلوگیری از آن
خرید بلیط چارتر هواپیمایی ماهان _ ماهان گشت
صفحه اول
آرشیو مطالب
ورود/عضویت
هواشناسی
قیمت طلا سکه و ارز
قیمت خودرو
مطالب در سایت شما
تبادل لینک
ارتباط با ما
مطالب سایت سرگرمی سبک زندگی سینما و تلویزیون فرهنگ و هنر پزشکی و سلامت اجتماع و خانواده تصویری دین و اندیشه ورزش اقتصادی سیاسی حوادث علم و فناوری سایتهای دانلود گوناگون
مطالب سایت سرگرمی سبک زندگی سینما و تلویزیون فرهنگ و هنر پزشکی و سلامت اجتماع و خانواده تصویری دین و اندیشه ورزش اقتصادی سیاسی حوادث علم و فناوری سایتهای دانلود گوناگون
آمار وبسایت
تعداد کل بازدیدها :
1835019459
ترانزیستور
واضح آرشیو وب فارسی:سایت ریسک: SAMSUNG I30015th June 2007, 04:33 AMهمانگونه که از نام این المام مشخص است، پایه کنترلی آن جریانی مصرف نمی کند و تنها با اعامل ولتاژ و ایجاد میدان درون نیمه هادی ، جریان عبوری از FET کنترل می شود. به همین دلیل ورودی این مدار هیچ کونه اثر بارگذاری بر روی طبقات تقویت قبلی نمی گذارد و امپدانس بسیار بالایی دارد. فت دارای سه پایه با نامهای درِین D - سورس S و گیت G است که پایه گیت ، جریان عبوری از درین به سورس را کنترل می نماید. فت ها دارای دو نوع N کانال و P کانال هستند. در فت نوع N کانال زمانی که گیت نسبت به سورس مثبت باشد جریان از درین به سورس عبور می کند . FET ها معمولاً بسیار حساس بوده و حتی با الکتریسیته ساکن بدن نیز تحریک می گردند. به همین دلیل نسبت به نویز بسیار حساس هستند. نوع دیگر ترانزیستورهای اثر میدانی MOSFET ها هستند ( ترانزیستور اثر میدانی اکسید فلزی نیمه هادی - Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor ) یکی از اساسی ترین مزیت های ماسفت ها نویز کمتر آنها در مدار است. فت ها در ساخت فرستنده باند اف ام رادیو نیز کاربرد فراوانی دارند. برای تست کردن فت کانال N با مالتی متر ، نخست پایه گیت را پیدا می کنیم. یعنی پایه ای که نسبت به دو پایه دیگر در یک جهت مقداری رسانایی دارد و در جهت دیگر مقاومت آن بی نهایت است. معمولاً مقاومت بین پایه درین و گیت از مقاومت پایه درین و سورس بیشتر است که از این طریق می توان پایه درین را از سورس تشخیص داد. کاربران ثبت نام کرده قادر به مشاهده لینک می باشند SAMSUNG I30015th June 2007, 04:33 AMدر این قسمت راجع به گونه های ساده اولین ترانزیستورها که از سه لایه نیمه هادی تشکیل شده اند صحبت خواهیم کرد. بصورت استاندارد دو نوع ترانزیستور بصورت PNP و NPN داریم. انتخاب نامه آنها به نحوه کنار هم قرار گرفتن لایه های نیمه هادی و پلاریته آنها بستگی دارد. هر چند در اوایل ساخت این وسیله الکترونیکی و جایگزینی آن با لامپهای خلاء، ترانزستورها اغلب از جنس ژرمانیم و بصورت PNP ساخته می شدند اما محدودیت های ساخت و فن آوری از یکطرف و تفاوت بهره دریافتی از طرف دیگر، سازندگان را مجبور کرد که بعدها بیشتر از نیمه هادیی از جنس سیلیکون و با پلاریته NPN برای ساخت ترانزیستور استفاده کنند. تفاوت خاصی در عملکرد این دو نمونه وجود ندارد و این بدان معنی نیست که ترانزیستور ژرمانیم با پلاریته NPN یا سیلیکون با پلاریته PNP وجود ندارد. کاربران ثبت نام کرده قادر به مشاهده لینک می باشند نمای واقعی تری از پیوندها در یک ترانزیستور که تفاوت کلکتور و امیتر را بوضوح نشان می دهد. برای هریک از لایه های نیمه هادی که در یک ترانزیستور وجود دارد یک پایه در نظر گرفته شده است که ارتباط مدار بیرونی را به نیمه هادی ها میسر می سازد. این پایه ها به نامهای Base (پایه) ، Collector (جمع کننده) و Emitter (منتشر کننده) مشخص می شوند. اگر به ساختار لایه ای یک ترانزیستور دقت کنیم بنظر تفاوت خاصی میان Collector و Emitter دیده نمی شود اما واقعیت اینگونه نیست. چرا که ضخامت و بزرگی لایه Collector به مراتب از Emitter بزرگتر است و این عملا" باعث می شود که این دو لایه با وجود تشابه پلاریته ای که دارند با یکدیگر تفاوت داشته باشند. با وجود این معمولا" در شکل ها برای سهولت این دو لایه را بصورت یکسان در نظر میگیردند. بدون آنکه در این مطلب قصد بررسی دقیق نحوه کار یک ترانزیستور را داشته باشیم، قصد داریم ساده ترین مداری که می توان با یک ترانزیستور تهیه کرد را به شما معرفی کرده و کاربرد آنرا برای شما شرح دهیم. به شکل زیر نگاه کنید. کاربران ثبت نام کرده قادر به مشاهده لینک می باشند مدار ساده (مدار امیتر مشترک) برای آشنایی با طرز کار یک ترانزیستور بطور جداگانه بین E و C و همچنین بین E و B منابع تغذیه ای قرار داده ایم. مقاومت ها یی که در مسیر هریک از این منابع ولتاژ قرار دادیم صرفا" برای محدود کردن جریان بوده و نه چیز دیگر. چرا که در صورت نبود آنها، پیوندها بر اثر کشیده شدن جریان زیاد خواهند سوخت. طرز کار ترانزیستور به اینصورت است، چنانچه پیوند BE را بصورت مستقیم بایاس (Bias به معنی اعمال ولتاژ و تحریک است) کنیم بطوری که این پیوند PN روشن شود (برای اینکار کافی است که به این پیوند حدود 0.6 تا 0.7 ولت با توجه به نوع ترانزیستور ولتاژ اعمال شود)، در آنصورت از مدار بسته شده میان E و C می توان جریان بسیار بالایی کشید. اگر به شکل دوم دقت کنید بوضوح خواهید فهمید که این عمل چگونه امکان پذیر است. در حالت عادی میان E و C هیچ مدار بازی وجود ندارد اما به محض آنکه شما پیوند BE را با پلاریته موافق بایاس کنید، با توجه به آنچه قبلا" راجع به یک پیوند PN توضیح دادیم، این پیوند تقریبا" بصورت اتصال کوتاه عمل می کند و شما عملا" خواهید توانست از پایه های E و C جریان قابل ملاحظه ای بکشید. (در واقع در اینحالت می توان فرض کرد که در شکل دوم عملا" لایه PN مربوط به BE از بین می رود و بین EC یک اتصال کوتاه رخ می دهد.) بنابراین مشاهده می کنید که با برقراری یک جریان کوچک Ib شما می توانید یک جریان بزرگ Ic را داشته باشید. این مدار اساس سوئیچ های الکترونیک در مدارهای الکترونیکی است. بعنوان مثال شما می توانید در مدار کلکتور یک رله قرار دهید که با جریان مثلا" چند آمپری کار می کند و در عوض با اعمال یک جریان بسیار ضعیف در حد میلی آمپر - حتی کمتر - در مدار بیس که ممکن است از طریق یک مدار دیجیتال تهیه شود، به رله فرمان روشن یا خاموش شدن بدهید. BUD24th October 2007, 12:41 AMبصورت استاندارد دو نوع ترانزیستور بصورت PNP و NPN داریم. انتخاب نامه آنها به نحوه کنار هم قرار گرفتن لایه های نیمه هادی و پلاریته آنها بستگی دارد. هر چند در اوایل ساخت این وسیله الکترونیکی و جایگزینی آن با لامپهای خلاء، ترانزستورها اغلب از جنس ژرمانیم و بصورت PNP ساخته می شدند اما محدودیت های ساخت و فن آوری از یکطرف و تفاوت بهره دریافتی از طرف دیگر، سازندگان را مجبور کرد که بعدها بیشتر از نیمه هادیی از جنس سیلیکون و با پلاریته NPN برای ساخت ترانزیستور استفاده کنند. کاربران ثبت نام کرده قادر به مشاهده لینک می باشند تفاوت خاصی در عملکرد این دو نمونه وجود ندارد و این بدان معنی نیست که ترانزیستور ژرمانیم با پلاریته NPN یا سیلیکون با پلاریته PNP وجود ندارد. کاربران ثبت نام کرده قادر به مشاهده لینک می باشند نمای واقعی تری از پیوندها در یک ترانزیستور که تفاوت کلکتور و امیتر را بوضوح نشان می دهد. برای هریک از لایه های نیمه هادی که در یک ترانزیستور وجود دارد یک پایه در نظر گرفته شده است که ارتباط مدار بیرونی را به نیمه هادی ها میسر می سازد. این پایه ها به نامهای Base (پایه) ، Collector (جمع کننده) و Emitter (منتشر کننده) مشخص می شوند. اگر به ساختار لایه ای یک ترانزیستور دقت کنیم بنظر تفاوت خاصی میان Collector و Emitter دیده نمی شود اما واقعیت اینگونه نیست. چرا که ضخامت و بزرگی لایه Collector به مراتب از Emitter بزرگتر است و این عملا" باعث می شود که این دو لایه با وجود تشابه پلاریته ای که دارند با یکدیگر تفاوت داشته باشند. با وجود این معمولا" در شکل ها برای سهولت این دو لایه را بصورت یکسان در نظر میگیردند. بدون آنکه در این مطلب قصد بررسی دقیق نحوه کار یک ترانزیستور را داشته باشیم، قصد داریم ساده ترین مداری که می توان با یک ترانزیستور تهیه کرد را به شما معرفی کرده و کاربرد آنرا برای شما شرح دهیم. به شکل زیر نگاه کنید. کاربران ثبت نام کرده قادر به مشاهده لینک می باشند مدار ساده برای آشنایی با طرز کار یک ترانزیستور بطور جداگانه بین E و C و همچنین بین E و B منابع تغذیه ای قرار داده ایم. مقاومت ها یی که در مسیر هریک از این منابع ولتاژ قرار دادیم صرفا" برای محدود کردن جریان بوده و نه چیز دیگر. چرا که در صورت نبود آنها، پیوندها بر اثر کشیده شدن جریان زیاد خواهند سوخت. طرز کار ترانزیستور به اینصورت است، چنانچه پیوند BE را بصورت مستقیم بایاس (Bias به معنی اعمال ولتاژ و تحریک است) کنیم بطوری که این پیوند PN روشن شود (برای اینکار کافی است که به این پیوند حدود 0.6 تا 0.7 ولت با توجه به نوع ترانزیستور ولتاژ اعمال شود)، در آنصورت از مدار بسته شده میان E و C می توان جریان بسیار بالایی کشید. اگر به شکل دوم دقت کنید بوضوح خواهید فهمید که این عمل چگونه امکان پذیر است. در حالت عادی میان E و C هیچ مدار بازی وجود ندارد اما به محض آنکه شما پیوند BE را با پلاریته موافق بایاس کنید، با توجه به آنچه قبلا" راجع به یک پیوند PN توضیح دادیم، این پیوند تقریبا" بصورت اتصال کوتاه عمل می کند و شما عملا" خواهید توانست از پایه های E و C جریان قابل ملاحظه ای بکشید. (در واقع در اینحالت می توان فرض کرد که در شکل دوم عملا" لایه PN مربوط به BE از بین می رود و بین EC یک اتصال کوتاه رخ می دهد.) بنابراین مشاهده می کنید که با برقراری یک جریان کوچک Ib شما می توانید یک جریان بزرگ Ic را داشته باشید. این مدار اساس سوئیچ های الکترونیک در مدارهای الکترونیکی است. بعنوان مثال شما می توانید در مدار کلکتور یک رله قرار دهید که با جریان مثلا" چند آمپری کار می کند و در عوض با اعمال یک جریان بسیار ضعیف در حد میلی آمپر - حتی کمتر - در مدار بیس که ممکن است از طریق یک مدار دیجیتال تهیه شود، به رله فرمان روشن یا خاموش شدن بدهید. ایران مدار arovina14th September 2008, 12:31 AMکاربران ثبت نام کرده قادر به مشاهده لینک می باشند (کاربران ثبت نام کرده قادر به مشاهده لینک می باشند t_transistors.jpg) کاربران ثبت نام کرده قادر به مشاهده لینک می باشند (کاربران ثبت نام کرده قادر به مشاهده لینک می باشند t_transistors.jpg) انواع ترانزیستور ترانزیستور را معمولاً به عنوان یکی از قطعات الکترونیک (کاربران ثبت نام کرده قادر به مشاهده لینک می باشند A%A 9) میشناسند. ترانزیستور یکی از ادوات حالت جامد (کاربران ثبت نام کرده قادر به مشاهده لینک می باشند %AD%D 8%A 7%D 9%84%D 8%AA_%D 8%AC%D 8%A 7%D 9%85%D 8%AF&action=edit&redlink=1) است که از مواد نیمه رسانایی (کاربران ثبت نام کرده قادر به مشاهده لینک می باشند D 8%A 7) مانند سیلیسیم (کاربران ثبت نام کرده قادر به مشاهده لینک می باشند) و ژرمانیوم (کاربران ثبت نام کرده قادر به مشاهده لینک می باشند) ساخته میشود.یک ترانزیستور در ساختار خود دارای پیوندهایپیوند نوع N و (کاربران ثبت نام کرده قادر به مشاهده لینک می باشند N) پیوند نوع P (کاربران ثبت نام کرده قادر به مشاهده لینک می باشند P) می باشد. فهرست مندرجات <LI class=toclevel-1>۱ کاربرد (کاربران ثبت نام کرده قادر به مشاهده لینک می باشند 9%88%D 8%B 1#.DA.A 9.D 8.A 7.D 8.B 1.D 8.A 8.D 8.B 1.D 8.AF) <LI class=toclevel-1>۲ عملکرد (کاربران ثبت نام کرده قادر به مشاهده لینک می باشند 9%88%D 8%B 1#.D 8.B 9.D 9.85.D 9.84.DA.A 9.D 8.B 1.D 8.AF) <LI class=toclevel-1>۳ انواع (کاربران ثبت نام کرده قادر به مشاهده لینک می باشند 9%88%D 8%B 1#.D 8.A 7.D 9.86.D 9.88.D 8.A 7.D 8.B 9) <LI class=toclevel-2>۳.۱ ترانزیستور دوقطبی پیوندی (کاربران ثبت نام کرده قادر به مشاهده لینک می باشند 9%88%D 8%B 1#.D 8.AA.D 8.B 1.D 8.A 7.D 9.86.D 8.B 2.DB.8C.D 8 .B 3.D 8.AA.D 9.88.D 8.B 1_.D 8.AF.D 9.88.D 9.82.D 8.B 7.D 8. A 8.DB.8C_.D 9.BE.DB.8C.D 9.88.D 9.86.D 8.AF.DB.8C) <LI class=toclevel-2>۳.۲ ترانزیستور اثر میدان پیوندی(JFET) (کاربران ثبت نام کرده قادر به مشاهده لینک می باشند 9%88%D 8%B 1#.D 8.AA.D 8.B 1.D 8.A 7.D 9.86.D 8.B 2.DB.8C.D 8 .B 3.D 8.AA.D 9.88.D 8.B 1_.D 8.A 7.D 8.AB.D 8.B 1_.D 9.85.DB .8C.D 8.AF.D 8.A 7.D 9.86_.D 9.BE.DB.8C.D 9.88.D 9.86.D 8. AF.DB.8C.28JFET.29) ۳.۳ ترانزیستور اثر میدان MOS (کاربران ثبت نام کرده قادر به مشاهده لینک می باشند 9%88%D 8%B 1#.D 8.AA.D 8.B 1.D 8.A 7.D 9.86.D 8.B 2.DB.8C.D 8 .B 3.D 8.AA.D 9.88.D 8.B 1_.D 8.A 7.D 8.AB.D 8.B 1_.D 9.85.DB .8C.D 8.AF.D 8.A 7.D 9.86_MOS) ۴ پیوند به بیرون (کاربران ثبت نام کرده قادر به مشاهده لینک می باشند 9%88%D 8%B 1#.D 9.BE.DB.8C.D 9.88.D 9.86.D 8.AF_.D 8.A 8.D 9.87_.D 8.A 8.DB.8C.D 8.B 1.D 9.88.D 9.86) کاربرد ترانزیستور دارای 3 ناحیه کاری میباشد.ناحیه قطع/ناحیه فعال(کاری یا خطی)/ناحیه اشباع ناحیه قطع حالتی است که ترانزیستور در ان ناحیه فعالیت خاصی انجام نمیدهد.اگر ولتاژ بیس را افزایش دهیم ترانزیستور از حالت قطع بیرون امده و به ناحیه فعال وارد میشود در حالت فعال ترانزیستور مثل یک عنصر تقریبا خطی عمل میکند اگر ولتاژ بیس را همچنان افزایش دهیم به ناحیه ای میرسیم که با افزایش جریان ورودی در بیس دیگر شاهد افزایش جریان بین کلکتور و امیتر نخواهیم بود به این حالت میگویند حالت اشباع و اگر جریان ورودی به بیس زیاد تر شود امکان سوختن ترانزیستور وجود دارد. ترانزیستور هم در مدارات الکترونیک آنالوگ (کاربران ثبت نام کرده قادر به مشاهده لینک می باشند D 8%A 7%D 9%84%D 9%88%DA%AF) و هم در مدارات الکترونیک دیجیتال (کاربران ثبت نام کرده قادر به مشاهده لینک می باشند) کاربردهای بسیار وسیعی دارد. درمدارات آنالوگ ترانزیستور در حالت فعال کار میکند و میتوان از آن به عنوان تقویت کننده (کاربران ثبت نام کرده قادر به مشاهده لینک می باشند D 8%AF%D 9%87) یا تنظیم کننده ولتاژ (کاربران ثبت نام کرده قادر به مشاهده لینک می باشند %A 9%D 9%86%D 9%86%D 8%AF%D 9%87_%D 9%88%D 9%84%D 8%AA%D 8% A 7%DA%98&action=edit&redlink=1) (رگولاتور (کاربران ثبت نام کرده قادر به مشاهده لینک می باشند AA%D 9%88%D 8%B 1&action=edit&redlink=1)) و ... استفاده کرد. و در مدارات دیجیتال ترانزیستور در دو ناحیه قطع و اشباع فعالیت میکند که میتوان از این حالت ترانزیستور در پیاده سازی مدار منطقی (کاربران ثبت نام کرده قادر به مشاهده لینک می باشند %86%D 8%B 7%D 9%82%DB%8C&action=edit&redlink=1)، حافظه (کاربران ثبت نام کرده قادر به مشاهده لینک می باشند)، سوئیچ کردن (کاربران ثبت نام کرده قادر به مشاهده لینک می باشند D 9%86) و ... استفاده کرد.به جرات می توان گفت که ترانزیستور قلب تپنده الکترونیک است. عملکرد ترانزیستور از دیدگاه مداری یک عنصر سه‌پایه میباشد که با اعمال یک سیگنال (کاربران ثبت نام کرده قادر به مشاهده لینک می باشند) به یکی از پایه‌های آن میزان جریان (کاربران ثبت نام کرده قادر به مشاهده لینک می باشند D 8%AA%D 8%B 1%DB%8C%DA%A 9%DB%8C) عبور کننده از دو پایه دیگر آن را میتوان تنظیم کرد. برای عملکرد صحیح ترانزیستور در مدار باید توسط المان‌های (کاربران ثبت نام کرده قادر به مشاهده لینک می باشند) دیگر مانند مقاومت‌ها (کاربران ثبت نام کرده قادر به مشاهده لینک می باشند(%D 8%A 8%D 8%B 1 %D 9%82)) و ... جریان‌ها و ولتاژهای لازم را برای آن فراهم کرد و یا اصطلاحاً آن را بایاس (کاربران ثبت نام کرده قادر به مشاهده لینک می باشند) کرد. انواع دو دسته مهم از ترانزیستورها BJT (کاربران ثبت نام کرده قادر به مشاهده لینک می باشند) (ترانزیستور دوقطبی پیوندی (کاربران ثبت نام کرده قادر به مشاهده لینک می باشند 9%88%D 8%B 1_%D 8%AF%D 9%88%D 9%82%D 8%B 7%D 8%A 8%DB%8C_%D 9%BE%DB%8C%D 9%88%D 9%86%D 8%AF%DB%8C)) (Bypolar Junction Transistors) و FET (کاربران ثبت نام کرده قادر به مشاهده لینک می باشند) (ترانزیستور اثر میدان (کاربران ثبت نام کرده قادر به مشاهده لینک می باشند 9%88%D 8%B 1_%D 8%A 7%D 8%AB%D 8%B 1_%D 9%85%DB%8C%D 8%AF%D 8%A 7%D 9%86)) (Field Effect Transistors) هستند. ترانزیستورهای اثزمیدان یا FETها نیز خود به دو دسته ی ترانزیستور اثر میدان پیوندی (کاربران ثبت نام کرده قادر به مشاهده لینک می باشند 9%88%D 8%B 1_%D 8%A 7%D 8%AB%D 8%B 1_%D 9%85%DB%8C%D 8%AF%D 8%A 7%D 9%86_%D 9%BE%DB%8C%D 9%88%D 9%86%D 8%AF%DB%8C)(J FET) و MOSFETها (کاربران ثبت نام کرده قادر به مشاهده لینک می باشند) (Metal Oxide SemiConductor Field Effect Transistor) تقسیم می‌شوند. ترانزیستور دوقطبی پیوندی در ترانزیستور دو قطبی پیوندی با اعمال یک جریان (کاربران ثبت نام کرده قادر به مشاهده لینک می باشند) به پایه بیس (کاربران ثبت نام کرده قادر به مشاهده لینک می باشند) جریان عبوری از دو پایه کلکتور (کاربران ثبت نام کرده قادر به مشاهده لینک می باشند) و امیتر (کاربران ثبت نام کرده قادر به مشاهده لینک می باشند) کنترل میشود. ترانزیستورهای دوقطبی پیوندی در دونوع npn و pnp ساخته می‌شوند. بسته به حالت بایاس این ترانزیستورها ممکن است در ناحیه قطع، فعال و یا اشباع کار کنند. سرعت بالای این ترانزیستورها و بعضی قابلیت‌های دیگر باعث شده که هنوز هم از آنها در بعضی مدارات خاص استفاده شود. امروزه بجای استفاده از مقاومت وخازن و...در مدارات مجتمع تمامآازترانزیستوراستفاده می کنند ترانزیستور اثر میدان پیوندی (کاربران ثبت نام کرده قادر به مشاهده لینک می باشند 9%88%D 8%B 1_%D 8%A 7%D 8%AB%D 8%B 1_%D 9%85%DB%8C%D 8%AF%D 8%A 7%D 9%86_%D 9%BE%DB%8C%D 9%88%D 9%86%D 8%AF%DB%8C)(J FET) در ترانزیستورهای JFET(Junction Field Effect Transistors( در اثر میدان، با اعمال یک ولتاژ (کاربران ثبت نام کرده قادر به مشاهده لینک می باشند) به پایه گیت (کاربران ثبت نام کرده قادر به مشاهده لینک می باشند(%D 8%AA%D 8%B 1 %D 8%A 7%D 9%86%D 8%B 2%DB%8C%D 8%B 3%D 8%AA%D 9%88%D 8%B 1FE T)) میزان جریان (کاربران ثبت نام کرده قادر به مشاهده لینک می باشند) عبوری از دو پایه سورس (کاربران ثبت نام کرده قادر به مشاهده لینک می باشند) و درین (کاربران ثبت نام کرده قادر به مشاهده لینک می باشند) کنترل میشود. ترانزیستور اثر میدانی بر دو قسم است: نوع n یا N-Type و نوع p یا P-Type. از دیدگاهی دیگر این ترانزیستورها در دو نوع افزایشی (کاربران ثبت نام کرده قادر به مشاهده لینک می باشند B 4%DB%8C&action=edit&redlink=1) و تخلیه‌ای (کاربران ثبت نام کرده قادر به مشاهده لینک می باشند 80%8C%D 8%A 7%DB%8C&action=edit&redlink=1) ساخته می‌شوند.نواحی کار این ترانزستورها شامل "فعال" و "اشباع" و "ترایود" است این ترانزیستورها تقریباً هیچ استفاده‌ای ندارند چون جریان دهی آنها محدود است و به سختی مجتمع می‌شوند. انواع ترانزیستور پیوندی pnp شامل سه لایه نیم هادی که دو لایه کناری از نوع p و لایه میانی از نوع n است و مزیت اصلی آن در تشریح عملکرد ترانزیستور این است که جهت جاری شدن حفره‌ها با جهت جریان یکی است. npn شامل سه لایه نیم هادی که دو لایه کناری از نوع n و لایه میانی از نوع p است. پس از درک ایده‌های اساسی برای قطعه ی pnp میتوان به سادگی آنها را به ترانزیستور پرکاربردتر npn مربوط ساخت. ساختمان ترانزیستور پیوندی ترانزیستور دارای دو پیوندگاه است. یکی بین امیتر و بیس و دیگری بین بیس و کلکتور. به همین دلیل ترانزیستور شبیه دو دیود است. دیود سمت چپ را دیود بیس _ امیتر یا صرفاً دیود امیتر و دیود سمت راست را دیود کلکتور _ بیس یا دیود کلکتور می‌نامیم. میزان ناخالصی ناحیه وسط به مراتب کمتر از دو ناحیه جانبی است. این کاهش ناخالصی باعث کم شدن هدایت و بالعکس باعث زیاد شدن مقاومت این ناحیه می‌گردد. امیتر که به شدت آلائیده شده، نقش گسیل و یا تزریق الکترون به درون بیس را به عهده دارد. بیس بسیار نازک ساخته شده و آلایش آن ضعیف است و لذا بیشتر الکترونهای تزریق شده از امیتر را به کلکتور عبور می‌دهد. میزان آلایش کلکتور کمتر از میزان آلایش شدید امیتر و بیشتر از آلایش ضعیف بیس است و کلکتور الکترونها را از بیس جمع‌آوری میکند. کاربران ثبت نام کرده قادر به مشاهده لینک می باشند (کاربران ثبت نام کرده قادر به مشاهده لینک می باشند) کاربران ثبت نام کرده قادر به مشاهده لینک می باشند (کاربران ثبت نام کرده قادر به مشاهده لینک می باشند) بازسازی اولین ترانزیستور جهان طرز کار ترانزیستور پیوندی طرز کار ترانزیستور را با استفاده از نوع npn مورد بررسی قرار می‌دهیم. طرز کار pnp هم دقیقا مشابه npn خواهد بود، به شرط اینکه الکترونها و حفره‌ها با یکدیگر عوض شوند. در نوع npn به علت تغذیه مستقیم دیود امیتر ناحیه تهی کم عرض میشود، در نتیجه حاملهای اکثریت یعنی الکترونها از ماده n به ماده p هجوم می‌آورند. حال اگر دیود بیس _ کلکتور را به حالت معکوس تغذیه نمائیم، دیود کلکتور به علت بایاس معکوس عریض‌تر میشود. الکترونهای جاری شده به ناحیه p در دو جهت جاری می‌شوند، بخشی از آنها از پیوندگاه کلکتور عبور کرده، به ناحیه کلکتور می‌رسند و تعدادی از آنها با حفره‌های بیس بازترکیب شده و به عنوان الکترونهای ظرفیت به سوی پایه خارجی بیس روانه می‌شوند، این مولفه بسیار کوچک است. شیوه ی اتصال ترازیستورها اتصال بیس مشترک (کاربران ثبت نام کرده قادر به مشاهده لینک می باشند %A 8%DB%8C%D 8%B 3_%D 9%85%D 8%B 4%D 8%AA%D 8%B 1%DA%A 9&action=edit&redlink=1) در این اتصال پایه بیس بین هر دو بخش ورودی و خروجی مدار مشترک است. جهتهای انتخابی برای جریان شاخه‌ها جهت قراردادی جریان در همان جهت حفره‌ها میشود. اتصال امیتر مشترک (کاربران ثبت نام کرده قادر به مشاهده لینک می باشند %A 7%D 9%85%DB%8C%D 8%AA%D 8%B 1_%D 9%85%D 8%B 4%D 8%AA%D 8% B 1%DA%A 9&action=edit&redlink=1) مدار امیتر مشترک بیشتر از سایر روشها در مدارهای الکترونیکی کاربرد دارد و مداری است که در آن امیتر بین بیس و کلکتور مشترک است. این مدار دارای امپدانس ورودی کم بوده، ولی امپدانس خروجی مدار بالا میباشد. اتصال کلکتور مشترک (کاربران ثبت نام کرده قادر به مشاهده لینک می باشند %A 9%D 9%84%DA%A 9%D 8%AA%D 9%88%D 8%B 1_%D 9%85%D 8%B 4%D 8% AA%D 8%B 1%DA%A 9&action=edit&redlink=1) اتصال کلکتور مشترک برای تطبیق امپدانس در مدار بکار می‌رود، زیرا برعکس حالت قبلی دارای امپدانس ورودی زیاد و امپدانس خروجی پائین است. اتصال کلکتور مشترک غالبا به همراه مقاومتی بین امیتر و زمین به نام مقاومت بار بسته میشود. ذکر شده توسط HoPPiCo ترانزیستور اثر میدان MOS (کاربران ثبت نام کرده قادر به مشاهده لینک می باشند) این ترانزیستورها نیز مانند Jfetها عمل می‌کنند با این تفاوت که جریان (کاربران ثبت نام کرده قادر به مشاهده لینک می باشند) ورودی گیت (کاربران ثبت نام کرده قادر به مشاهده لینک می باشند) آنها صفر است. همچنین رابطه جریان با ولتاژ نیز متفاوت است. این ترانزیستورها دارای دو نوع PMOS و NMOS هستند که فناوری استفاده از دو نوع آن در یک مدار تکنولوژی CMOS نام دارد. این ترانزیستورها امروزه بسیار کاربرد دارند زیرا براحتی مجتمع می‌شوند و فضای کمتری اشغال می‌کنند. همچنین مصرف توان بسیار ناچیزی دارند. به تکنولوژی‌هایی که از دو نوع ترانزیستورهای دوقطبی و Mosfet در آن واحد استفاده می‌کنند Bicmos میگویند. البته نقطه کار این ترانزیستورها نسبت به دما حساس است وتغییر میکند. بنابراین بیشتر در سوئیچینگ بکار می‌‌روند AMB ساختار و طرز کار ترانزیستور اثر میدانی - فت ترانزیستور اثر میدانی ( فت ) - FET همانگونه که از نام این المام مشخص است، پایه کنترلی آن جریانی مصرف نمی کند و تنها با اعامل ولتاژ و ایجاد میدان درون نیمه هادی ، جریان عبوری از FET کنترل می شود. به همین دلیل ورودی این مدار هیچ کونه اثر بارگذاری بر روی طبقات تقویت قبلی نمی گذارد و امپدانس بسیار بالایی دارد. فت دارای سه پایه با نهامهای درِین D - سورس S و گیت G است که پایه گیت ، جریان عبوری از درین به سورس را کنترل می نماید. فت ها دارای دو نوع N کانال و P کانال هستند. در فت نوع N کانال زمانی که گیت نسبت به سورس مثبت باشد جریان از درین به سورس عبور می کند . FET ها معمولاً بسیار حساس بوده و حتی با الکتریسیته ساکن بدن نیز تحریک می گردند. به همین دلیل نسبت به نویز بسیار حساس هستند. نوع دیگر ترانزیستورهای اثر میدانی MOSFET ها هستند ( ترانزیستور اثر میدانی اکسید فلزی نیمه هادی - Metal-Oxide Semiconductor Field Efect Transistor ) یکی از اساسی ترین مزیت های ماسفت ها نویز کمت سایت ما را در گوگل محبوب کنید با کلیک روی دکمه ای که در سمت چپ این منو با عنوان +1 قرار داده شده شما به این سایت مهر تأیید میزنید و به دوستانتان در صفحه جستجوی گوگل دیدن این سایت را پیشنهاد میکنید که این امر خود باعث افزایش رتبه سایت در گوگل میشود
این صفحه را در گوگل محبوب کنید
[ارسال شده از: سایت ریسک]
[مشاهده در: www.ri3k.eu]
[تعداد بازديد از اين مطلب: 3867]
-
گوناگون
پربازدیدترینها