-پنجشنبه ۲۰ شهریور ۱۳۹۳ - ۰۰:۲۲
محققان دانشگاه کیونگهی و شرکت سامسونگ الکترونیکز برای اولین بار از نقاط کوانتومی گرافنی برای ساخت حافظههای فلش استفاده کردند این نقاط میتوانند تراکم حافظه را افزایش دهند. به گزارش سرویس فناوری ایسنا، حافظههای فلش امروزی اطلاعات را به صورت بار الکتریکی روی لایههای پلی سیلیکون ذخیره میکنند. از آنجایی که پلیسیلیکون یک ماده یکنواخت است، هر گونه نقص ساختاری در آن میتواند موجب برهمکنش با بار شده و جنبش بار الکتریکی را محدود کند. این کار در نهایت موجب محدود شدن تراکم اطلاعات قابل ذخیره میشود. محققان برای رفع این مشکل، بر ذخ
»
شعر کودکانه شهادت امام موسی کاظم (ع)
»
همه چیز درباره ی تکثیر دلقک ماهی ها
»
قدیمی ترین فرش ایران در موزه وین
»
روبيکا هیچ گونه اينترنت رايگان براي همراه اول و ايرانسلي ف...
»
زیباترین مدلهای میز تلویزیون 2022 از تلویزیون تا کنسول
»
تفاوت النترا وارداتی و مونتاژ و اختلاف قیمت آنها
»
یک روش آسان برای پاک کردن لکه خمیردندان از روی فرش
»
اپلیکیشن های فیلم و سریال با اینترنت رایگان