-سهشنبه ۳۱ تیر ۱۳۹۳ - ۰۹:۱۴
یک دانشمند ایرانی از آزمایشگاه ملی لورنس در برکلی و همکارانش با استفاده از گرافن و نیترید بور موفق به ساخت اولین ترانزیستور اثرمیدان دو بعدی شدهاند؛ لایههای تشکیل دهنده این ترانزیستور با نیروی واندروالس کنار هم قرار گرفتهاند. به گزارش سرویس فناوری ایسنا، برخلاف ترانزیستورهای اثر میدان سیلیکونی، این ترانزیستور جدید در ولتاژهای بالا دچار افت کارک