-پنجشنبه ۱۸ اردیبهشت ۱۳۹۳ - ۱۲:۰۴
پژوهشگران دانشگاه کالیفرنیا موفق به ساخت اولین ترانزیستور اثرمیدان نوع P با استفاده از لایههای نانومقیاس MoS2 شدند. به گزارش سرویس علمی ایسنا، اولین ترانزیستور اثرمیدان نوع P از جنس مولیبدنیت (MoS2 FETs) ساخته شده است. مولیبدنیت مادهای بسیار مهم در صنعت نیمههادی به شمار میآید که دلیل آن تماس فلزی تابع کار بالای این ماده است. تاکنون MoS2 FETs را از نیمههادی نوع n میساختند که در آن نوع، تماس فلزی اهمیت چندانی نداشت؛ دلیل این موضوع دشواری اتصال باند ظرفیت MoS2 است. MoS2 یک لایه نازک از جنس مولیبدن و گوگرد است که یک ماده نی
»
شعر کودکانه شهادت امام موسی کاظم (ع)
»
همه چیز درباره ی تکثیر دلقک ماهی ها
»
قدیمی ترین فرش ایران در موزه وین
»
روبيکا هیچ گونه اينترنت رايگان براي همراه اول و ايرانسلي ف...
»
زیباترین مدلهای میز تلویزیون 2022 از تلویزیون تا کنسول
»
تفاوت النترا وارداتی و مونتاژ و اختلاف قیمت آنها
»
یک روش آسان برای پاک کردن لکه خمیردندان از روی فرش
»
اپلیکیشن های فیلم و سریال با اینترنت رایگان