-بررسي اثر نقص روي خواص الكتريكي و مغناطيسي نانولولههاي بورون نيتريد
تهران-خبرگزاري ايسكانيوز: محققان گروه فيزيك و پژوهشكده نانو دانشگاه رازي كرمانشاه، با استفاده از تئوري تابعي چگالي، موفق به بررسي اثر نقص بر خواص الكتريكي و مغناطيسي نانولولههاي بورون نيتريد شدهاند.
به گزارش روز شنبه باشگاه خبرنگاران دانشجويي ايران "ايسكانيوز" نانولولههاي بورون نيتريد، نيمهرساناهايي با گاف بزرگ هستند كه معمولاً گاف آنها بر حسب قطر از حدود