محبوبترینها
قیمت دیگ بخار و تولیدکننده اصلی دیگ بخار
معروف‌ترین هدیه و سوغاتی یزد مشخص شد!
آشنایی با انواع دوربین مداربسته ضد آب
پرداخت اینترنتی قبوض ساختمان (پرداخت قبض گاز، برق و آب)
بهترین دوره آموزش سئو محتوا در سال 1403 با نام طوفان ۱۴۰۳ در فروردین ماه شروع می شود
یک صرافی ارز دیجیتال چه امکاناتی باید داشته باشد؟
تعمیرگاه مجاز تعمیر ماشین لباسشویی در شرق تهران
تعمیرگاه مجاز تعمیر ماشین لباسشویی در شرق تهران
جراحی و درمان ریشه دندان عفونی با خانم دکتر صفوراامامی
چه مواردی بر قیمت کابین دوش حمام تاثیر دارند؟
صفحه اول
آرشیو مطالب
ورود/عضویت
هواشناسی
قیمت طلا سکه و ارز
قیمت خودرو
مطالب در سایت شما
تبادل لینک
ارتباط با ما
مطالب سایت سرگرمی سبک زندگی سینما و تلویزیون فرهنگ و هنر پزشکی و سلامت اجتماع و خانواده تصویری دین و اندیشه ورزش اقتصادی سیاسی حوادث علم و فناوری سایتهای دانلود گوناگون
مطالب سایت سرگرمی سبک زندگی سینما و تلویزیون فرهنگ و هنر پزشکی و سلامت اجتماع و خانواده تصویری دین و اندیشه ورزش اقتصادی سیاسی حوادث علم و فناوری سایتهای دانلود گوناگون
آمار وبسایت
تعداد کل بازدیدها :
1797583151
دانشمندان به ساخت رایانه مغزی نزدیک شدند
واضح آرشیو وب فارسی:ایسنا: یکشنبه ۶ اردیبهشت ۱۳۹۴ - ۰۹:۰۳
تیمی از دانشمندان دانشگاه نورث‌وسترن به موفقیتی جدید دست یافته‌اند که امکان ارائه توانایی‌های محاسباتی در سطح مغز انسان را فراهم می‌کند. به گزارش سرویس فناوری ایسنا، ممریستورها برای ساخت رایانه‌های مغزمانند، سیستم‌های هیجان‌انگیزی محسوب می‌شوند و برخلاف فلش مموری‌ها، بسیار سریع عمل می‌کنند. آنها همچنین زمانی که برق قطع می‌شود، بر خلاف حافظه رم (RAM)، وضعیتشان را حفظ می‌کنند و تمامی اطلاعات را در خود نگه می‌دارند. ممریستورها به انرژی برق کمتری برای عملکرد نیاز دارند، به ندرت خراش برمی‌دارند و در مقابل تشعشع ایمن هستند. با این حال، این ابزار الکترونیکی دو پایانه‌ای هستند که نقطه ضعف آنها محسوب می‌شود؛ چنین موضوعی موجب می‌شود آنها فقط از طریق بروز تغییرات در ولتاژ اعمال‌شده از خارج، قابل‌تنظیم باشند. دانشمندان نورث‌وسترن، ممریستورها را از ابزاری الکترونیکی دو پایانه‌ای به سه‌پایانه‌ای متحول کرده و این موضوع، امکان استفاده از آنها در مدارها و سیستم‌های الکترونیکی پیچیده‌تر را فراهم می‌سازد. ممریستورهای معمولی به عنوان ابزاری دوپایانه‌ای، فقط امکان کنترل محدود بر روی جریان برق عبورکرده در سیستم را فراهم می‌کنند، اما الکترود سوم به کاررفته توسط تیم دانشگاه نورث‌وسترن به عنوان یک گیت عمل می‌کند و در نهایت مقاومت سیستم را کنترل می‌کند. آنها این موفقیت را با استفاده از نانوماده نیمه‌رسانایی موسوم به دی‌سولفید مولیبدن بدست آورده‌اند که اتم‌های آن در جهت متفاوتی نسبت به ممریستورها آرایش شده‌اند. در این جا، نوعی مرز اتمی بین ورقه دی‌سولفید مولیبدن و الکترود فلزی قرار دارد که به عنوان رابطی برای اتم‌ها عمل می‌کند؛ چنین مرزهایی بر جریان برق اثر گذاشته و می‌توانند به عنوان ابزاری برای تنظیم‌کردن مقاومت به کار روند. مرز اتمی زمانی حرکت می‌کند که یک میدان الکتریکی بزرگ به ممریستور اعمال شود که این امر موجب بروز تغییر در مقاومت می‌شود. چنین موضوعی همچنین امکان سطح جدید از عملکرد و پیچیدگی را فراهم کرده که می‌تواند به قدرت محاسباتی مغزمانند منجر شود. جزئیات این دستاورد فناورانه در مجله Nature Nanotechnology منتشر شد. انتهای پیام
کد خبرنگار:
این صفحه را در گوگل محبوب کنید
[ارسال شده از: ایسنا]
[مشاهده در: www.isna.ir]
[تعداد بازديد از اين مطلب: 24]
-
علم و فناوری
پربازدیدترینها